本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及有机发光二极管(organiclightemittingdiode，简称oled)阵列基板及制造其的方法、oled像素电路以及显示装置。
背景技术
近几年来，oled显示装置渐渐成为当今显示技术领域的热点之一。与传统的液晶显示器相比，oled显示装置具有超高对比度，超薄厚度，超广色域，良好的大视角观赏体验及超快反应速度等特性，因此oled显示装置在未来将占据更多的市场份额。
技术实现要素：
本文中描述的实施例提供了一种oled阵列基板，一种用于制造oled阵列基板的方法，一种oled像素电路，一种包括该oled像素电路的oled阵列基板，以及包括该oled阵列基板的显示装置。它们能够补偿由于oled老化而造成的显示亮度不均匀。
根据本发明的第一方面，提供了一种oled阵列基板。该oled阵列基板包括：衬底；设置在衬底之上的oled；以及位于oled和衬底之间的光敏器件。光敏器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、感光层和第二电极。oled包括从底部到顶部依次设置的阳极、有机发光层、和阴极。阳极包括第一部分和第二部分。该第一部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影不重叠。该第二部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影重叠且是透明的。第二电极包括阳极的该第二部分。
在本发明的实施例中，oled阵列基板还包括：位于阳极和有机发光层之间且具有开口的像素限定层。有机发光层的发光区域位于像素限定层的开口内。
在本发明的实施例中，oled阵列基板还包括：在衬底之上且在光敏器件面向衬底的一侧的第一晶体管和第二晶体管，以及在阳极与衬底之间依次设置的第一介质层和第二介质层。第一晶体管和第二晶体管的有源层和栅极叠层位于第二介质层中以及光敏器件的感光层和第一电极位于第一介质层中。光敏器件的第一电极通过第一介质层中的第一孔与第二晶体管的源/漏电极电连接。阳极的第一部分通过第一介质层中的第二孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。
在本发明的实施例中，oled阵列基板还包括：第一介质层中的位于第一孔与第二孔之间的第三孔。阳极的第一部分进一步通过第三孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。
在本发明的实施例中，第一介质层包括在衬底与所述阳极之间依次设置的第一子层和第二子层。第一晶体管的源/漏电极和第二晶体管的源/漏电极位于第一子层中。光敏器件的感光层和第一电极位于第二子层中。
在本发明的实施例中，阳极的第二部分作为第二电极的第一部分。第二电极还包括透明的第二部分和第三部分。第二电极的第二部分位于第二电极的第一部分与感光层之间。第二电极的第三部分从第二部分向第二孔延伸并与阳极的第一部分相间隔。oled阵列基板还包括：第一介质层中的位于第一孔与第二孔之间的第三孔。第二电极的第三部分通过第三孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。
在本发明的实施例中，第一介质层包括在衬底与阳极之间依次设置的第一子层、第二子层和第三子层。第一晶体管的源/漏电极和第二晶体管的源/漏电极位于第一子层中。光敏器件的感光层和第一电极位于第二子层中。第二电极的第二部分和第三部分位于第三子层中。
在本发明的实施例中，阳极的第一部分为光反射层而阴极为光透射层，或者阳极为光透射层而阴极为光反射层。
在本发明的实施例中，阳极的该第二部分的面积与有机发光层的发光区域的面积的比例小于或者等于5％。
根据本发明的第二方面，提供了一种用于制造oled阵列基板的方法。该方法包括：提供衬底；在衬底上形成光敏器件；以及在光敏器件上形成oled。光敏器件包括从底部到顶部依次设置的第一电极、感光层和第二电极。oled包括从底部到顶部依次设置的阳极、有机发光层、和阴极。阳极包括第一部分和第二部分，该第一部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影不重叠，该第二部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影重叠且是透明的，以及其中第二电极包括阳极的该第二部分。
在本发明的实施例中，形成光敏器件包括：在衬底上形成第一介质层；构图第一介质层以形成开口；在开口内形成第一电极；在开口内在第一电极上形成感光层；以及在感光层上形成包括第二电极。
在本发明的实施例中，使用同一掩模形成第一电极、感光层以及第二电极。
在本发明的实施例中，形成oled包括：在第一介质层上形成反射光的导电层；构图导电层以去除导电层的在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影重叠的部分，其中导电层的剩余部分形成所述阳极的所述第一部分；在阳极上形成具有开口的像素限定层，其中，像素限定层在衬底上的正投影与光敏器件在衬底上的正投影不重叠；在像素限定层的开口中和像素限定层上形成有机发光层；以及在有机发光层上形成阴极。
在本发明的实施例中，阳极为光透射层，以及其中通过同一膜层形成阳极和第二电极。
在本发明的实施例中，该方法还包括：在形成第一介质层之前：在衬底上形成第一晶体管和第二晶体管；在衬底上形成第二介质层以覆盖第一晶体管和第二晶体管的有源层和栅极叠层；以及形成穿过第二介质层分别连接到第一晶体管和第二晶体管的源/漏区域的相应的源/漏电极，其中，构图第一介质层还包括形成第一孔和第二孔，第一电极通过第一孔连接到第二晶体管的源/漏电极，阳极的第一部分通过第二孔连接到第一晶体管的源/漏电极。
在本发明的实施例中，构图第一介质层还包括：在第一孔和第二孔形成第三孔，阳极的第一部分进一步通过第三孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。
在本发明的实施例中，构图所述第一介质层还包括：在第一孔和第二孔之间形成第三孔。在感光层上形成第二电极包括：在感光层上形成透明导电材料；以及构图该透明导电材料以形成第二电极。第二电极包括第一部分、第二部分以及第三部分。第一部分和第二部分在衬底上的正投影与感光层在衬底上的正投影重叠，且第二部分在第一部分与感光层之间，第三部分从第二部分向第二孔延伸并与阳极的第一部分相间隔。第二电极的第三部分通过第三孔与第一晶体管的源/漏电极电连接。
根据本发明的第三方面，提供了一种oled像素电路。该oled像素电路包括：驱动电路、光学感测电路、补偿电路和发光器件。其中，驱动电路耦接补偿电路、光学感测电路和发光器件，并被配置为驱动发光器件发光；光学感测电路耦接驱动电路、补偿电路和发光器件，并被配置为感测发光器件的发光强度以及将发光强度转换为电信号；补偿电路耦接光学感测电路和驱动电路，并被配置为基于电信号产生用于补偿发光器件的发光强度的补偿电压，并向驱动电路提供补偿电压。
在本发明的实施例中，驱动电路包括：第一晶体管和第三晶体管。第一晶体管的控制极耦接第三晶体管的第二极，第一晶体管的第一极耦接第一电压端，第一晶体管的第二极耦接光学感测电路和发光器件。第三晶体管的控制极耦接第一扫描信号端，第三晶体管的第一极耦接数据信号端。
在本发明的实施例中，驱动电路还包括：第四晶体管和第一电容器。第四晶体管的控制极耦接第二扫描信号端，第四晶体管的第一极耦接第一晶体管的第二极，第四晶体管的第二极耦接补偿电路。第一电容器的第一端耦接第一晶体管的控制极，第一电容器的第二端耦接第一晶体管的第二极。
在本发明的实施例中，光学感测电路包括：光敏器件和第二晶体管。光敏器件的第一极耦接第二晶体管的第一极，光敏器件的第二极耦接驱动电路和发光器件。第二晶体管的控制极耦接第三扫描信号端，第二晶体管的第二极耦接补偿电路。
在本发明的实施例中，发光器件包括有机发光二极管。
根据本发明的第四方面，提供了一种oled阵列基板，其包括如上所述的根据第三方面的oled像素电路。
根据本发明的第五方面，提供了一种显示装置，其包括如上所述的根据第一方面或第四方面的oled阵列基板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制，其中：
图1是根据本发明的实施例的oled阵列基板的示意图；
图2是根据本发明的另一实施例的oled阵列基板的示意图；
图3是根据本发明的又一实施例的oled阵列基板的示意图；
图4是根据本发明的实施例的用于制造如图1所示的oled阵列基板的方法的流程图；
图5是根据本发明的实施例的oled像素电路的示意性框图；
图6是根据本发明的实施例的oled像素电路的示例性电路图；
图7是根据本公开的实施例的oled像素电路的另一示例性电路图；
图8是用于以外部电压补偿的方式补偿如图6所示的oled像素电路400的信号的示意图；
图9是根据本公开的实施例的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本发明的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，也都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明主题所属领域的技术人员所通常理解的相同含义。进一步将理解的是，诸如在通常使用的词典中定义的那些的术语应解释为具有与说明书上下文和相关技术中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的形式来解释，除非在此另外明确定义。如在此所使用的，将两个或更多部分“连接”或“耦接”到一起的陈述应指这些部分直接结合到一起或通过一个或多个中间部件结合。
在本发明的所有实施例中，由于晶体管的源极和漏极(发射极和集电极)是对称的，并且n型晶体管和p型晶体管的源极和漏极(发射极和集电极)之间的导通电流方向相反，因此在本发明的实施例中，统一将晶体管的受控中间端称为控制极，信号输入端称为第一极，信号输出端称为第二极。本发明的实施例中所采用的晶体管主要是开关晶体管。另外，诸如“第一”和“第二”的术语仅用于将一个部件(或部件的一部分)与另一个部件(或部件的另一部分)区分开。
出于下文表面描述的目的，如其在附图中被标定方向那样，术语“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“顶”、“底”及其派生词应涉及发明。术语“上”、“在……顶上”、“定位在……上”或者“定位在……顶上”意味着诸如第一结构的第一要素存在于诸如第二结构的第二要素上，其中，在第一要素和第二要素之间可存在中间要素。术语“接触”意味着连接诸如第一结构的第一要素和诸如第二结构的第二要素，而在两个要素的界面处可以有或者没有其它要素。
通常，oled显示装置包括oled阵列基板。oled阵列基板包括oled以及用于驱动oled的驱动晶体管。oled在长期工作之后可能出现显示不均匀的现象。这例如是由于驱动晶体管的阈值电压(vth)发生漂移，导致流过oled的电流发生变化，从而使得显示亮度不均匀。还可能由于oled老化而造成显示亮度不均匀。
目前一般都采用电学补偿的方式来对驱动晶体管的阈值电压进行补偿。但是传统的电学补偿方式不能够补偿由于发光器件老化造成的发光亮度不均匀。因此本发明的实施例提供一种带有光感应结构的显示装置。通过光感应结构来感测显示装置中的发光器件实际的光强度，并将感测到的光强度转换为电信号，从而根据该电信号对驱动oled发光的驱动电流进行调整。这种补偿方式能够补偿由于发光器件老化造成的发光亮度不均匀。
图1示出根据本发明的实施例的oled阵列基板100的示意图。如图1所示，该oled阵列基板100可包括：衬底110；设置在衬底之上的oled120；以及位于oled120和衬底110之间的光敏器件pr。光敏器件pr可包括从底部到顶部依次设置的第一电极131、感光层132和第二电极133。oled120可包括从底部到顶部依次设置的阳极121、有机发光层122、和阴极123。阳极121包括第一部分和第二部分。该第一部分在衬底110上的正投影与感光层132在衬底110上的正投影不重叠。该第二部分在衬底110上的正投影与感光层132在衬底110上的正投影重叠且是透明的。第二电极133包括阳极121的该第二部分。
在本发明的实施例中，oled阵列基板100还可包括：位于阳极121和有机发光层122之间且具有开口的像素限定层124。有机发光层122的发光区域位于像素限定层124的开口内。
本发明可采用例如顶栅工艺，也可以采用背沟道刻蚀(backchanneletch，简称bce)工艺和刻蚀阻挡层(etchstoplayer，简称esl)工艺等。本发明可采用顶发射结构。在这种情况下，阳极的第一部分为光反射层而阴极为光透射层。本发明也可采用底发射结构。在这种情况下，阳极为光透射层而阴极为光反射层。下面以顶发射结构为例来进行说明。
阳极121的第二部分的透射率大小可以通过设置阳极121的厚度来调节。根据本发明的实施例，阳极121的第一部分可以为反射阳极。在oled发光的过程中，有机发光层122所发的光在该第一部分向上发出，只有在阳极121的第二部分中的光可以向下发射，从而照射在感光层132上。这样，感光层132就能够感测到oled的发光强度，从而使得光敏器件pr能够将感测到的发光强度转换为电信号。然后，oled阵列基板100的其它电路(未示出)能够根据该电信号对驱动oled发光的驱动电流进行调整，从而补偿由于发光器件老化造成的发光亮度不均匀。
应注意，阳极121中的第二部分的面积与有机发光层122的发光区域的面积的比例应适当，以保证不影响显示装置的总体显示，例如小于或者等于5％。
在本发明的实施例中，oled阵列基板100还可包括：在衬底110之上且在光敏器件pr面向衬底110的一侧的第一晶体管t1和第二晶体管t2。第一晶体管t1作为驱动晶体管向oled120提供驱动电流，以驱动oled120发光。第二晶体管t2作为开关晶体管控制向上述其它电路提供光敏器件pr所转换的电信号。
如图1所示，第一晶体管t1的源/漏区域141可相应连接到第一晶体管t1的源/漏电极142。第二晶体管t2的源/漏区域151可相应连接到第二晶体管t2的源/漏电极152。
在本发明的实施例中，oled阵列基板100还可包括：在阳极121与衬底110之间依次设置的第一介质层170和第二介质层160。第一介质层170可以采用同一种介质材料形成，也可以包括由不同介质材料形成的第一子层(例如，钝化层)171和第二子层(例如，树脂层)172。光敏器件pr的感光层132和第一电极131可位于第二子层172中。第一晶体管t1的源/漏电极142和第二晶体管t2的源/漏电极152位于第一子层171中。第一晶体管t1和第二晶体管t2的有源层和栅极叠层可位于第二介质层160中。光敏器件pr的第一电极131可通过第一介质层170中的第一孔181与第二晶体管t2的源/漏电极152电连接。阳极121的第一部分可通过第一介质层170中的第二孔182与第一晶体管t1的源/漏电极142电连接。
在本发明的实施例中，光敏器件pr的第一电极131可以选择与第一晶体管的源/漏电极142和第二晶体管的源/漏电极152同一种金属或者金属合金，也可以使用不同金属或者金属合金。
本领域的技术人员应了解，光敏器件pr也可以通过其它方式与第二晶体管t2电连接。oled120也可以通过其它方式与第一晶体管t1电连接，本发明的实施例对此没有额外的限制。
图2示出根据本发明的另一实施例的oled阵列基板100的示意图。如图2所示，oled阵列基板100还可包括：第一介质层170中的位于第一孔181与第二孔182之间的第三孔183。阳极121的第一部分可进一步通过第三孔183与第一晶体管t1的源/漏电极142电连接。第三孔183可以使得来自第一晶体管t1(即，驱动晶体管)的驱动电流在阳极121上更均匀地分布，从而使得oled120的显示亮度更均匀。
图3示出根据本发明的又一实施例的oled阵列基板100的示意图。如图3所示，阳极121的第二部分可作为第二电极133的第一部分133_1。第二电极133还包括透明的第二部分133_2和第三部分133_3。第二电极133的第二部分133_2位于第二电极133的第一部分133_1与感光层132之间。第二电极133的第三部分133_3从第二部分133_2向第二孔182延伸并与阳极121的第一部分相间隔。oled阵列基板100还可包括：第一介质层170中的位于第一孔181与第二孔182之间的第三孔183。第二电极133的第三部分133_3通过第三孔183与第一晶体管t1的源/漏电极142电连接。
第一介质层170可以采用同一种介质材料形成，也可以包括由不同介质材料形成的第一子层(例如，钝化层)171、第二子层(例如，树脂层)172和第三子层(例如，树脂层)173。第一晶体管t1的源/漏电极142和第二晶体管t2的源/漏电极152位于第一子层171中。光敏器件pr的感光层132和第一电极131位于第二子层172中。第二电极133的第二部分133_2和第三部分133_3位于第三子层173中。第三子层173可由与第二子层172的材料相同的材料形成。
在本实施例中，第三孔183可以使得来自第一晶体管t1(即，驱动晶体管)的驱动电流在阳极121上更均匀地分布，从而使得oled120的显示亮度更均匀。
图4示出根据本发明的实施例的用于制造如图1所示的oled阵列基板100的方法的流程图。下面参考图1-3来详细描述用于制造oled阵列基板100的方法。
如图4所示，在该方法中，在步骤s302，可提供衬底110。在本发明的实施例中，还可以在衬底110上提供缓冲层190。
然后，在步骤s304，在衬底110上可形成光敏器件pr。光敏器件pr可包括从底部到顶部依次设置的第一电极131、感光层132和第二电极133。
在本发明的实施例中，形成光敏器件pr可包括：在衬底110上形成第一介质层170；构图第一介质层170以形成开口；在开口内形成第一电极131；在开口内在第一电极131上形成感光层132；以及在感光层132上形成第二电极133。
在本发明的实施例中，可使用同一掩模形成第一电极131、感光层132以及第二电极133。
接着，在步骤s306，可在光敏器件pr上形成oled120。oled120可包括从底部到顶部依次设置的阳极121、有机发光层122、和阴极123。阳极121包括第一部分和第二部分。该第一部分在衬底110上的正投影与感光层132在衬底110上的正投影不重叠。该第二部分在衬底110上的正投影与感光层132在衬底110上的正投影重叠且是透明的。第二电极133包括阳极121的该第二部分。
在本发明的实施例中，形成oled120可包括：在第一介质层170上形成反射光的导电层；构图导电层以去除导电层的在衬底110上的正投影与感光层132在衬底110上的正投影重叠的部分，其中导电层的剩余部分形成所述阳极的所述第一部分；在阳极121上形成具有开口的像素限定层124，其中，像素限定层124在衬底110上的正投影与光敏器件pr在衬底110上的正投影不重叠；在像素限定层124的开口中和像素限定层124上形成有机发光层122；以及在有机发光层122上形成阴极123。
在本发明的另一实施例中，阳极121可以为光透射层，以及其中通过同一膜层形成阳极121和第二电极133。
在本发明的实施例中，该方法还可包括：在形成第一介质层170之前：在衬底110上形成第一晶体管t1和第二晶体管t2；在衬底110上形成第二介质层160以覆盖第一晶体管t1和第二晶体管t2的有源层和栅极叠层；以及形成穿过第二介质层160分别连接到第一晶体管t1和第二晶体管t2的源/漏区域141、151的相应的源/漏电极142、152。构图第一介质层170还包括形成第一孔181和第二孔182。第一电极131通过第一孔181连接到第二晶体管t2的源/漏电极152。阳极121的第一部分通过第二孔182可连接到第一晶体管t1的源/漏电极142。
在本发明的实施例中，构图第一介质层170还可包括：在第一孔181和第二孔182之间形成第三孔183，阳极121的第一部分可进一步通过第三孔183与第一晶体管t1的源/漏电极142电连接。第三孔183可以使得来自第一晶体管t1(即，驱动晶体管)的驱动电流在阳极121上更均匀地分布，从而使得oled120的显示亮度更均匀。
在本发明的另一实施例中，构图所述第一介质层170还包括：在第一孔181和第二孔182之间形成第三孔183。在感光层132上形成第二电极133包括：在感光层132上形成透明导电材料；以及构图该透明导电材料以形成第二电极133。第二电极133包括第一部分133_1、第二部分133_2以及第三部分133_3。第一部分133_1和第二部分133_2在衬底110上的正投影与感光层132在衬底110上的正投影重叠，且第二部分133_2在第一部分133_1与感光层132之间。第三部分133_3从第二部分133_2向第二孔182延伸并与阳极121的第一部分相间隔。第二电极133的第三部分133_3通过第三孔183与第一晶体管t1的源/漏电极142电连接。第三孔183可以使得来自第一晶体管t1(即，驱动晶体管)的驱动电流在阳极121上更均匀地分布，从而使得oled120的显示亮度更均匀。
图5示出根据本发明实施例的oled像素电路400的示意性框图。如图5所示，该oled像素电路包括：驱动电路410、光学感测电路420、补偿电路430和发光器件440。驱动电路410耦接补偿电路430、光学感测电路420、发光器件440、第一扫描信号端和第一电压端，并被配置为驱动发光器件440发光。光学感测电路420耦接驱动电路410、补偿电路430、发光器件440和第三扫描信号端，并被配置为感测发光器件440的发光强度以及将发光强度转换为电信号。补偿电路430耦接光学感测电路420和驱动电路410，并被配置为基于来自光学感测电路420的电信号产生用于补偿发光器件440的发光强度的补偿电压，并向驱动电路410提供补偿电压。发光器件440耦接驱动电路410、光学感测电路420和第二电压端，并被配置为在来自驱动电路的驱动电流的驱动下发光。
向驱动电路410提供的补偿电压能够对驱动oled发光的驱动电流进行调整，从而补偿由于发光器件老化造成的发光亮度不均匀。
图6示出根据本公开的实施例的oled像素电路400的示例性电路图。如图6所示，驱动电路410可包括：第一晶体管t1和第三晶体管t3。第一晶体管t1的控制极耦接第三晶体管t3的第二极，第一晶体管t1的第一极耦接第一电压端v1，第一晶体管t1的第二极耦接光学感测电路420和发光器件440。第三晶体管t3的控制极耦接第一扫描信号端scan1，第三晶体管t3的第一极耦接数据信号端data。
光学感测电路420可包括：光敏器件pr和第二晶体管t2。光敏器件pr的第一极耦接第二晶体管t2的第一极，光敏器件pr的第二极耦接第一晶体管t1的第二极。第二晶体管t2的控制极耦接第三扫描信号端scan3，第二晶体管t2的第二极耦接补偿电路430。在oled发光的过程中，通过光敏器件pr感测发光器件440的发光强度以及将发光强度转换为电信号。此时，通过控制第三扫描信号端的电压开启第二晶体管t2。这样，所转换的电信号可以通过第二晶体管t2被传递到第一感测端sense1。根据本发明的实施例，光敏器件pr可以使用根据图1描述的配置。
补偿电路430例如是集成电路ic。ic与第一感测端sense1耦接，从而可以从第一感测端sense1获得通过光敏器件转换的电信号。该ic能够基于该电信号产生用于补偿发光器件440的发光强度的补偿电压。该ic还与数据信号端耦接，从而能够向驱动电路410提供该补偿电压。
发光器件440可包括oled。oled的阳极耦接第一晶体管t1的第二极，oled的阴极耦接第二电压端v2。
图7示出根据本公开的实施例的oled像素电路400的另一示例性电路图。如图7所示，驱动电路410还可包括：第四晶体管t4和第一电容器cst。第四晶体管t4的控制极耦接第二扫描信号端scan2，第四晶体管t4的第一极耦接第一晶体管t1的第二极，第四晶体管t4的第二极通过第二感测端耦接到补偿电路430。第一电容器cst的第一端耦接第一晶体管t1的控制极，第一电容器cst的第二端耦接第一晶体管t1的第二极。在本实施例中，采用外部电压补偿的方式来补偿第一晶体管t1(即，驱动晶体管)的阈值电压。
图8示出用于以外部电压补偿的方式补偿如图7所示的oled像素电路400的信号的示意图。在不发光阶段，首先在tr时间段，通过打开第三晶体管t3和第四晶体管t4对第一晶体管t1复位使得s点的电压为vrefl(vrefl例如为0v)。然后，在tc时间段关闭第三晶体管t3并保持第四晶体管t4继续打开，以使得通过第二感测信号端sense2向补偿电路430输出流过第一晶体管t1的电流。从图8中可见，在tc时间段第二感测信号端sense2的电压逐渐上升。最后，在th时间段，感测充电完成。打开第三晶体管t3和第四晶体管t4，第二感测信号端sense2的电压维持在vsense。补偿电路430计算出需要补偿的电压值，以便之后将补偿的电压值加到数据信号的电压上。图8中在数据信号端data上，用vgm示意性地表示数据信号端data的电压的最大值，用vg0示意性地表示数据信号端data的电压的最小值。在发光阶段，采用补偿之后的数据信号(dn、dn+1……)来驱动发光器件oled120正常发光，在此不详细描述该阶段。
根据本实施例的oled像素电路400，能够在采用传统的电学补偿方式的同时，采用根据本发明实施例的光学补偿方式。其将光感应反馈结构与电学补偿方式进行结合使用，可以更好地提高显示亮度的均匀性。
图9示出根据本公开的实施例的显示装置800的结构示意图。显示装置800可包括如上所述的oled阵列基板100或者包括如上所述的oled像素电路400的oled阵列基板100。本发明实施例提供的显示装置可以应用于任何具有显示功能的产品，例如，电子纸、移动电话、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、可穿戴设备或导航仪等。
除非上下文中另外明确地指出，否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数，反之亦然。因而，当提及单数时，通常包括相应术语的复数。相似地，措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地，术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的，除非本文中明确禁止这样的解释。在本文中使用术语“示例”之处，特别是当其位于一组术语之后时，所述“示例”仅仅是示例性的和阐述性的，且不应当被认为是独占性的或广泛性的。
适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其它方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。
以上对本发明的若干实施例进行了详细描述，但显然，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下对本发明的实施例进行各种修改和变型。本发明的保护范围由所附的权利要求限定。