一种基于电荷分部调制的高线性毫米波器件的制作方法

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于电荷分部调制的高线性毫米波器件。

背景技术：

继第一代元素半导体材料si、ge和第二代化合物半导体材料gaas、inp等之后，第三代半导体gan、aln、inn及其合金具有直接带隙、禁带宽度连续可调制范围大、击穿场强高、饱和电子漂移速度快、热导率高、抗辐照性能好等优点。以第三代半导体材料为基体的电子器件具有更高的频率、更高的功率，大大的提高了器件性能，迅速填补了第一、二代半导体材料无法满足半导体器件领域的需求。同时gan基高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor，简称hemt)的结构能够最大限度发挥氮化物材料的优势，其与si基mos和gaas基高电子迁移率晶体管(hemts)相比，具有异质结沟道二维电子气密度高、饱和电流和输出功率大、开关速度快、击穿电压高等优点，并能够适应高压、高温、辐照等恶劣工作环境。在有源相控阵雷达、电子战系统、5g通信、智能电网、4c产业等军民两用领域具有非常广阔的应用前景。

然而，为了达到目前通讯技术的要求，高线性、大功率的器件必不可少。我们所指的高线性主要是跨导能够在很大的栅压范围内保持一个较高的峰值。而跨导在低场电压下主要受电容值的增大而影响，在高场电压下电容趋于饱和，此时跨导主要受迁移率降低的影响。目前的主流做法是增大势垒层厚度来减小沟道上的分压，在高的栅压下使沟道电子迁移率处于一个较高的水平；在器件中引入场板结构来调制栅边缘的电场峰值，使得沟道电场分部平坦化；采用双沟道结构使其器件在工作时随着栅压的增大沟道分步开启，第二沟道的开启来弥补在高栅压下跨导值降低的趋势；或者采用fin-hemt结构对栅源电容进行调制，使其在高场电压下具有电容增大的趋势来弥补迁移率降低的趋势。但是，这些方法都引入了多余的寄生参数，降低了跨导峰值，影响了器件频率特性。

目前，在国内和国际上，主要采用场板结构来调制器件电场分部，采用fin结构改善器件核心图形系统(coregraphicssystem，简称cgs)，采用双沟道结构来进行多阈值调控，通过第二沟道的开启来补偿跨导降低的趋势。方法如下：

2005年a.chini等人提出采用山下可是凹槽和金属场板结构等措施，在4h-sic衬底上制备了一款可应用于c波段的高线性器件，场板位于栅上方从栅极中心到漏一端0.7μm处来调制栅下电场峰值。其中器件的跨导为260ms/mm，4ghz下连续波输出功率为18.8w/mm(pae＝43％)，pae峰值为74％(功率输出为6w/mm)，imd高达45dbc。参考文献powerandlinearitycharacteristicsoffield-platedrecessed-gatealgan/ganhemt.ieeeelectrondeviceletters,vol.25,no.5,2005。

2006年，palacios.tomás等人提出了一种双沟道器件可以使跨导平坦化，该器件通过沟道在不同栅压下依次开启带来的多阈值和栅电容调制，并且导致源漏电阻随ids的增加而变化的幅度较单沟道器件有所变缓。最终制备出的器件跨导为0.95s/mm，fmax达到40ghz，并在10ghz下的imd高达30dbc。参考文献useofdouble-channelheterostructurestoimprovetheaccessresistanceandlinearityingan-basedhemts.ieeetransactionelectrondevice,vol.53,no.3,2006。

2017年，kaizhang等人采用fin结构制备出具有更平的跨导曲线的器件，栅压跨导摆幅达到1.5v～1v，等效后的输出电流为1.5a/mm，跨导高达570ms/mm，ft/fmax为31/78ghz，im3高达52dbc，较平面结构提高了5.5dbc。参考文献high-linearityalgan/ganfinfetsformicrowavepowerapplications.electrondevicelettersvol.38no.52017。

综上所述，当前，国际上高线性的gan基器件的制作都是采用场板结构，双异质结材料和fin-hemt器件结构的方式，从电容或迁移率的方面来使跨导更加平坦，实现高线性功率输出。但是这些方法均存在以下不足：

1、当器件采用场板结构以后，由于在栅上方引入寄生电容，器件频率特性退化，无法工作在较高频率下；

2、器件采用双沟道以后，双异质结的引入很难控制材料组分，过高组分的背势垒会使得两个沟道相互影响，电子浓度降低；第二沟道距离表面过远，则会不受栅压控制成为漏电通道，变得更容易击穿；

3、器件采用fin-hemt之后，器件的有效沟道面积缩小，导致各项指标对半牺牲，并且引入过多的栅电容从而使得频率特性退化严重。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于电荷分布调控的高线性毫米波器件及其制作方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种基于电荷分布调控的高线性毫米波器件的制作方法，包括步骤：

s1、在外延基片上的两侧制作源电极7和漏电极8，其中，所述外延基片包括依次生长形成的衬底层1、ain成核层2、gan缓冲层3、aln插入层4和algan势垒层5；

s2、在所述algan势垒层5上生长钝化层6；

s3、在所述钝化层6上的栅极区光刻形成渐变凹槽结构，其中，所述栅极区包括渐变凹槽区域901、栅脚区域902和栅帽区域903；

s4、在所述栅帽区域903上光刻形成栅电极图形；

s5、对所述栅电极图形蒸发栅金属制作栅电极9；

s6、在所述源电极7和所述漏电极8上制作金属互联层10，制作得到基于电荷分布调控的高线性毫米波器。

在一个具体实施方式中，所述步骤s1还包括：

s11、在所述algan势垒层5上的两侧光刻源电极图形区域和漏电极图形区域；

s12、分别对所述源电极图形区域和所述漏电极图形区域进行蒸发金属处理，使得在所述algan势垒层5上形成欧姆金属；

s13、将蒸发金属处理的所述外延基片进行热退火处理，使得所述源电极图形区域和所述漏电极图形区域内所述algan势垒层5上的欧姆金属下沉至所述gan缓冲层3，完成所述源电极8和所述漏电极9的制作。

在一个具体实施方式中，在所述步骤s3之前还包括：

依次从所述algan势垒层5的两侧刻蚀到所述gan外延层3的两侧，在所述gan外延层3的两侧形成所述有源区电隔离结构。

在一个具体实施方式中，所述步骤s3包括：

s31、在所述钝化层6上涂布抗刻蚀光刻胶，形成胶层；

s32、在所述胶层上的栅极区第一侧至所述胶层上的栅极区中心，沿着栅宽方向设有多个第一曝光区间，沿着栅宽方向的多个所述第一曝光区间从所述栅极区第一侧至所述栅极区中心按照逐渐增大的预设剂量进行曝光，且在所述胶层上的栅极区第二侧至所述胶层上的栅极区中心，沿着栅宽方向设有多个第二曝光区间，沿着栅宽方向的多个所述第二曝光区间从所述栅极区第二侧至所述栅极区中心按照逐渐增大的预设剂量进行曝光，在所述胶层形成渐变凹槽的胶型结构；

s33、在所述渐变凹槽的胶型结构区域内刻蚀去除栅脚区域的钝化层6以及渐变凹槽区域的algan势垒层5，在所述algan势垒层5内形成渐变凹槽结构。

在一个具体实施方式中，所述预设剂量为4.7～7.0c/m²。

在一个具体实施方式中，所述步骤s6包括：

s61、在金属互联开孔区的源电极7和漏电极8上光刻金属互联区域；

s62、在所述源电极7和所述漏电极8上的金属互联区域上蒸发互联金属；

s63、对完成互联金属蒸发的外延基片进行剥离，制作得到基于电荷分布调控的高线性毫米波器件。

此外，本发明的另一个具体实施方式中，一种基于电荷分布调控的高线性毫米波器件，由上述实施方式的基于电荷分布调控的高线性毫米波器件的制作方法制得。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

1.本发明利用电子束光刻胶的曝光性质与刻蚀技术的刻蚀比，在栅凹槽区域实现渐变深度的凹槽，通过不同algan势垒层的厚度对栅下二维电子气(2deg)密度进行渐变的分部调制，从而实现高线性，整个过程不引入寄生参数，安全可靠。

2.本发明对栅下algan势垒层进行凹槽刻蚀，而其他区域algan势垒层保持原有厚度，这样可以保证栅控能力的同时不降低器件输出电流。

3.本发明通过对栅下载流子密度的分部调制，实现了器件开启时的电流密度调控，将电流主要控制于器件的两侧，更有效地解决了器件在连续波工作时中心难散热的问题。

附图说明

图1是本发明的一种具有高线性毫米波器件的制备流程示意图；

图2a-图2g是本发明的一种具有高线性毫米波器件的制备方法示意图；

图3是本发明的一种具有高线性毫米波器件的三维立体结构示意图；

图4a-图4f是本发明的一种具有高线性毫米波器件的渐变凹槽结构的光刻侧视示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例一

本实施例制作渐变栅凹槽的gan基高电子迁移率晶体管的初始材料为外延基片，所述外延基片由下向上依次包括衬底1、aln成核层2、gan缓冲层3、aln插入层4和algan势垒层5。

请参照图3，图3是本发明的一种具有高线性毫米波器件的三维立体结构示意图。

本实施例中所述衬底1的材料是厚度为400μm～500μm的绝缘蓝宝石或si或sic，aln成核层2厚度为180nm，gan缓冲层3厚度为1.5μm～2μm，aln插入层4的厚度为1nm；algan势垒层5的厚度为20nm～25nm，其中，铝组分为20％～30％，其表面上的栅电极9的渐变凹槽区域901沿栅长方向的长度为0.1μm～0.12μm，栅脚区域902的高度为120nm～200nm，栅帽区域903的宽度为360nm～540nm；渐变凹槽区域901部分的渐变凹槽结构深度沿栅宽方向变化范围为0nm～16nm；渐变凹槽区域901两侧的钝化层6的厚度对应栅脚区域902的高度。

本实施例选择在sic衬底上制作凹槽深度为0～16nm，钝化层厚度为120nm的高线性gan器件结构。

请参照图1，图1是本发明的一种具有高线性毫米波器件的制备流程示意图，制作的具体步骤如下：

步骤1、在外延基片的gan缓冲层3上两侧制作源电极7和漏电极8，其中，所述外延基片包括依次生长形成的衬底1、ain成核层2、gan缓冲层3、aln插入层4和algan势垒层5。

步骤11、在所述algan势垒层5上两侧光刻源电极图形区域和漏电极图形区域。

首先，将所述外延基片放在200℃的热板上烘烤5min，以烘除外延基片水分；接下来，在所述algan势垒层5上两侧进行剥离胶pmgi-sf6的涂胶和甩胶，在2000rpm的转速下其甩胶厚度为350nm，并将形成的甩胶厚度为350nm的外延基片放在200℃的热板上烘烤5min；接着，在剥离胶pmgi-sf6上进行光刻胶epi621的涂胶和甩胶，在5000rpm的转速下其甩胶厚度为770nm，再将甩胶厚度为770nm的外延基片放在90℃的热板上烘烤1min；之后，将完成光刻胶epi621的涂胶和甩胶后的外延基片放入步进式光刻机中对源电极区域和漏电极区域内的光刻胶epi621进行曝光强度为240ms的曝光；最后，将完成曝光的外延基片放入显影液中约85s，待移除源电极区域和漏电极区域内的双层胶后，使用超纯水对其进行冲洗并使用氮气将其吹干，形成源电极7和漏电极8光刻图形。

步骤12、分别对所述源电极图形区域和所述漏电极图形区域进行蒸发金属处理，使得在所述algan势垒层5上形成欧姆金属。

首先，将有源电极7和漏电极8光刻图形的外延基片放入等离子去胶机中进行底膜处理，其处理的时间为5min；接下来，将底膜处理后的外延基片放入电子束蒸发台上，在反应腔室真空度为2×10^-6torr的条件下对制作完前一步骤的外延基片表面整体进行蒸发金属，其中，该金属是由下向上依次由ti、al、ni和au四层金属组成的金属堆栈结构，其中在源电极图形区域和漏电极图形区域内的金属为欧姆金属；之后，对完成欧姆金属蒸发的外延基片进行剥离工艺，按顺序依次放入丙酮溶液、剥离液、丙酮溶液和乙醇溶液中进行清洗，以移除源电极图形区域和漏电极图形区域外的欧姆金属、光刻胶和剥离胶；最后，用超纯水冲洗移除源电极图形区域和漏电极图形区域外的欧姆金属、光刻胶和剥离胶的外延基片，并用氮气吹干。

步骤13、将完成蒸发金属处理的外延基片进行热退火处理，使得所述源电极图形区域和所述漏电极图形区域内所述algan势垒层5上的欧姆金属下沉至所述gan缓冲层3，完成所述源电极8和所述漏电极9的制作。

将完成步骤s12后的外延基片放入快速热退火炉中，在n2环境下进行850℃、30s的快速热退火处理，以使得源电极图形区域和漏电极图形区域内algan势垒层5上的欧姆金属电极下沉至gan缓冲层3，从而在欧姆金属与缓冲层3之间形成欧姆接触，完成源电极7和漏电极8的制作，如图2a所示。

步骤2、在所述algan势垒层5上制作有源区电隔离结构。

步骤21、在所述algan势垒层5上光刻电隔离区域。

首先，将完成源电极7和漏电极8制作的外延基片放在200℃的热板上先烘烤5min；接着，在所述外延基片表面对抗刻蚀光刻胶epi621进行转速为3500rpm的甩胶，形成厚度为400nm的胶层，并将甩胶后的外延基片放在90℃的热板上烘烤1min；之后，将烘烤后的外延基片放入步进式光刻机中对电隔离区域内的光刻胶进行曝光，曝光强度为260ms；最后，将完成曝光后的器件放入显影液epd1000中60s，以移除电隔离区域内的光刻胶，对其进行超纯水冲洗和氮气吹干。

步骤22、依次从所述algan势垒层(5)的两侧刻蚀到所述gan外延层(3)的两侧，在所述gan外延层(3)的两侧形成所述有源区电隔离结构。

利用感应耦合等离子(icp)工艺以sf6为刻蚀气体，依次刻蚀电隔离区域的algan势垒层5、aln插入层4和gan外延层3，将器件的二维电子气(2deg)刻断，在器件两边形成l形状，图2b中所示为形成的有源区的电隔离结构，本实施例电隔离区域刻蚀到gan外延层3，以实现器件有源区的台面隔离，其总的刻蚀深度为120nm，刻蚀功率为80w，刻蚀时间为120s；之后，将刻断二维电子气后的外延基片依次放入顺序为丙酮溶液、剥离液、丙酮溶液和乙醇溶液中进行清洗，以移除电隔离区域外的光刻胶；最后，用超纯水冲洗清洗后的器件并用氮气吹干。如图2b所示。在具体实验中，在一个衬底上会形成多个器件，为了使器件之间互不干扰，将器件的二维电子气(2deg)刻断，即将多个器件进行隔离。

步骤3、在所述algan势垒层5上生长钝化层6。

具体的，将氮气吹干后的器件放入化学等离子增强化学气象淀积(pecvd)设备中，在功率为200w，sih4流量为100sccm，nh4流量为100sccm，压力为600mtorr，温度为300℃的条件下，对algan势垒层5表面进行时间为1h的钝化处理，形成120nm厚的sin钝化层6，如图2c所示。

步骤4、在所述钝化层6上的栅极区光刻形成渐变凹槽结构，其中，所述栅极区包括渐变凹槽区域901、栅脚区域902和栅帽区域903。

请参见图4a-图4f，图4a-图4f是本实施例的一种具有高线性毫米波器件的渐变凹槽结构的光刻步骤侧视示意图；图4a是本实施例的一种具有高线性毫米波器件的光刻胶涂布侧视示意图；图4b是本实施例的一种具有高线性毫米波器件的光刻胶曝光侧视示意图；图4c是本实施例的一种具有高线性毫米波器件的移除部分钝化层侧视示意图；图4d是本实施例的一种具有高线性毫米波器件的刻蚀去除栅脚区域的钝化层的侧视示意图；图4e是本实施例的一种具有高线性毫米波器件的移除渐变凹槽区域内的algan势垒层的侧视示意图；图4f是本实施例的一种具有高线性毫米波器件的渐变凹槽结构的侧视示意图。其中，图4a-图4f中，11为胶层。

步骤41、在所述钝化层6上涂布抗刻蚀光刻胶，形成胶层，如图4a所示。

将步骤3制得的外延基片放在200℃的热板上烘烤5min；接着，再在烘烤后的外延基片表面对抗刻蚀电子束光刻胶pmma进行转速为4000rpm的甩胶，形成厚度约为360nm的胶层，将甩胶后的外延基片放在180℃的热板上烘烤2min。

步骤42、在所述胶层上的栅极区第一侧至所述胶层上的栅极区中心，沿着栅宽方向设有多个第一曝光区间，沿着栅宽方向的多个所述第一曝光区间从所述栅极区第一侧至所述栅极区中心按照逐渐增大的预设剂量进行曝光，且在所述胶层上的栅极区第二侧至所述胶层上的栅极区中心，沿着栅宽方向设有多个第二曝光区间，沿着栅宽方向的多个所述第二曝光区间从所述栅极区第二侧至所述栅极区中心按照逐渐增大的预设剂量进行曝光，在所述胶层形成渐变凹槽的胶型结构，如图4b所示。

将完成甩胶并烘烤后的外延基片放入电子束光刻机(ebl)中对栅脚区域进行变剂量的trg(transitionalrecessedgate)高灵敏度曝光，其中栅脚区域的长度为100nm，宽度为50um，如图2d所示。

本实施例中，具体的一个示例，沿着栅宽方向设有渐变剂量的16组32个曝光区间，其剂量的变化范围为4.7～7.0(c/m²)。本实施例认为曝光剂量4.7为沿着栅宽方向的多个所述第一曝光区间从所述栅极区第一侧至所述栅极区中心按照逐渐增大的预设剂量进行曝光的初始曝光剂量；且曝光剂量4.7还为沿着栅宽方向的多个所述第二曝光区间从所述栅极区第二侧至所述栅极区中心按照逐渐增大的预设剂量进行曝光的初始曝光剂量，曝光剂量7.0为栅极区中心的曝光剂量。

其中，曝光剂量在16组32个曝光区间内从4.7到7.0逐渐增大。

将完成trg高灵敏度曝光后的外延基片放入对应的显影液中以移除渐变凹槽的胶型结构区域内的部分光刻胶，如图4c所示，即将完成曝光的外延基片放入显影液ar600-546中显影90s，再将其放入异丙醇中进行时间为30s的定影处理，最后对其进行氮气吹干，最终形成渐变凹槽的胶型结构，其剂量的变化范围为4.7～7.0(c/m²)中，第一曝光区间对应的曝光剂量为4.7c/m²时光刻胶厚度为90nm，第一曝光区间对应的曝光剂量为4.7c/m²时光刻胶厚度为90nm，栅极中心曝光剂量为7c/m²时光刻胶厚度为0nm。

步骤43、刻蚀去除所述栅脚区域902的钝化层6以及栅凹槽901区域的algan势垒层5。

利用感应耦合等离子(icp)刻蚀工艺以cf4为刻蚀气体移除栅脚区域902内的sin钝化层6，刻蚀的深度为120nm，上电极功率60w，下电极功率10w，cf4流量25sccm，o2流量10sccm，压力5mt，刻蚀时间约为240s，如图4d所示。

利用icp刻蚀工艺以bcl3为刻蚀气体移除渐变凹槽区域901内的algan势垒层5，刻蚀的深度为16nm，上电极功率120w，下电极功率10w，bcl3流量20sccm，cl2流量8sccm，压力5mt，刻蚀功率为40w，刻蚀时间约为8min，形成渐变凹槽结构。渐变曝光主视示意图如图4e和4f所示。

步骤5、在钝化层6上，利用电子光刻工艺光刻栅电极9的栅帽区域903。

步骤51、在完成步骤4后的外延基片的表面进行t型柵双层光刻胶的甩胶。

首先，将刻蚀去除所述栅脚区域902的钝化层6以及栅凹槽901区域的algan势垒层5步骤后的外延基片放在200℃的热板上烘烤5min；其次，在烘烤后的器件表面对抗刻蚀电子束光刻胶pmma-maa进行转速为2000rpm的甩胶，形成厚度约为350nm的底端胶层，并将甩胶后制备的器件放在180℃的热板上烘烤2min；最后，在剥离胶pmma-maa胶表面对抗刻蚀电子束光刻胶pmma进行转速为4000rpm的甩胶，形成厚度约为630nm的顶端胶层，并将完成甩胶形成厚度约为630nm的顶端胶层的器件放在150℃的热板上烘烤1min。

步骤52、将完成甩胶并烘烤后的器件放入电子束光刻机ebl中栅帽903目标区域内的光刻胶进行分无差别曝光，其中栅帽区域的长度为500nm，宽度为50um。如图2e所示。

步骤53、将完成曝光后的器件放入显影液mibk：ipa＝1:3中显影4min以达到完全显影的效果，最后对其进行异丙醇浸泡和氮气吹干。

步骤6、在所述栅帽区域上光刻形成栅电极图形。

步骤7、对栅电极图形蒸发栅金属制作栅电极9。

将有光刻形成栅电极图形的器件放入等离子去胶机中进行底膜处理，其功率为200w，o2流量为50sccm，操作时间为30s。将底膜处理后的器件放入电子束蒸发台中，在反应腔室真空度为2×10^-6torr的条件下对外延基片表面整体进行蒸发栅金属，该栅金属是由下向上依次由ni、au和ni三层金属组成的金属堆栈结构，其中柵凹槽区域901、栅脚区域902与栅帽区域903的柵金属即为器件的栅电极9。如图2f所示。

步骤8、在所述源电极7和所述漏电极8上制作金属互联层10，制作得到基于电荷分布调控的高线性毫米波器。

步骤81、在金属互联开孔区的源电极7和漏电极8上光刻金属互联区域。

首先，将完成金属互联开孔刻蚀的器件放在200℃的热板上烘烤5min；其次，在金属互联开孔区的源电极8和漏电极9上进行剥离胶pmgi-sf6的涂胶和甩胶，其在转速4500rpm下剥离胶厚度为350nm，并将器件放在200℃的热板上烘烤5min；之后，在剥离胶上进行光刻胶epi621的涂胶和甩胶，其在转速5000rpm下光刻胶厚度为770nm，并将器件放在90℃的热板上烘烤1min；再后来，将完成光刻胶epi621的涂胶和甩胶的器件放入步进式光刻机中对金属互联区域内的光刻胶进行曝光；最后，将完成曝光的器件放入显影液中移除金属互联区域内的光刻胶和剥离胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干，形成金属互联光刻图形。

步骤82、在所述源电极7和所述漏电极8上蒸发互联金属。

首先，将有金属互联光刻图形的器件放入等离子去胶机中在真空环境下进行底膜处理，其功率为200w，o2流量为50sccm，处理时间为5min。

接着，将器件放入电子束蒸发台中，在反应腔室真空度为2×10^-6torr的条件下，对制作完前一步骤的外延基片表面整体进行蒸发互联金属，其中，该互联金属是由下向上依次由厚度为的ti和厚度为的au组成的金属堆栈结构，位于金属互联区域内的金属即为金属互联层10。

步骤83、对完成互联金属蒸发的器件进行剥离，制作得到基于电荷分布调控的高线性毫米波器。

对完成互联金属蒸发的器件进行剥离，以移除金属互联层区域外的互联金属、光刻胶和剥离胶；最后，用超纯水冲洗器件并用氮气吹干，完成器件的制备。如图2g所示。

综上，一种基于电荷分布调制的高线性毫米波器件由上述方法制得。

本实施例利用电子束光刻胶的曝光性质与刻蚀技术的刻蚀比，在栅凹槽区域实现渐变深度的凹槽，通过不同algan势垒层的厚度对栅下2deg密度进行渐变的分部调制，从而实现高线性，整个过程不引入寄生参数，安全可靠。

本实施例对栅下algan势垒层进行凹槽刻蚀，而其他区域algan势垒层保持原有厚度，这样可以保证栅控能力的同时不降低器件输出电流。

本实施例通过对栅下载流子密度的分部调制，实现了器件开启时的电流密度调控，将电流主要控制于器件的两侧，更有效地解决了器件在连续波工作时中心难散热的问题。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。