技术特征：
技术总结
本发明涉及一种晶圆结构及其处理方法，晶圆包括芯片区和划片道区，芯片区包括元胞区、分压环区和截止环区，所述元胞区位于所述芯片区中心，所述分压环区位于所述元胞区和所述截止环区之间，所述划片道区位于相邻两个截止环区之间，并相互连通，在晶圆的划片道区两侧边界刻蚀形成不连续分布且两侧所述沟槽间隔设置，所述沟槽深度为1‑1.5um，所述沟槽内填充满光敏聚酰亚胺。使得晶圆在制作完成之后，对划片道区切割形成功率器件的时候切割产生的应力不会破坏芯片的结构，提高器件的可靠性。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：盛世瑶兰（深圳）科技有限公司
技术研发日：2018.09.04
技术公布日：2019.01.15