半导体器件与其制作方法与流程

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件与其制作方法。

背景技术：

随着集成电路技术代向更小节点发展，cmos技术后栅工艺中金属栅极的填充遇到非常大的挑战。传统的物理气相沉积技术有其固有的局限性，对于大的高宽比的结构，不能实现对整个图形结构的均匀而有效的填充和覆盖，造成cmos器件的阈值电压的巨大的不均匀性。

在cmos制作中，对于nmos及pmos，需要具有不同功函数的材料作为功函数金属，以实现对vt的控制。通常先生长p型金属，然后对p型金属进行区域选择性腐蚀，再生长n型金属。对于功函数金属的腐蚀过程，需要具有高选择比的刻蚀停止层材料。

刻蚀停止层的材料通常为ta3n5，为高阻材料，但是该材料在栅叠层中易产生寄生电容，影响电性。

因此，现有技术中亟需一种能够降低寄生电容的半导体器件。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现要素：

本申请的主要目的在于提供一种半导体器件与其制作方法，以解决现有技术中的刻蚀停止层导致器件的寄生电容较大的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括：形成第一预备半导体结构，上述预备半导体结构包括nmos区和pmos区，且上述nmos区和pmos区的裸露表面具有凹槽；在上述第一预备半导体结构的裸露表面上设置刻蚀停止层，上述刻蚀停止层包括钽、氮和非钽金属形成的化合物。

进一步地，在设置上述刻蚀停止层之前，上述制作方法还包括：在上述第一预备半导体结构的裸露表面上依次设置高k介质层和扩散阻挡层，上述刻蚀停止层设置在上述扩散阻挡层的远离上述高k介质层的表面上。

进一步地，在设置上述刻蚀停止层后，上述制作方法还包括：在设置有上述刻蚀停止层的第一上述预备半导体结构的裸露表面上设置p型功函数金属材料；去除上述nmos区的凹槽中的p型功函数金属材料，剩余的上述p型函数金属材料形成p型功函数金属层，形成第二预备半导体结构；在上述第二预备半导体结构的裸露表面上设置n型函数金属材料，形成n型功函数金属层。

进一步地，在形成上述n型功函数金属层后，上述制作方法还包括：在各上述凹槽的裸露表面上设置栅极材料，形成栅极，上述栅极至少充满上述凹槽。

进一步地，上述非钽金属包括al、mo、ru与w中的至少一种。

进一步地，采用单原子层沉积法设置上述刻蚀停止层。

根据本申请的另一方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件由任一种上述的制作方法制作而成。

根据本申请的再一方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一预备半导体结构，包括nmos区和pmos区，且上述nmos区和pmos区的表面具有凹槽；刻蚀停止层，位于上述第一预备半导体结构的具有凹槽的表面上，上述刻蚀停止层包括钽、氮和非钽金属形成的化合物。

进一步地，上述半导体器件还包括：高k介质层，位于上述第一预备半导体结构的具有凹槽的表面上；扩散阻挡层，位于上述高k介质层的远离上述第一预备半导体结构的表面上；p型功函数金属，位于上述pmos区内的上述扩散阻挡层的远离上述高k介质层的表面上；n型功函数金属，位于上述nmos区内的上述扩散阻挡层的远离上述高k介质层的表面上，且还位于上述p型功函数金属的远离上述扩散阻挡层的表面上；栅极，位于上述凹槽内且至少充满上述凹槽。

进一步地，上述非钽金属包括al、mo、ru与w中的至少一种。

应用本申请的技术方案，上述的制作方法中，在具有凹槽的裸露表面上设置刻蚀停止层，该刻蚀停止层包括钽、氮和非钽金属形成的化合物，该刻蚀停止层的电阻率相对于现有技术中的ta3n5较低，从而减小了现有技术中的栅叠层中的寄生电容，从而使得器件的电性能较好。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1至图6示出了根据本申请的半导体器件的制作过程中的结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、第一预备半导体结构；11、nmos区；12、pmos区；13、凹槽；14、介质层；20、高k介质层；30、扩散阻挡层；40、刻蚀停止层；50、p型功函数金属层；51、p型功函数金属材料；60、n型功函数金属层；70、栅极；71、栅极材料。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。

正如背景技术所介绍的，现有技术中的刻蚀停止层的材料通常为ta3n5，为高阻材料，该材料在栅叠层中易产生寄生电容，影响器件的电性能。为了解决如上，本申请提出了一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括：

形成图1所示的第一预备半导体结构10，上述预备半导体结构包括nmos区11和pmos区12，且上述nmos区11和pmos区12的裸露表面具有凹槽13，图1示出的第一预备半导体结构10，还包括介质层14，且实际上，第一预备半导体结构10中介质层14下方还具有源区、漏区以及sti区域；

在上述第一预备半导体结构10的裸露表面上设置刻蚀停止层40，如图2所示，上述刻蚀停止层40包括钽、氮和非钽金属形成化合物。

该制作方法中，在具有凹槽13的裸露表面上设置刻蚀停止层40，该刻蚀停止层40包括钽、氮和非钽金属形成的化合物，该刻蚀停止层40的电阻率相对于现有技术中的ta3n5较低，从而减小了现有技术中的栅叠层中的寄生电容，从而使得器件的电性能较好。

上述的钽、氮和非钽金属形成的化合物中的非钽金属可以是现有技术中的任何可行的金属，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的金属与钽和氮形成对应的化合物。

一种具体的实施例中，上述非钽金属包括al、mo、ru与w中的至少一种，这些金属均为常用的金属，取材容易，且容易与钽以及氮形成化合物。一种更为具体的实施例中，上述非钽金属为al，即刻蚀停止层为钽、氮以及al形成的化合物。

上述的化合物中的非钽金属的含量会影响刻蚀停止层的阻挡性能以及电阻率，进而会影响器件的电学性能，本申请的一种实施例中，上述非钽金属在上述包括钽、氮和非钽金属形成的化合物中的原子含量比在10％～30％之间，这样能够进一步保证该半导体器件具有更好的电学性能。

上述刻蚀停止层的厚度对器件的性能具有影响，刻蚀停止层太厚，虽然阻挡的效果较好，但是，器件的寄生电容较大，为了更好地平衡刻蚀停止层的阻挡效果和其导致的寄生电容，本申请的一种具体的实施例中，上述刻蚀停止层的厚度在0.5～2nm之间。

且上述的刻蚀停止层的设置方法可以采用现有技术中的任意可行的方法实施，本领域技术人员可以根据具体的材料以及器件选择合适的方法制备上述的刻蚀停止层。一种具体的实施例中，可以采用单原子层沉积(ald)法沉积上述刻蚀停止层，也可以采用pvd法沉积上述的刻蚀停止层。对于较宽尺寸，低深宽比的凹槽，可以采用pvd法，对于较小尺寸，高深宽比的凹槽，pvd难以保型填充，最好选择ald法沉积，ald法由于其自限制的生长特性，具有超薄膜控制能力、优异的薄膜均匀性及台阶覆盖性能，可以实现保型填充。

在实际的制作过程中，在设置刻蚀停止层40之前，上述的制作方法还包括：在上述第一预备半导体结构10的裸露表面上依次设置高k介质层20和扩散阻挡层30，上述刻蚀停止层40设置在上述扩散阻挡层的远离上述高k介质层的表面上，如图2所示。

上述的高k介质层可以采用现有半导体领域中任何的高k介质材料形成，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料形成本申请的高k介质层，例如，二氧化铪等。具体地，该高k介质层的形成方法可以采用现有技术中任何可行的方法实施，例如pvd、ald等可以根据具体的材料以及前道工艺得到的结构层来选择合适的方法。

同样地，上述扩散阻挡层也可以采用现有技术中任何具有扩散阻挡作用的材料形成，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料形成本申请的扩散阻挡层，例如，tin等，具体地，该扩散阻挡层的形成方法可以采用现有技术中任何可行的方法实施，例如pvd、ald等，可以根据具体的材料以及前道工艺得到的结构层来选择合适的方法。

为了调节pmos区12中的栅极功函数，本申请的一种具体的实施例中，在设置上述刻蚀停止层40后，上述制作方法还包括：在设置有上述刻蚀停止层40的第一上述预备半导体结构的裸露表面上设置p型功函数金属材料51，形成图2所示的结构，该p型功函数金属可以为现有技术中任何可行的p型的功函数金属材料，例如tin；

去除上述nmos区的凹槽13中的p型功函数金属材料51，剩余的上述p型函数金属材料形成p型功函数金属层50，形成第二预备半导体结构，如图3所示，具体的去除过程可以为湿法刻蚀，也可以为干法刻蚀，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的方法去除多余的p型功函数金属材料51；

在上述第二预备半导体结构的裸露表面上设置n型函数金属材料，形成n型功函数金属层，如图4所示，n型功函数金属材料可以为现有技术中任何可用的用于调节nmos区域中的栅极功函数的材料，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料形成上述的n型功函数金属层。

在实际的制作过程中，可以采用现有技术中任何可行的方法将p型函数金属材料和n型函数金属材料设置在之前设置的半导体结构上，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的方法设置上述的p型函数金属材料和n型函数金属材料。

上述的制作方法中，在形成上述n型功函数金属层60后，上述制作方法还包括：各上述凹槽13的裸露表面上设置栅极材料71，形成栅极70，上述栅极70至少充满上述凹槽13，如图6所示,。具体地，该过程可以包括两个步骤，第一个步骤，先在裸露的表面上设置栅极材料71，形成图5所示的结构，第二个步骤，采用化学机械研磨法去除凹槽13两侧多余的栅极材料71以及其他的材料，包括多余的p型功函数金属材料51、n型功函数金属材料、刻蚀停止层40的材料、扩散阻挡层30的材料以及高k介质层20的材料，形成图6所示的结构。

上述的在凹槽中设置栅极材料的方法可以为现有技术中的任意一种可行的方法，为了进一步保证形成质量较好，形貌较好的栅极，本申请的一种实施例中，采用ald法在凹槽中沉积栅极材料。

本申请的另一种典型的实施方式，提供了一种半导体器件，该半导体器件采用上述的任一种方法形成。

该半导体器件由于采用上述的制作方法形成，使得该器件中的刻蚀停止层40包括钽、氮和非钽金属形成的化合物，进而使得该器件的栅叠层中的寄生电容较小，器件的电性能较好。

本申请的再一种典型的实施方式，提供了一种半导体器件，如图6所示，该器件包括第一预备半导体结构10和刻蚀停止层40，第一预备半导体结构10包括nmos区11和pmos区12，且上述nmos区11和pmos区12的表面具有凹槽13；刻蚀停止层40位于上述第一预备半导体结构10的具有凹槽13的表面上，上述刻蚀停止层40包括钽、氮和非钽金属形成的化合物。

上述的器件中的刻蚀停止层包括钽、氮和非钽金属形成的化合物，该刻蚀停止层的电阻率相对于现有技术中的ta3n5较低，从而减小了现有技术中的栅叠层中的寄生电容，从而使得器件的电性能较好。

更为具体的一种实施例中，上述半导体器件还包括高k介质层20、扩散阻挡层30、p型功函数金属、n型功函数金属以及栅极70，如图6所示，其中，高k介质层20位于上述第一预备半导体结构10的具有凹槽13的表面上；扩散阻挡层30位于上述高k介质层20的远离上述第一预备半导体结构10的表面上；p型功函数金属位于上述pmos区12内的上述扩散阻挡层30的远离上述高k介质层20的表面上；n型功函数金属位于上述nmos区11内的上述扩散阻挡层30的远离上述高k介质层20的表面上，且还位于上述p型功函数金属的远离上述扩散阻挡层30的表面上；栅极70位于上述凹槽13内且至少充满上述凹槽13。各结构层的材料的选择可以参考上文的记载，此处就不再赘述了。

一种具体的实施例中，上述非钽金属包括al、mo、ru与w中的至少一种，这些金属均为常用的金属，取材容易，且容易与钽以及氮形成化合物。一种更为具体的实施例中，上述非钽金属为al，即刻蚀停止层为钽、氮以及al形成的化合物。

当然，本申请的非钽金属并不限于上述的几种金属，还可以为其他可行的金属，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的金属作为非钽金属，进而形成化合物。

上述的化合物中的非钽金属的含量会影响刻蚀停止层的阻挡性能以及电阻率，进而会影响器件的电学性能，本申请的一种实施例中，上述非钽金属在上述包括钽、氮和非钽金属形成的化合物中的原子含量比例在10％～30％之间，这样能够进一步保证该半导体器件具有更好的电学性能。

上述刻蚀停止层的厚度对器件的性能具有影响，刻蚀停止层太厚，虽然阻挡的效果较好，但是，器件的寄生电容较大，为了更好地平衡刻蚀停止层的阻挡效果和其导致的寄生电容，本申请的一种具体的实施例中，上述刻蚀停止层的厚度在0.5～2nm之间。

从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

1)、本申请的制作方法中，在具有凹槽的裸露表面上设置刻蚀停止层，该刻蚀停止层包括钽、氮和非钽金属形成的化合物，该刻蚀停止层的电阻率相对于现有技术中的ta3n5较低，从而减小了现有技术中的栅叠层中的寄生电容，从而使得器件的电性能较好。

2)、本申请的半导体器件由于采用上述的制作方法形成，使得该器件中的刻蚀停止层包括钽、氮和非钽金属形成的化合物，进而使得该器件的栅叠层中的寄生电容较小，器件的电性能较好。

3)、本申请的器件中的刻蚀停止层包括钽、氮和非钽金属形成的化合物，该刻蚀停止层的电阻率相对于现有技术中的ta3n5较低，从而减小了现有技术中的栅叠层中的寄生电容，从而使得器件的电性能较好。

以上上述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。