一种用于承载衬底基片的石墨基座的制作方法

本实用新型实施例涉及LED芯片制造技术领域，具体涉及一种用于承载衬底基片的石墨基座。

背景技术：

在LED芯片制造过程中，石墨基座承载衬底基片经MOCVD工艺实现在衬底基片上生长出特定单晶薄膜，即外延片。外延片生长技术处于LED产业链中的上游环节，是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。在MOCVD工艺过程中，为了达到外延片均匀的的要求，需要石墨基座按预设的转速转动。石墨基座设置在的石墨支撑环上并同体旋转，石墨支撑环通过连接件和传动件与驱动装置连接。

现有的石墨基座设有若干长方形卡头，石墨支撑环上设有若干卡口，石墨基座和石墨支撑环通过长方形卡头插入卡口的配合进行连接和同体旋转，由于在高温恶劣的环境中旋转，常存在石墨基座的长方形卡头破损甚至断裂无法使用，造成旋转不稳定和使用寿命短的问题，从而导致外延片的不均匀和加工成本的提高。

技术实现要素：

为此，本实用新型实施例提供一种用于承载衬底基片的石墨基座，以解决现有的石墨基座的长方形卡头由于耐高温性能差和强度低而导致的石墨基座旋转不稳定和使用寿命短的问题。

为了实现上述目的，本实用新型的实施方式提供如下技术方案：一种用于承载衬底基片的石墨基座，所述用于承载衬底基片的石墨基座的底部设有用于正好伸入石墨支撑环的顶沿内的环形接驳部，环形接驳部与所述石墨基座一体形成，环形接驳部上设有多个梯形卡头，梯形卡头伸入石墨支撑环的顶沿上的与梯形卡头相适配的卡口内。

作为优选的，所述多个梯形卡头间隔均匀地设置在环形接驳部上。

作为优选的，所述环形接驳部设有三个梯形卡头。

作为优选的，所述梯形卡头为等腰梯形状。

作为优选的，所述梯形卡头的上底边长16-25mm，所述梯形卡头的下底边长8-14mm。

根据本实用新型的实施方式，一种用于承载衬底基片的石墨基座具有如下优点：由于梯形卡头的上底边与石墨基座的连接面积增大，卡头侧面为斜面应力小，实现了增强梯形卡头的强度的效果，在高温恶劣的环境中旋转不易破损或断裂，达到了旋转稳定，使用寿命长的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。

本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

图1为本实用新型的一实施例提供的一种用于承载衬底基片的石墨基座的仰视立体结构示意图；

图2为本实用新型的一实施例提供的一种用于承载衬底基片的石墨基座的底部正视结构示意图；

图3为本实用新型的一实施例提供的一种用于承载衬底基片的石墨基座的侧视结构示意图；

图中：1-环形接驳部；11-梯形卡头。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

实施例1

如图1至图3所示，为本实施方式提供的一种用于承载衬底基片的石墨基座，所述用于承载衬底基片的石墨基座的底部设有用于正好伸入石墨支撑环的顶沿内的环形接驳部1，环形接驳部1与所述石墨基座一体形成，环形接驳部1起到防止石墨基座在转动时与石墨支撑环脱落，环形接驳部1上设有多个间隔均匀的梯形卡头11，梯形卡头11伸入石墨支撑环的顶沿上的与梯形卡头11相适配的卡口内。

优选的，为了使安装方便和旋转性能更稳定，所述环形接驳部1设有三个梯形卡头11。

优选的，所述梯形卡头11为等腰梯形状，等腰梯形状具有更高强度的效果。

优选的，所述梯形卡头11的上底边长16-25mm，所述梯形卡头11的下底边长8-14mm。

优选的，所述用于承载衬底基片的石墨基座的表面设有碳化硅涂层，碳化硅涂层起到使石墨基座的表面紧致、无空隙、耐高温、抗溶蚀和抗氧化的作用。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述，但在本实用新型基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本实用新型要求保护的范围。