技术特征：
技术总结
本申请公开了一种氮化镓晶体管及其制造方法。该氮化镓晶体管包括：衬底；氮化镓层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓层上；至少一个第二复合叠层，位于所述势垒层上；以及栅极电极、源极电极与漏极电极，位于所述势垒层上，并且所述栅极电极位于所述源极电极和所述漏极电极之间，其中，所述至少一个第二复合叠层包括堆叠的第二掺杂层和第二插入层，所述漏极电极的第一部分与至少一个所述第二掺杂层接触，所述漏极电极的第二部分与所述势垒层接触。该氮化镓晶体管中的第二复合叠层使氮化镓层处于导通状态，并在截止状态有效注入空穴，释放被捕获的电子，抑制晶体管动态导通电阻增大，增加动态电阻的稳定性，提高氮化镓晶体管的可靠性。
技术研发人员：闻永祥;贾利芳;逯永建;李东昇
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
技术研发日：2018.08.02
技术公布日：2018.11.23