一种硒化铟晶体管及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种硒化铟晶体管及其制造方法，该晶体管中将高k的氧化铪与硒化铟夹在双层的聚合物PMMA中，使得沟道的界面情况得到极大的改善，使得硒化铟晶体管可以实现高场效应电子迁移率和极小的滞后，极大提高了器件性能。

技术研发人员：韩琳;姜建峰;张宇
受保护的技术使用者：山东大学
技术研发日：2018.09.18
技术公布日：2019.02.01