镀钴过孔集成方案的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及镀钴过孔集成方案。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及镀钴过孔集成方案和制造方法。所述结构包括：由钴材料构成的过孔结构；以及位于所述过孔结构上方的布线结构。所述布线结构被阻挡衬里和所述钴材料加衬并被导电材料填充。

技术研发人员：方强;S·艾哈迈德;孙志国;舒杰辉;D·R·科里;曾伟志
受保护的技术使用者：格芯公司
技术研发日：2018.05.03
技术公布日：2019.07.09