SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构的制作方法

本实用新型涉及封装的技术领域，具体涉及SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构产品，包括6排、8排、12排等多排结构。

背景技术：

现有的SOT-89/223-2L产品，包括塑封体、散热片、左引线脚、右引线脚、中间引线脚，中间引线脚与左右引线脚长度一致，通过切筋时切断中间脚，余留0.5-1.0mm长度的中间脚，余留中间脚与左右脚的距离较小，器件在工作时因≥1500V电压产生打火或短路现象，从而发生早期电路失效。

技术实现要素：

为了解决以上技术问题，本实用新型提供SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构，包括塑封体，塑封体内设引线框架，塑封体一侧引出散热片，塑封体另一侧引出左引线脚、右引线脚和中间引线脚；所述中间引线脚为内埋式。

本实用新型塑封模具同时兼容SOT-89/223-3L产品，减少了塑封模具及设备的投入。SOT-89/223-2L产品中脚处无露铜点，脚距扩大为两倍，器件在工作时≥1500V电压无打火或短路现象，从而提高了器件的可靠性。

本实用新型改变了传统的三脚切断实现两脚封装的方式，实现两脚封装结构，且中脚不外露，增加了左右两脚之间的绝缘距离，拓宽了器件的应用范围。

附图说明

图1是本实用新型的引线框架结构示意图。

图2是SOT-89/223-3L内部结构图。

图3是打胶去除工艺中脚原理图。

图4是SOT-89/223-3L产品结构图。

图5是SOT-89/223-2L中脚外露的产品结构图。

图6是SOT-89/223-2L无中脚的产品结构图。

图中，1. 塑封体，2. 散热片，3. 左引线脚，4. 右引线脚，5. 中间引线脚，6. 焊锡，7. 芯片，8. 铜线，9. 凸模刀件，10. 凹模刀件，11.引线框架。

具体实施方式

本实用新型提供了SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构的实现方法，通过特殊的框架结构设计，在塑封时塑封模具可以兼容SOT-89/223-3L和SOT-89/223-2L两种结构的产品，塑封后SOT-89/223-2L产品的中间引线脚完全包封在塑封体内，在打胶时通过模具切除框架上起塑封封堵作用的中间引线脚，SOT-89/223-2L产品中间引线脚处留下0.1mm长度的模塑料，将器件的引线脚距扩大为两倍，提高了器件的可靠性。

如图1所示，SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构，包括塑封体1，塑封体1内设引线框架11，塑封体1一侧引出散热片2，塑封体1另一侧引出左引线脚3、右引线脚4和中间引线脚5。中间引线脚5在左引线脚3和右引线脚4的中间，中间引线脚5可切断。

SOT-89/223-2L引线框架及两脚结构的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：如图2所示，将芯片7焊接到引线框架上：设置粘片机温度为350-380℃。氢氮气按比例混合，氢气比例为10-25%，余下为氮气。高温焊锡丝Pb92.5Sn5Ag2.5。当引线框架11传送到点锡位置时，在氢氮气保护的状态下，通过写锡的方式在芯片装载区域划上厚度为20-60um的正方形焊锡6，将芯片7吸装到引线框架11的焊接区域，并冷却到室温。

步骤2：将芯片7的电极通过铜线8连接到引线框架11的对应左引线脚3和右引线脚4上：设置球焊机焊接区导轨温度200-250℃。将氢氮按比例混合，氢气比例为5-10%，余下为氮气。装有芯片7的引线框架11传送到焊接区域，在氢氮气保护的状态下，铜线8烧球后焊接在芯片7表面电极上，超声方式将铜线8的另一端焊接在引线框架11的对应左引线脚3和右引线脚4上。

步骤3：将焊锡完成的引线框架11用模塑料包封起来：设置排片机温度170-185℃，模具温度165-175℃。然后将包封后的引线框架11排到排片机上预热，再将预热后的引线框架11通过上料架放到塑封模具上，放入模塑料，合模注塑并完成固化后取出产品。

步骤4：将塑封后的流道从引线框架11上去除：将塑封后的引线框架11放入去流道机内，去除模塑料的流道，形成产品。

步骤5：后固化：将去除流道后的产品放入温度为175±5℃的烘箱内进行固化，时间12小时。

步骤6：将后固化的产品放入打胶机去除残留浇口，并去除中间引线脚；打胶模具中间引线脚处凹模刀件支撑产品部分，凸模刀件设计成渐进式斜面刀口，先将中间引线脚靠近塑封体部分沿框架断口推离产品塑封体分型面，然后从引线框架11的外边框处切断中间引线脚5，并对切断处打胶。

步骤7：打胶完成的产品进行电镀、切筋、测试、包装。