一种像素结构的制作方法

本实用新型涉及了显示技术领域，特别是涉及了一种像素结构。

背景技术：

在像素结构中的薄膜晶体管中，栅极与漏极之间会形成寄生电容，影响像素电压的跳变，是影响显示质量的重要因素，其中寄生电容的大小与薄膜晶体管中栅极与漏极的重叠面积成正相关，但是由于薄膜晶体管的栅极和漏极布置在不同层中，需要在不同的制程中依次制作，这样就使得栅极与漏极的重叠面积不可精确控制，容易出现偏差时，使得寄生电容的大小难以精确控制，存在差异的问题。现有为了降低寄生电容的差异影响，有在像素结构中采用补偿电容的方案，但是现有的设置补充电容的方案工艺复杂，良品率低。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是能够有效解决现有的像素结构中由于制作误差导致寄生电容不相等，引起显示异常的问题，同时降低工艺难度，提高产品良率和质量。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种像素结构，包括数据线、栅极线、像素电极、与所述栅极线电性连接的栅极层、与所述数据线电性连接的源极层和与所述像素电极电性连接的漏极层；所述栅极层包括沿所述栅极线延伸方向排列的第一栅极和第二栅极；所述源极层包括延伸至所述第一栅极上的第一源极和延伸至所述第二栅极上的第二源极；所述漏极层设于所述第一栅极和第二栅极之间，且包括延伸于第一栅极上的第一漏极端、延伸于第二栅极上的第二漏极端和与所述像素电极电性连接的第三漏极端。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第三漏极端通过过孔与所述像素电极电性连接。

作为本实用新型的一种优选方案，还包括设于所述栅极层上的有源层。

作为本实用新型的一种优选方案，所述有源层包括对应于所述第一栅极的第一有源层和对应于所述第二栅极的第二有源层。

作为本实用新型的一种优选方案，所述源极层和栅极层延伸至所述第一漏极端和第二漏极端朝向第三漏极端一侧，且不超过所述第三漏极端朝向所述像素电极一侧。

作为本实用新型的一种优选方案，所述数据线的数量为一个，所述栅极线、像素电极、栅极层、源极层和漏极层的数量均为两个。

作为本实用新型的一种优选方案，所述栅极线与所述数据线交叉布置，所述数据线的两侧分别布置有像素电极、栅极层、源极层和漏极层。

本实用新型具有如下技术效果：本实用新型提供的一种像素结构有效保证第一寄生电容与第二寄生电容的和保持为恒定，不会受到漏极层整体偏移的影响，有效避免工艺偏差造成的像素结构中的寄生电容的差异，引起显示异常的问题,而且，有效保证像素结构中的沟道总长度的恒定，有效避免像素充电能力的差异，有效提高了显示质量，此外，可以有效降低设置过孔的数量，有效降低产品工艺难度，提高产品良品率。

附图说明

图1为本实用新型实施例一提供的一种像素结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的另一种像素结构的结构示意图；

图3为本实用新型实施例二提供的一种像素结构的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型实施方式作进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

除非另外定义，本实用新型使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

实施例一

如图1所示，其表示了本实用新型提供的一种像素结构。该像素结构包括数据线1、栅极线2、像素电极3、与所述栅极线2电性连接的栅极层4、与所述数据线1电性连接的源极层5和与所述像素电极3电性连接的漏极层6；所述栅极层包括沿所述栅极线延伸方向排列的第一栅极41和第二栅极42；所述源极层5包括延伸至所述第一栅极41上的第一源极51和延伸至所述第二栅极42上的第二源极52；所述漏极层6设于所述第一栅极41和第二栅极42之间，且包括延伸于第一栅极41上的第一漏极端61、延伸于第二栅极42上的第二漏极端62和与所述像素电极电性连接的第三漏极端63。这样，第一栅极41与第一漏极端61之间会形成第一寄生电容Cgs1，第二栅极42与第二漏极端62之间会形成第二寄生电容Cgs2，由于漏极层6设置第一栅极41和第二栅极42之间，即第一漏极端61向所述第一栅极41的延伸方向与第二漏极端62向所述第二栅极42的延伸方向相反，且第一漏极端61与第一栅极41的单位重叠面积与第二漏极端62与第二栅极42的单位重叠面积相等，从而在出现漏极层6的整体偏移时，当第一寄生电容Cgs1因第一栅极41和第一漏极端61的重叠面积增加而增加时，第二栅极42与第二漏极端62的重叠面积会相应减少相等的量，从而第二寄生电容Cgs2会对应减少，有效保证第一寄生电容Cgs1与第二寄生电容Cgs2的和保持为恒定，不会受到漏极层6整体偏移的影响，有效避免工艺偏差造成的像素结构中的寄生电容的差异，引起显示异常的问题。而且，在本实施例中，当出现漏极层6的整体偏移时，第一漏极端61与第一源极51之间形成的沟道长度的增加时，第二漏极端62与第二源极52之间形成的沟道长度会相应减少，从而有效保证像素结构中的沟道总长度的恒定，有效避免像素充电能力的差异，有效提高了显示质量。

具体地，在本实施例中，还包括设于所述栅极层4上的有源层7，所述有源层7包括对应于所述第一栅极41的第一有源层71和对应于所述第二栅极42的第二有源层72，所述源极层5和漏极层6均延伸至所述有源层7上。具体地，所述栅极层4上还设有栅绝缘层（图中未显示）。所述第三漏极端63通过过孔与所述像素电极电性连接，由于本实施例提供的像素结构中仅通过第三漏极端63与像素电极电性连接，因此可以有效降低设置过孔的数量，使得对应于一个像素电极3可以仅设置一个过孔实现电性连接，考虑到过孔的设置工艺要求高，对产品的良品率影响大，有效减少了过孔数量能够有效降低产品工艺难度，提高产品良品率。进一步地，如图2所示，所述源极层5和栅极层4可以仅延伸至所述第一漏极端61和第二漏极端62朝向第三漏极端63一侧。

实施例二

本实施例与前一实施例原理相同，结构类似，其区别仅在于，本实施例提供的像素结构中所述数据线1的数量为一个，所述栅极线2、像素电极3、栅极层4、源极层5和漏极层6的数量均为两个。所述栅极线与所述数据线交叉布置，所述数据线的两侧分别布置有像素电极、栅极层、源极层5和漏极层6。这样，一方面有效降低了使得同一条数据线1可以同时用于驱动两个像素电极3，使得数据线1的数量可以有效降低，考虑到数据线驱动IC的成本高，这样能够有效降低驱动成本；另一方面由于数据线1两侧的寄生电容能够有效保持恒定，从而在生产过程中不会出现因漏极层6的整体偏差导致数据线1两个寄生电容不相等的问题，有效保证了显示质量。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。