一种同轴衰减器的制作方法

本实用新型属于衰减器技术领域，具体涉及一种同轴衰减器。

背景技术：

同轴衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件，元件内部含有电阻性材料。是为使输出端口提供的功率小于输入端口的入射功率而设计的双端口器件，被广泛地应用于射频/微波领域，如对射频信号进行衰减，以防止信号失真。但现在市面上的同轴衰减器普遍存在加工工艺复杂且性能不够优化的问题，本实用新型的目的在于通过对同轴衰减器内部零件插孔和中心导体的改进解决这些问题。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种同轴衰减器，解决了现有技术信号传输不连续、易产生谐振点以及加工工艺复杂的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案：一种同轴衰减器，其特征在于：包括散热器、外壳镶件、第一衰减单元、第二衰减单元、SMA中桥、插孔组合件、插针组合件、螺套、塑胶圈、基座以及内六角紧定螺钉，所述第一衰减单元和第二衰减单元分别设置在SMA中桥的两端，第一衰减单元的另一端设置了插针组合件，第二衰减单元的另一端设置插孔组合件，所述基座套装在插孔组合件和插针组合件的外部，外壳镶件设于基座上，在同轴衰减器设有插针组合件的端部连接有螺套，在所述螺套与基座之间的凹槽内设有塑胶圈，最外侧套设有散热器，且所述散热器通过内六角紧定螺钉固定在基座上，所述第一衰减单元的外径为6.2mm，高度为8.4mm，所述第二衰减单元的外径为6.2mm，高度为5.4mm，所述SMA中桥的外径为6.2mm，高度为6.8mm，所述同轴衰减器的总长度为88mm，所述散热器的外径为25mm，长度为49.5mm。

其中一个实施例中，所述同轴衰减器的频率范围为0-6GHz，衰减量为1-50dB，驻波比小于或等于1.2，平均承受功率为15W，阻抗为50hms。

其中一个实施例中，所述第一衰减单元为583衰减单元，所述第二衰减单元为535衰减单元，可承受功率范围为1-12W。

本实用新型的有益效果：本实用新型公开的一种同轴衰减器，频率范围为0-6GHz，衰减量为1-50dB，驻波比小于或等于1.2，平均承受功率为15W，阻抗为50hms。相比市面上流通的同轴衰减器，该同轴衰减器不仅加工方便而且在保证上述技术指标的同时，体积更小巧，驻波曲线和频响特性曲线也更趋于优化。

附图说明

图1为本实施例中一种同轴衰减器的截面结构示意图；

图2为本实施例中一种同轴衰减器的外部构造示意图。

图中附图标记，1-螺套；2-塑胶圈；3-外壳镶件；4-插针组合件；5-基座；6-散热器；7-第一衰减单元；8-第二衰减单元；9-内六角紧定螺钉；10-SMA中桥；11-插孔组合件。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

一种同轴衰减器，如图1-图2所示，包括散热器6、外壳镶件3、第一衰减单元7、第二衰减单元8、SMA中桥10、插孔组合件11、插针组合件4、螺套1、塑胶圈2、基座5以及内六角紧定螺钉9，所述第一衰减单元7和第二衰减单元8分别设置在SMA中桥10的两端，第一衰减单元7的另一端设置了插针组合件4，第二衰减单元8的另一端设置插孔组合件11，所述基座5套装在插孔组合件11和插针组合件4的外部，外壳镶件3设于基座上，在同轴衰减器设有插针组合件4的端部连接有螺套1，在所述螺套1与基座5之间的凹槽内设有塑胶圈2，最外侧套设有散热器6，且所述散热器6通过内六角紧定螺钉9固定在基座5上，所述第一衰减单元7的外径为6.2mm，高度为8.4mm，所述第二衰减单元8的外径为6.2mm，高度为5.4mm，所述SMA中桥10的外径为6.2mm，高度为6.8mm，所述同轴衰减器的总长度为88mm，所述散热器6的外径为25mm，长度为49.5mm。进一步的，所述同轴衰减器的频率范围为0-6GHz，衰减量为1-50dB，驻波比小于或等于1.2，优选的，所述第一衰减单元7为583衰减单元，所述第二衰减单元8为535衰减单元，两个衰减单元的可承受功率范围为1-12W，所述同轴衰减器的平均承受功率为15W，阻抗为50hms。

本实用新型的有益效果：本实用新型公开的一种同轴衰减器，频率范围为0-6GHz，衰减量为1-50dB，驻波比小于或等于1.2，平均承受功率为15W，阻抗为50hms。相比市面上流通的同轴衰减器，该同轴衰减器不仅加工方便而且在保证上述技术指标的同时，体积更小巧，驻波曲线和频响特性曲线也更趋于优化。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。