图像传感器封装和图像感测模块的制作方法

本申请要求于2017年12月4日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请no.10-2017-0165058的优先权，其全部公开通过引用合并于此。

本公开涉及图像传感器，更具体地，涉及图像传感器封装和图像感测模块。

背景技术：

图像传感器将光学图像转换为电信号。随着计算机工业和通信工业的发展，对图像传感器的需求日益增加，所述图像传感器在诸如数码相机、摄录机、个人通信系统(pcs)、游戏设备、监视相机和内窥镜的各种应用中具有改进性能。

常用的图像传感器芯片可以包括电荷耦合器件(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器。特别地，cmos图像传感器正在被广泛使用，因为它可以通过使用传统的半导体制造技术来降低制造成本，并且它可以通过改善信号处理算法来改善图像质量。

技术实现要素：

根据本发明构思的示例实施例，图像传感器封装包括基板；图像传感器芯片，设置在所述基板上；以及外力吸收层，设置在所述基板和所述图像传感器芯片之间并具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述图像传感器封装还包括粘合剂层，该粘合剂层被配置为将所述外力吸收层的第二表面粘合到所述基板。粘合剂层具有第一模量，且外力吸收层具有与第一模量不同的第二模量。

根据本发明构思的示例性实施例，图像传感器封装包括基板和外力吸收层，外力吸收层设置在基板上并具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面面向基板。图像传感器封装还包括：粘合剂层，插入在外力吸收层和基板之间，以将外力吸收层的第一表面粘合到基板；以及模塑部分，设置在外力吸收层的第二表面上并包括存储器芯片和热片(thermaldie)。图像传感器封装附加地包括图像传感器芯片，与所述存储器芯片电连接并设置在所述模塑部分上。所述粘合剂层具有第一模量，且所述外力吸收层具有小于所述第一模量的第二模量。

根据本发明构思的示例性实施例，图像感测模块包括基板，该基板具有第一区域、围绕第一区域的第二区域和围绕第二区域的第三区域。图像感测模块还包括粘合剂层，该粘合剂层具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一表面粘合到基板的第一区域。图像感测模块附加地包括外力吸收层，该外力吸收层粘合到粘合剂层的第二表面；模塑层，设置在外力吸收层上；图像传感器芯片，设置在模塑层上，透镜，与图像传感器芯片间隔开并设置在图像传感器芯片上方；以及支撑构件，设置在基板的第三区域中并支撑透镜。所述粘合剂层具有第一模量，且所述外力吸收层具有小于所述第一模量的第二模量。

根据本发明构思的示例性实施例，图像传感器封装包括：基板；以及粘合剂层，设置在基板上并具有第一模量。图像传感器封装还包括外力吸收层，设置在粘合剂层上并具有第二模量。外力吸收层延伸超出粘合剂层的侧表面。图像传感器封装附加地包括模塑层，设置在外力吸收层上；以及图像传感器芯片，设置在模塑层上。

附图说明

由于通过在结合附图考虑时参考以下具体实施方式使得本公开及其很多随附方面变得更好理解，因此可以获得对本发明以及很多随附优点的更完整的理解，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图；

图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图；

图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图；

图4是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图；

图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的外力吸收层的模量的改变对施加到图像传感器芯片的应力的影响的曲线图；

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像感测模块的平面图；

图7是根据本发明构思的示例性实施例的沿图6的线a-a′截取的横截面图；

图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的外力吸收层的厚度的改变对施加到图像传感器芯片的应力的影响的曲线图；

图9是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造图像传感器封装的方法的示例的流程图；

图10是示出根据本发明构思的示例性实施例的生产被安装在图像传感器封装上的图像传感器芯片的过程的示意图；以及

图11是示出根据本发明构思的示例性实施例的包括图6和图7中示出的图像感测模块的图像感测系统的示意性配置的框图。

具体实施方式

下文中将参照附图更全面地描述本发明构思的示例性实施例。

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图。图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图。图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图。图4是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像传感器封装的示例的示意图。

参考图1，图像传感器封装100可以包括基板110、图像传感器芯片120、模塑层130、外力吸收层140和粘合剂层150。应理解，本发明构思不限于此。例如，可以包括其他元件或层，或者可以省略列出的元件或层中的一些。

基板110可以在其中包括电路，使得电路可以电连接到图像传感器芯片120和设置在基板110上的外部元件。例如，基板110可以是其中具有电路的有机基板、硅基板、体硅或绝缘体上硅(soi)。

图像传感器芯片120可以将从外部源接收的光信号转换为图像信号。在本发明构思的示例性实施例中，图像传感器芯片120可以包括有源像素传感器(aps)、逻辑单元以及屏蔽层，aps响应于入射光产生光信号并响应于光信号产生信号电荷；逻辑单元邻近aps设置以处理从aps发送的输出信号；屏蔽层设置在逻辑单元上方以阻挡电磁波。

图像传感器芯片120的aps可以包括多个像素。每个像素可以包括诸如光电二极管的光电转换元件，用于感测入射光以将其转换为信号电荷。aps还可以包括多个晶体管，用于通过对信号电荷进行放大或切换来处理所述信号电荷。

图像传感器芯片120的逻辑单元可以包括驱动电路、模数转换器(adc)以及图像传感器处理器(isp)，驱动电路用于驱动aps的像素中的每一个像素；adc用于将信号电荷转换为数字信号；isp用于通过使用数字信号形成图像信号。

除了aps之外，可以在逻辑单元上设置图像传感器芯片120的屏蔽层，以阻挡外部源电磁波读取图像传感器芯片120。

根据本发明构思的示例性实施例，图像传感器芯片120可以是cmos图像传感器芯片，由包括aps的互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管、逻辑单元和屏蔽层组成。然而，应理解，这仅仅是说明性的。图像传感器芯片120可以是ccd图像传感器芯片，其包括电荷耦合器件(ccd)，ccd具有比cmos图像传感器芯片更大的数据存储容量和更高的功耗。

可以在基板110和图像传感器芯片120之间设置模塑层130。

模塑层130可以具有彼此相对的第一(例如上)表面和第二(例如下)表面。模塑层130的第一表面可以与图像传感器芯片120耦接。模塑层130的第二表面可以面向基板110。

模塑层130可以包括热片131、存储器芯片132和模塑部分133。应理解，本发明构思不限于此。例如，可以将附加的元件或层添加到模塑层130，或者可以省略列出的元件或层中的一些。

可以将包括在模塑层130中的存储器芯片132实现为易失性存储器，例如动态ram(dram)。然而，应理解，这仅仅是说明性的。可以将存储器芯片132实现为随机存取存储器(ram)、静态ram(sram)、静态随机存取存储器(sram)、同步dram(sdram)、晶闸管ram(t-ram)、零电容ram(z-ram)或双晶体管ram(ttram)。

包括在模塑层130中的存储器芯片132可以电连接到图像传感器芯片120。

包括在模塑层130中的热片131可以吸收存储器芯片132中产生的热量，以防止存储器芯片132过热。例如，热片131可以由具有高导热率的金属材料或其合金制成。

模塑部分133可以覆盖和/或围绕存储器芯片132和热片131。例如，模塑部分133可以用于填充存储器芯片132和热片131之间的空间以及外力吸收层140和图像传感器芯片120之间的空间。例如，存储器芯片132和热片131可以设置在模塑部分133中。

模塑部分133可以包括环氧树脂材料。

外力吸收层140可以吸收施加到图像传感器芯片120的后表面的外力。

外力吸收层140可以包括聚酰亚胺层。

外力吸收层140可以设置在模塑层130和粘合剂层150之间。

外力吸收层140可以具有彼此相对的第三(例如上)表面和第四(例如下)表面。外力吸收层140的第三表面可以与模塑层130面向基板110的第二表面耦接。外力吸收层140的第四表面可以与粘合剂层150接触。外力吸收层140的第三表面的面积可以基本上等于模塑层130的第二表面的面积。例如，模塑层130、外力吸收层140和粘合剂层150的侧表面可以是共面的。作为另一示例，外力吸收层140的第三表面的面积和第四表面的面积可以各自基本上等于与第四表面接触的粘合剂层150的第五表面的面积。然而，应理解，这仅仅是说明性的。外力吸收层140的第三表面的面积可以与模塑层130的第二表面的面积不同。

例如，参考图2，外力吸收层140可以具有彼此相对的第三表面d3′和第四表面d4′。外力吸收层140的第三表面d3′的面积可以大于设置在外力吸收层140的第三表面d3′上的模塑层130的第二表面d2的面积。例如，外力吸收层140的第三表面d3′可以与模塑层130的第二表面d2接触。作为另一示例，外力吸收层140的第四表面d4’的面积可以大于模塑层130的第二表面d2的面积。外力吸收层140的第四表面d4′的面积可以大于设置在外力吸收层140的第四表面d4′上的粘合剂层150的第五表面d5的面积。例如，外力吸收层140的第三表面d3′可以大于粘合剂层150的第五表面d5。另外，模塑层130的第二表面d2的面积可以基本上等于粘合剂层150的第五表面d5的面积。例如，外力吸收层140可以超出模塑层130和粘合剂层150的侧表面延伸。

如图2所示，外力吸收层140可以比图像传感器芯片和模塑层130大，可以进一步缓和施加到图像传感器芯片和模塑层130的冲击。

再次参考图1，粘合剂层150可以将基板110与外力吸收层140的第四表面粘合。外力吸收层140的第四表面的面积可以基本上等于与外力吸收层140接触的粘合剂层150的第五表面的面积。然而，应理解，这仅仅是说明性的。外力吸收层140的第四表面的面积可以不同于与外力吸收层140接触的粘合剂层150的第五表面的面积。

例如，参考图3，外力吸收层140可以具有彼此相对的第三表面d3和第四表面d4。外力吸收层140的第三表面d3的面积可以基本上等于设置在外力吸收层140的第三表面d3上的模塑层130的第二表面d2的面积。例如，模塑层130的第二表面d2可以与外力吸收层140的第三表面d3接触。作为另一示例，模塑层130的第二表面d2的面积可以基本上等于外力吸收层140的第四表面d4的面积。外力吸收层140的第四表面d4的面积可以大于设置在外力吸收层140的第四表面d4上的粘合剂层150的第五表面d5的面积。另外，模塑层130的第二表面d2的面积可以大于粘合剂层150的第五表面d5的面积。例如，模塑层130和外力吸收层140可以超出粘合剂层150的边缘延伸，并且模塑层130的侧表面和外力吸收层140的侧表面可以是共面的。

例如，参考图4，外力吸收层140可以具有彼此相对的第三表面d3′和第四表面d4′。外力吸收层140的第三表面d3′的面积可以大于设置在外力吸收层140的第三表面d3′上的模塑层130的第二表面d2的面积。外力吸收层140的第四表面d4′的面积可以大于设置在外力吸收层140的第四表面d4′上的粘合剂层150的第五表面d5′的面积。另外，模塑层130的第二表面d2的面积可以大于粘合剂层150的第五表面d5的面积。例如，外力吸收层140可以超出模塑层130和粘合剂层150的侧表面延伸，并且模塑层130可以超出粘合剂层150的侧表面延伸。

再次参考图1，粘合剂层150可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、硅树脂或其混合物。然而，应理解，这仅仅是说明性的。可以使用各种类型的粘合剂作为粘合剂层150。

根据本发明构思的示例性实施例，外力吸收层140可以具有与粘合剂层150的模量不同的模量(例如弹性模量)。例如，外力吸收层140的第二模量可以小于粘合剂层150的第一模量。

模量可以指代表示应力与所导致的应变的比率的数字。例如，模量可以表示物体或物质在被施加应力时进行弹性变形的阻力。

当外力吸收层140的第二模量小于粘合剂层150的第一模量时，可以减小施加到图像传感器芯片的应力。将参考图5对此进行更详细地描述。

图5是示出根据本发明构思的示例性实施例的外力吸收层的模量的改变对施加到图像传感器芯片的应力的影响的曲线图。

在图5的实验中，使用具有1.3gpa模量的粘合剂层150。在图5的实验示例中，将100n的外力施加到图像传感器封装100(参见例如图1)。

图5的曲线图示出了当外力吸收层140的模量改变时施加到图像传感器芯片120的应力。

在图5的曲线图中，x轴表示外力吸收层140的模量值，y轴表示施加到图像传感器芯片120的应力。

如图5的曲线图中所示，通过附加地设置外力吸收层140，减小了施加到图像传感器芯片120的应力，无论外力吸收层的模量如何。这是因为外力吸收层140可以吸收外力的至少一部分。

当外力吸收层140的模量在1.3gpa至10gpa的范围内(即粘合剂层150的模量)时，可以看出施加到图像传感器芯片120的应力略微减小。

当外力吸收层140的模量小于1.3gpa(即粘合剂层150的模量)时，可以看出，与外力吸收层140的模量范围为1.3gpa至10gpa的情况相比，施加到图像传感器芯片的应力大幅减小。

表1更详细地示出了当外力吸收层140的模量改变时施加到图像传感器芯片120的应力的改变。

[表1]

如果图像传感器封装100包括具有1.3gpa模量的粘合剂层150并且不包括外力吸收层140，则当将100n的外力施加到图像传感器封装100时(参见例如图1)，施加到图像传感器芯片120的应力可以基本上等于348mpa

相反，当外力吸收层140包括在图像传感器封装100中时，从表1可以看出，施加到图像传感器芯片120的应力部分地减小。

例如，当外力吸收层140设置在模塑层130和粘合剂层150之间时，可以看出施加到图像传感器芯片120的应力变为小于348mpa。

另外，从表1可以看出，当外力吸收层140的模量小于1.3gpa(即粘合剂层150的模量)时，施加到图像传感器芯片120的应力大幅减小。

例如，当外力吸收层140的模量变为粘合剂层150的模量的十三分之一时(例如，外力吸收层140的模量变为0.1gpa)，可以看出，与施加到在图像传感器封装100中不包括外力吸收层140的图像传感器芯片120的应力相比，施加到图像传感器芯片120的应力可以减小大约60％。

因此，通过在模塑层130和粘合剂层150之间设置模量小于粘合剂层150的模量的外力吸收层140，可以减小施加到图像传感器芯片120的应力。

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的图像感测模块的平面图。图7是根据本发明构思的示例性实施例的沿图6的线a-a′截取的横截面图。可以将描述集中在与以上参考图1至图5描述的本发明构思的示例性实施例的差异上，并且在省略对各种元件的描述的范围内，可以假设这些元件至少类似于已经描述的对应的元件。

参考图6和图7，图像感测模块1可以包括基板110、图像传感器芯片120、模塑层130、外力吸收层140、粘合剂层150、支撑构件160和透镜170。应理解，本发明构思不限于此。例如，可以在图像感测模块1中包括元件，或者可以省略列出的元件中的一些。

基板110可以包括第一区域210、围绕第一区域210的第二区域220以及围绕第二区域220的第三区域230。例如，第三区域230可以围绕第一区域210和第二区域220。第一区域210和第三区域230可以彼此间隔开，第二区域220可以设置在第一区域210和第三区域230之间。

图像传感器芯片120可以设置在基板110的第一区域210上。支撑构件160可以设置在基板110的第三区域230上。

粘合剂层150可以包括彼此相对的第一表面和第二表面，并且第一表面可以粘合到基板110的第一区域210。

外力吸收层140可以设置在粘合剂层150上并粘合到粘合剂层150的第二表面。

外力吸收层140可以吸收外力或施加到图像传感器芯片120面向外力吸收层140的表面(例如后表面)的外部冲击。

粘合剂层150的第一模量可以与外力吸收层140的第二模量不同。

例如，外力吸收层140的第二模量可以小于粘合剂层150的第一模量。

外力吸收层140可以具有彼此相对的第三表面和第四表面。

基板110的第一区域210的面积可以基本上等于外力吸收层140的第三表面的面积和第四表面的面积中的每一个。

粘合剂层150的第二表面可以粘合到外力吸收层140的第三表面。

模塑层130可以包括热片131、存储器芯片132和模塑部分133。

包括在模塑层130中的存储器芯片132可以电连接到图像传感器芯片120。例如，存储器芯片132可以通过设置在图像传感器120和存储器芯片132之间的焊接球电连接到图像传感器芯片120。

包括在模塑层130中的热片131可以吸收存储器芯片132中产生的热量，以防止存储器芯片132过热。

模塑部分133可以覆盖热片131和存储器芯片132。例如，模塑部分133可以用于填充存储器芯片132和热片131之间的空间以及外力吸收层140和图像传感器芯片120之间的空间。

图像传感器芯片120可以设置在模塑层130上。

根据本发明构思的示例性实施例，图像传感器芯片120可以是cmos图像传感器芯片，包含：包括aps的互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管、逻辑单元和屏蔽层。然而，应理解，这仅仅是说明性的。图像传感器芯片120可以是ccd图像传感器芯片，其包括电荷耦合器件(ccd)，ccd具有比cmos图像传感器芯片更大的数据存储容量和更高的功耗。

透镜170可以与图像传感器芯片120间隔开并设置在图像传感器芯片120上方。

透镜170可以由诸如玻璃的透明材料制成，并且可以使从对象反射的光会聚或发散以形成光学图像。例如，透镜170可以将从对象径向行进的光学信号引导向图像传感器芯片120。

例如，透镜170可以包括至少一个透镜170，该至少一个透镜170设置在形成于支撑构件160的上部的孔中，其会聚外部的光并将光引导到图像传感器芯片120上。可以在图像感测模块1的支撑构件160上设置一个以上的透镜170。

例如，还可以在透镜170和图像传感器芯片120之间设置红外截止滤光器。

红外截止滤光器可以从已经穿过透镜170的光中滤除红外光。

红外截止滤光器可以设置在透镜170和图像传感器芯片120之间，以阻挡来自外部的红外区域的入射光，从而改善图像感测模块1的颜色再现。

支撑构件160可以设置在基板110的第三区域230中上，并且可以支撑透镜170。支撑构件160可以包括用于保持透镜170的各种透镜保持器。

支撑构件160可以支撑透镜170，并且可以容纳图像传感器芯片封装。例如，可以将支撑构件160设置为围绕图像传感器芯片封装。

支撑构件160可以设置在第三区域230中，因此可以与图像传感器芯片120、模塑层130、外力吸收层140和粘合剂层150间隔开。

可以通过使用环氧树脂、醇酸树脂、硅树脂等进行注射成型来形成支撑构件160。

图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的外力吸收层的厚度的改变对施加到图像传感器芯片的应力的影响的曲线图。

在图8的实验示例中，在图像传感器芯片封装中包括具有1.3gpa的模量的粘合剂层150，并且将100n的外力施加到图像感测模块1(参见例如图6和图7)。

在图8的曲线图中，x轴表示外力吸收层140的模量，y轴表示施加到图像传感器芯片120的应力。

参考图8，实线表示当使用具有40μm厚度的外力吸收层140时的实验结果。虚线表示当使用具有20μm厚度的外力吸收层140时的实验结果。点划线表示当使用具有10μm厚度的外力吸收层140时的实验结果。

图8的曲线图示出了当外力吸收层140的模量和厚度处于不同大小时施加到图像传感器芯片120的应力。

从图8中示出的曲线图可以看出，当外力吸收层140的厚度在10μm和40μm之间，并且外力吸收层140的模量大于1.3gpa(即粘合剂层150的模量)时，施加到图像传感器芯片120的应力基本上不变化。

相反，可以看出，随着外力吸收层140的厚度变大并且外力吸收层140的模量小于1.3gpa(即粘合剂层150的模量)，施加到图像传感器芯片120的应力减小。

例如，可以看出，随着外力吸收层140变厚并且模量变小，施加到图像传感器芯片120的应力可以减小。

然而，由于图像传感器封装的尺寸受到限制，所以外力吸收层140的厚度的增加不能超出一定限度。因此，外力吸收层140可以在图像传感器封装的尺寸内具有最大尺寸。

图9是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造图像传感器封装的方法的示例的流程图。图10是示出生产被安装在图像传感器封装上的图像传感器芯片的过程的示意图。为了简洁起见，可以将描述集中在与以上参考图1至图8描述的本发明构思的示例性实施例的差异上，并且在省略对各种元件的描述的范围内，可以假设这些元件至少类似于已经描述的对应的元件。

参考图9，可以形成图像传感器芯片以制造图像传感器封装(步骤s310)。

参考图10，图像传感器芯片312可以形成在由硅材料制成的硅基板311上。相邻的图像传感器芯片312可以通过划线313彼此分离。

可以沿着划线313对形成在硅材料的硅基板311上的图像传感器芯片312进行切割。切割的图像传感器芯片中的每一个可以被包括在一个图像传感器封装中。然而，应理解，这仅仅是说明性的。可以在一个图像传感器封装中包括一个以上的图像传感器芯片312。

根据本发明构思的示例性实施例，图像传感器芯片312可以是cmos图像传感器芯片，包含：包括aps的互补金属氧化物半导体(cmos)晶体管、逻辑单元和屏蔽层。然而，应理解，这仅仅是说明性的。图像传感器芯片312可以是ccd图像传感器芯片，其包括电荷耦合器件(ccd)，ccd具有比cmos图像传感器芯片更大的数据存储容量和更高的功耗。

返回参考图9，在步骤s320中，可以生产包括存储器芯片和热片的模塑层。模塑层可以包括热片、存储器芯片和模塑部分。

可以经由单独的过程形成包括在模塑层中的存储器芯片。可以将包括在模塑层中的存储器芯片实现为易失性存储器，例如动态ram(dram)。然而，应理解，这仅仅是说明性的。可以将存储器芯片实现为随机存取存储器(ram)、静态ram(sram)、静态随机存取存储器(sram)、同步dram(sdram)、晶闸管ram(t-ram)、零电容ram(z-ram)或双晶体管ram(ttram)。

一旦形成了要包括在模塑层中的存储器芯片，就可以用模塑部分覆盖存储器芯片和热片。模塑部分可以包括环氧树脂基材料。

通过步骤s310和s320形成的图像传感器芯片和模塑层可以彼此耦接。例如，图像传感器芯片可以包括彼此相对的第一表面(例如，顶表面或上表面)和第二表面(例如，后表面或下表面)。可以将第一表面设置为面向图像感测模块的透镜，且可以将第二表面与模塑层耦接。

当图像传感器芯片和模塑层耦接在一起时，包括在模塑层中的图像传感器芯片和存储器芯片可以彼此电连接。

在步骤s330中，可以形成外力吸收层。外力吸收层可以吸收施加到图像传感器芯片的后表面的外力，并且可以包括聚酰亚胺层。

在步骤s340中，可以形成粘合剂层。粘合剂层可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、硅树脂或其混合物。然而，应理解，这仅仅是说明性的。可以使用各种类型的粘合剂作为粘合剂层。

可以以各种方式形成粘合剂层。

例如，可以将粘合剂层生产成为薄膜。可以将薄膜型粘合剂层切割成所需的尺寸。可以将薄膜型粘合剂层粘合到外力吸收层的表面。

作为示例，可以将粘合剂层的材料粘贴在外力吸收层的一侧上。粘贴在外力吸收层的表面上的材料可以通过筛分而形成层，由此形成的层可以成为粘合剂层。

形成粘合剂层的方法不限于上述方法，可以通过各种方法形成粘合剂层。

根据本发明构思的示例性实施例，外力吸收层的模量可以具有与粘合剂层的模量不同的值。

例如，外力吸收层的第二模量可以小于粘合剂层的第一模量。当外力吸收层140的第二模量小于粘合剂层的第一模量时，可以减小施加到图像传感器芯片的应力。

执行步骤s310至s340的顺序不限于上述顺序，可以变化步骤s310至s340的顺序。

在步骤s350中，可以将图像传感器芯片、模塑层、外力吸收层和粘合剂层粘合到基板。

基板可以具有形成在其中的电路，使得电路可以电连接到形成在其上的图像传感器芯片和外部设备。例如，基板可以是其中具有电路的有机基板、硅基板、体硅或绝缘体上硅(soi)。

图像传感器芯片可以设置在图像传感器封装的顶部，且模塑层、外力吸收层和粘合剂层可以设置在图像传感器芯片和基板之间。

模塑层的第三表面可以与图像传感器芯片耦接。与模塑层的第三表面相对的第四表面可以与外力吸收层耦接。外力吸收层可以与模塑层的第四表面耦接，并且可以通过粘合剂层粘合到基板。

图11是示出包括图6和图7中示出的图像感测模块在内的图像感测系统的示意性配置的框图。

参考图11，图像感测系统400可以包括图像感测模块410、处理器420、非易失性存储器430和输入/输出设备440。应理解，本发明构思不限于此。例如，可以在图像感测系统400中包括附加的元件，或者可以省略列出的元件中的一些。

图像感测系统400可以是以下中的一种：例如tv、dtv(数字tv)、iptv(互联网协议tv)、pc(个人计算机)、台式计算机、膝上型计算机、计算机工作站、平板pc、视频游戏平台(或视频游戏控制台)、服务器和移动计算设备。可以将移动计算设备实现为以下中的一种：例如移动电话、智能电话、企业数字助理(eda)、数字照相机、数字摄像机、便携式多媒体播放器(pmp)、个人导航设备或便携式导航设备(pnd)、移动互联网设备(mid)、可穿戴计算机、物联网(iot)设备、万物互联网(ioe)设备和电子书阅读器。

图像感测模块410可以生成数字图像。由图像感测模块410捕捉的图像信号可以通过诸如模数转换器的信号处理电路而被转换为数字数据，然后被发送到处理器420。图像感测模块410可以具有与以上参考例如图6和图7描述的配置基本相同的配置。因此，在省略对各种元件的描述的范围内，可以假设这些元件至少类似于已经描述的对应的元件。

处理器420可以以数字数据的形式对图像执行各种类型的数据处理。

非易失性存储器430可以执行与处理器420的通信，以以数字数据的形式存储图像。例如，非易失性存储器430可以包括但不限于nand闪存、垂直nand(vnand)闪存、nor闪存、电阻随机存取存储器(rram)、相变存储器(pram)、磁阻随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移力矩随机存取存储器(stt-ram)等。

输入/输出设备440可以与其他电子系统交换图像数据。例如，可以将由处理器420处理的图像输出到连接到输入/输出设备440的外部设备，例如外部显示器、打印机等。

根据本发明构思的上述示例性实施例中的至少一个，可以减小施加到图像传感器封装的后表面的外力或冲击。

虽然已经参考本发明构思的示例性实施例描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。