技术特征：
技术总结
本发明公开了一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片及其制备方法，该紫外LED外延片包括Si衬底、自下而上依次设置在Si衬底上的GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型AlxGa1‑xN层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN超晶格层、InyGa1‑yN/GaN量子阱层、EBL层、p型AlyGa1‑yN层、p型GaN层；所述InxGa1‑xN/GaN超晶格层中，x＝0.20‑0.06，成分渐变；所述InyGa1‑yN/GaN量子阱层，y＝0.02‑0.08；所述n型AlxGa1‑xN层与p型AlyGa1‑yN层，x＝y＝0.10‑0.30。该GaN基紫外LED外延片有效缓解高质量紫外LED生长困难、工作过程热积累的问题，可实现高光效高性能紫外LED外延片生长制备。
技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：河源市众拓光电科技有限公司
技术研发日：2018.07.12
技术公布日：2019.01.04