基板处理系统的制作方法

(关联申请的相互参照)

本申请基于2017年2月24日在日本国提出申请的特愿2017-32961号和2017年12月27日在日本国提出申请的特愿2017-251489号主张优先权，将其内容引用于此。

本发明涉及一种基板处理系统，该基板处理系统具备对基板进行处理的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域。

背景技术：

在例如半导体器件的制造工艺的光刻工序中，依次进行如下处理等：向例如作为基板的半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)表面上供给涂敷液而形成防反射膜、抗蚀剂膜的涂敷处理；将抗蚀剂膜曝光成预定的图案的曝光处理；使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理；加热晶圆的热处理，在晶圆上形成预定的抗蚀剂图案。然后，以抗蚀剂图案为掩模进行蚀刻处理，之后进行抗蚀剂膜的去除处理等，而在晶圆上形成预定的图案。这一系列的处理利用作为搭载有处理晶圆的各种处理装置、输送晶圆的输送机构等的基板处理系统的涂敷显影处理系统来进行。

另外，在涂敷显影处理系统中，例如，为了使输送区域内的气氛保持清洁，使设置有输送机构的输送区域密闭，并且，在输送区域的顶面设置有供给清洁的空气的下降气流的ulpa(超低穿透率空气，ultralowpenetrationair)过滤器(专利文献1)。通过设置ulpa过滤器，能够使输送区域内的浮游微粒向系统的下方流下，利用排气机构排出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国2012-154688号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

不过，针对装置内的微粒的控制，认为：随着半导体器件的制造工艺的微细化，要管理的微粒今后也变得越来越严格。因而，对于如专利文献1那样仅针对输送区域设置ulpa过滤器作为防止浮游微粒向基板附着的对策，认为此对策作为装置内的微粒的控制并不充分。例如，即使设置有ulpa过滤器，也存在如下情况：由于晶圆输送装置的动作等而气流的流动被阻断、变更，产生与晶圆输送装置未动作的静止状态不同的内部气流，从而一度朝向下方的浮游微粒再次向上方流动。在该情况下，具有也存在长时间未被从输送区域排出的微粒的可能性，预想到：根据制造工艺，也需要这样的微粒的管理。

本发明是鉴于这点而做成的，目的在于在基板处理系统中更可靠地防止浮游微粒向基板附着，该基板处理系统具备用于处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域。

用于解决问题的方案

为了达成所述目的，本发明的一形态是一种基板处理系统，该基板处理系统具备用于处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域，该基板处理系统的特征在于，在所述基板输送区域具备辐射声波的声波辐射装置。

根据本发明，辐射声波的声波辐射装置设置于所述基板输送区域，因此，能够使浮游微粒向排气机构的方向移动，因此，能够更可靠地防止浮游微粒向基板附着。

发明的效果

根据本发明，在如下基板处理系统中能够更可靠地防止浮游微粒向基板附着：具备用于处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送基板的基板输送区域。

附图说明

图1是表示第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的俯视图。

图2是表示第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的主视图。

图3是表示第1实施方式的基板处理系统的的结构的概略的后视图。

图4是表示第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的纵剖侧视图。

图5是表示第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的纵剖主视图。

图6是表示声波辐射装置的一个例子的俯视图。

图7是表示声波辐射装置的另一个例子的侧视图。

图8是表示本发明的第1实施方式的基板处理系统的另一个例子的概略的说明图。

图9是本发明的第1实施方式的基板处理系统的又一个例子的说明图。

图10是用于说明本发明的第2实施方式的基板处理系统的概略的图。

图11是表示冷却板的另一个例子的图。

图12是用于说明本发明的第3实施方式的基板处理系统的概略的图。

图13是设置到架单元的收纳块的内部的俯视图。

具体实施方式

(第1实施方式)

以下，对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的第1实施方式的基板处理系统的结构的概略的说明图。图2和图3是分别示意性地表示各基板处理系统的内部结构的概略的、主视图和后视图。图4和图5是分别示意性地表示基板处理系统的内部结构的概略的、纵剖侧视图和纵剖主视图。此外，在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能结构的要素，通过标注相同的附图标记，省略重复说明。

基板处理系统1具有如下各站连接成一体而成的结构：盒站10，如图1所示那样收容有多张晶圆w的盒c相对于该盒站10输入输出；处理站11，其具备对晶圆w实施预定的处理的多个各种处理装置；以及转接站13，其在与处理站11相邻的曝光装置12之间进行晶圆w的交接。

在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个在相对于基板处理系统1的外部输入输出盒c之际载置盒c的盒载置板21。

在盒站10中，在盒载置台20与处理站11之间设置有晶圆输送区域l。在晶圆输送区域l中如图1所示那样设置有在沿着x方向延伸的输送路径22上移动自如的晶圆输送装置23。晶圆输送装置23也沿着上下方向和绕铅垂轴线(θ方向)移动自如，能够在各盒载置板21上的盒c与随后论述的处理站11的第3块g3的交接装置之间输送晶圆w。

在处理站11中设置有具备各种装置的多个、例如第1块～第4块g1、g2、g3、g4。在例如处理站11的正面侧(图1的x方向负方向侧)设置有第1块g1，在处理站11的背面侧(图1的x方向正方向侧)设置有第2块g2。另外，在处理站11的盒站10侧(图1的y方向负方向侧)设置有第3块g3，在处理站11的转接站13侧(图1的y方向正方向侧)设置有第4块g4。

在例如第1块g1中，如图2所示那样多个液处理装置、例如对晶圆w进行显影处理的显影处理装置30、在晶圆w的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、向晶圆w涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置32、以及在晶圆w的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33从下起按照该顺序配置。

例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33分别沿着水平方向排列配置有4个。此外，这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量、配置能够任意地选择。

在这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33中，在例如晶圆w上进行涂敷预定的涂敷液的旋涂。在旋涂中，例如从涂敷喷嘴向晶圆w上喷出涂敷液，并且，使晶圆w旋转而使涂敷液在晶圆w的表面扩散。

在例如第2块g2中，如图3所示那样沿着上下方向等排列设置有进行晶圆w的加热、冷却这样的热处理的热处理装置40、用于使抗蚀剂液与晶圆w之间的固定性提高的粘附装置41、以及对晶圆w的外周部进行曝光的周边曝光装置42。对于这些热处理装置40、粘附装置41、周边曝光装置42的数量、配置，也能够任意地选择。

在例如第3块g3设置有多个交接装置等层叠而成的架单元。另外，在第4块g4也设置有多个交接装置等层叠而成的架单元。

在如图1所示那样由第1块g1～第4块g4围成的区域形成有晶圆输送区域r。

另外，如图1所示那样在第3块g3的x方向正方向侧的旁边设置有晶圆输送装置100。晶圆输送装置100具有沿着例如x方向、θ方向以及上下方向移动自如的输送臂100a。晶圆输送装置100能够在利用输送臂100a支承着晶圆w的状态下上下移动而向第3块g3内的各交接装置输送晶圆w。

在转接站13设置有晶圆输送装置110和交接装置111。晶圆输送装置110具有沿着例如y方向、θ方向以及上下方向移动自如的输送臂110a。晶圆输送装置110能够将晶圆w支承于例如输送臂110a而在与第4块g4内的各交接装置、交接装置111以及曝光装置12之间输送晶圆w。

进一步说明晶圆输送区域r。如图4所示，晶圆输送区域r是4个输送区域r1～r4从下起按照顺序层叠而构成的，输送区域r1～r4分别以在从第3块g3侧朝向第4块g4侧的方向(图4的y方向正方向)上延伸的方式形成。如图5所示，在输送区域r1～r4的宽度方向的一方配置有抗蚀剂涂敷装置32等液处理装置，在另一方配置有例如热处理装置40。也存在配置粘附装置41、周边曝光装置42来替代热处理装置40的情况。

另外，在输送区域r1～r4中分别设置有沿着该输送区域r1～r4的长度方向(图5的y方向)延伸的引导件301和作为沿着该引导件301输送晶圆w的输送装置的输送臂a1～a4。输送臂a1～a4用于在各输送区域r1～r4中在与该区域r1～r4相邻的全部的模块间进行晶圆w的交接。该输送臂a1～a4(以下，有时统称为输送臂a)具有：框架302，其沿着引导件301移动；升降体303，其沿着该框架302升降；转动体304，其在该升降体303上转动；以及晶圆支承部305，其在该转动体304上进退。

抗蚀剂涂敷装置32等液处理装置为了利用旋涂形成涂敷膜而具有：旋转卡盘201，其保持晶圆w而使该晶圆w旋转；以及未图示的涂敷液供给喷嘴，其供给涂敷液。另外，上述液处理装置具有：杯202，其包围晶圆w，用于对从晶圆w飞散的涂敷液进行回收；以及过滤器203，其设置于该杯202的上方，用于向杯202内供给清洁的空气。

热处理装置40具有：热板401，其用于加热晶圆w；板402，其用于在该热板401与输送臂a1～a4之间交接晶圆w，并且冷却晶圆w；整流板403，其设置到热板401的上方；以及排气部404、405，其对输送区域r1～r4和热处理装置40内进行排气。在从上起第2个、第4个、第6个、第8个热处理装置40的下方设置有对输送区域r1～r4进行排气的风扇装置406。

进一步说明处理站11。处理站11具备壳体51，在该壳体51内收纳有上述的各装置，壳体51内被按照各输送区域r1～r4分隔开。在壳体51上设置有风机过滤单元(ffu)52，在该ffu52连接有垂直管道53，该垂直管道53上下延伸，以跨越输送区域r1～r4的方式形成。该垂直管道53与沿着各输送区域r1～r4的长度方向延伸的水平管道54连接。

水平管道54设置于各输送区域r1～r4的、靠抗蚀剂涂敷装置32等液处理装置侧的缘部的上方。另外，水平管道54在内部具有未图示的ulpa过滤器。从上述的风机过滤单元52送风来的空气直接或经由垂直管道53向水平管道54流入，经ulpa过滤器清洁化，从水平管道54向下方供给。

另外，在水平管道54的下方设置有分隔板55。该分隔板55形成各输送区域r1～r4的顶面，在内部具有使从水平管道54供给的空气扩散的气体扩散室(未图示)。而且，在分隔板55的下表面的整个面形成有用于将在气体扩散室扩散开的空气向输送区域r1～r4喷出的许多喷出口。

经过水平管道54的ulpa过滤器且去除了微粒而清洁化后的空气向分隔板55的气体扩散室流入，经由喷出口向下方喷出。这样一来，在各输送区域r1～r4中，形成有由清洁化后的空气构成的下降气流。

处理站11利用由上述的清洁化后的空气构成的下降气流使浮游微粒向下方流下，借助风扇装置406向外部排出。在该处理站11中，为了使各输送区域r1～r4内的气氛进一步清洁化，在输送区域r1～r4内分别设置有声波辐射装置。具体而言，在输送区域r1～r4的与抗蚀剂涂敷装置32等液处理装置的晶圆w的输入输出口k1相邻的区域设置有声波辐射装置60，在输送区域r1～r4的与热处理装置40的晶圆w的输入输出口k2相邻的区域设置有声波辐射装置70。

声波辐射装置60、70设置成，从例如上述输入输出口k1、k2的上方朝向设置有排气用的风扇装置406的输送区域r1～r4的底部发出声波。

能够利用从声波辐射装置60、70向底部方向辐射的声波使在上述的输入输出口附近等存在的浮游微粒向下方移动，借助风扇装置406向外部排出。

另外，通过如上述那样设置上述声波辐射装置60、70，在液处理装置和热处理装置40与输送臂a1～a4之间的晶圆w的交接之际，能够防止微粒从液处理装置和热处理装置40进入输送区域r1～r4，或微粒从输送区域r1～r4进入液处理装置和热处理装置40。

而且，通过设置声波辐射装置60、70，即使在维护时清洁度由于扬尘等恶化，也能够迅速地恢复成本来的清洁度，该扬尘等是由因输送区域r1～r4的开放等而微粒的进入、人的动作导致的。

此外，输入输出口k1、k2构成为基于随后论述的控制部500的控制开闭自如。

在图的例子中，针对热处理装置40的两个输入输出口k2设置有一个声波辐射装置70，但也可以针对两个输入输出口k2分别设置有1个声波辐射装置70。

此外，也可以是，声波辐射装置70设置成，不是朝向输送区域r1～r4的底部侧发出声波，而是朝向设置有排气部404、405的热处理装置40的外侧方发出声波。由此，能够使热处理装置40的输入输出口附近的微粒向外侧方移动，借助排气部404、405向外部排出。

图6是表示声波辐射装置60的一个例子的俯视图。

声波辐射装置60是通过使用超声波来发出具有指向性的声波的参量扬声器，是将发出超声波的多个换能器61排列于平板状的基座62、构成参量阵列而成的。例如，通过以换能器61朝下的方式将基座62固定于输送区域r1～r4的顶部附近，来设置声波辐射装置60。

声波辐射装置60所发出的声波既可以是可听范围的频率，也可以是具有例如20khz以上的频率的超声波。

由于声波辐射装置60由参量扬声器构成，能够使浮游微粒向所期望的方向移动，因此，能够将该浮游微粒可靠地向外部排除而去除。

此外，在图的例子中，排列有纵4个×横8个共计32个换能器61，但换能器61的数量、配置并不限于该例子。

另外，声波辐射装置70的结构与声波辐射装置60同样，因此，省略其说明。

在由以上的各装置构成的基板处理系统1如图1所示那样设置有控制部500。控制部500是例如计算机，具有程序储存部(未图示)。在程序储存部储存有对基板处理系统1中的晶圆w的处理进行控制的程序。另外，在程序储存部也储存有用于对上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作进行控制而使基板处理系统1中的随后论述的涂敷处理实现的程序。此外，所述程序也可以是记录到例如计算机可读取的硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁盘(mo)、存储卡等计算机可读取的存储介质h且从该存储介质安装到控制部500的程序。

接着，说明使用如以上这样构成的基板处理系统1而进行的晶圆处理。首先，将收纳有多个晶圆w的盒c向基板处理系统1的盒站10输入，利用晶圆输送装置23将盒c内的各晶圆w依次向处理站11的第3块g3的交接装置输送。

接着，利用处理站11的输送区域r2的输送臂a2将晶圆w朝向热处理装置40输送。在该输送的同时，使与输送区域r2相邻的第2块g2的热处理装置40的输入输出口k2开口，与其开口动作相应地，从声波辐射装置70朝向输送区域r2的底部辐射声波。优选从输入输出口k2的开口动作开始前开始声波辐射。

在已从声波辐射装置70辐射声波的状态下，使输送臂a2的晶圆支承部305插入热处理装置40内，向该热处理装置40的板402交接晶圆w。交接后，将输送臂a2的晶圆支承部305从热处理装置40内拉出，关闭输入输出口k2，停止来自声波辐射装置70的声波辐射。并且，利用热处理装置40对晶圆w进行温度调节处理。

在温度调节处理后，使热处理装置40的输入输出口k2开口，与其开口动作相应地，从声波辐射装置70辐射声波。在已从声波辐射装置70辐射声波的状态下，使输送臂a2的晶圆支承部305插入热处理装置40内，从该热处理装置40的板402向晶圆支承部305交接晶圆w。交接后，将输送臂a2的晶圆支承部305从热处理装置40内拉出，关闭输入输出口k2，停止来自声波辐射装置70的声波辐射。此外，在以下的热处理装置40处的加热处理之际，也与上述同样地，与输入输出口k2的开闭同步地开始/停止来自声波辐射装置70的声波辐射。因而，以下，省略说明热处理装置40的加热处理之际所进行的声波辐射。

之后，利用输送臂a2朝向下部防反射膜形成装置31输送晶圆w。在该输送的同时，使下部防反射膜形成装置31的输入输出口k1开口，与其开口动作相应地，从声波辐射装置60朝向输送区域r2的底部辐射声波。优选从输入输出口k1的开口动作开始前开始声波辐射。

在已从声波辐射装置60辐射声波的状态下，使输送臂a2的晶圆支承部305插入下部防反射膜形成装置31内，将晶圆向该下部防反射膜形成装置31的晶圆交接用的销(未图示)交接。交接后，将输送臂a2的晶圆支承部305从下部防反射膜形成装置31内拉出，关闭输入输出口k1，停止来自声波辐射装置60的声波辐射。并且，利用下部防反射膜形成装置31在晶圆w上形成下部防反射膜。

在下部防反射膜形成后，使下部防反射膜形成装置31的输入输出口k1开口，与其开口动作相应地，从声波辐射装置60辐射声波。在已从声波辐射装置60辐射声波的状态下，使输送臂a2的晶圆支承部305插入下部防反射膜形成装置31内，从该下部防反射膜形成装置31的晶圆交接用的销向晶圆支承部305交接晶圆w。交接后，将输送臂a2的晶圆支承部305从下部防反射膜形成装置31内拉出，关闭输入输出口k1，停止来自声波辐射装置60的声波辐射。此外，在以下的除了下部防反射膜形成装置31以外的液处理装置处的处理之际，也与上述同样地，与输入输出口k1的开闭同步地开始/停止来自声波辐射装置60的声波辐射。因而，以下，省略说明液处理装置的加热处理之际所进行的声波辐射。

之后，利用输送臂a2向与输送区域r2相邻的热处理装置40内输送晶圆w，对该晶圆w进行加热处理并进行温度调节。

接着，利用输送臂a2向与输送区域r2相邻的粘附装置41输送晶圆w，并进行粘附处理。此外，虽图示省略，但在粘附装置41也设置有晶圆w的输入输出口，在输送区域r2的与上述输入输出口相邻的区域设置有声波辐射装置。并且，在由粘附装置41进行的粘附处理之际，也与由热处理装置40进行的加热处理之际同样地，与输入输出口的开闭同步地开始/停止来自声波辐射装置的声波辐射。

之后，利用输送臂a2向与输送区域r2相邻的第4块g4的交接装置输送晶圆w。接下来，利用晶圆输送装置110向与输送区域r3相邻的第4块g4的别的交接装置输送晶圆w。并且，利用输送区域r3内的输送臂a3向抗蚀剂涂敷装置32输送晶圆w，在晶圆w上形成抗蚀剂膜。之后，利用输送臂a3向与输送区域r3相邻的热处理装置40输送晶圆w，进行预烘烤处理。此外，在预烘烤处理中，也进行与下部防反射膜形成后的热处理同样的处理，另外，在随后论述的防反射膜形成后的热处理、曝光后烘烤处理、后烘烤处理中也进行同样的处理。不过，向各热处理提供的热处理装置40互不相同。

接着，利用输送臂a3向与输送区域r3相邻的第4块g4的交接装置输送晶圆w。接下来，利用晶圆输送装置110向与输送区域r4相邻的第4块g4的别的交接装置输送晶圆w。并且，利用输送区域r4内的输送臂a4向上部防反射膜形成装置33输送晶圆w，在晶圆w上形成上部防反射膜。之后，利用输送臂a4向与输送区域r4相邻的热处理装置40输送晶圆w，对该晶圆w进行加热，并进行温度调节。之后，利用输送臂a4向与输送区域r4相邻的周边曝光装置42输送晶圆w，并进行周边曝光处理。此外，虽图示省略，但在周边曝光装置42也设置有晶圆w的输入输出口，在输送区域r4的与上述输入输出口相邻的区域中设置有声波辐射装置。并且，在由周边曝光装置42进行的周边曝光处理之际，也与由热处理装置40进行的加热处理之际同样地，与输入输出口的开闭同步地开始/停止来自声波辐射装置的声波辐射。

接着，利用输送臂a4向与输送区域r4相邻的第4块的交接装置输送晶圆w。并且，利用晶圆输送装置110向曝光装置12输送晶圆w，以预定的图案进行曝光处理。

接着，利用晶圆输送装置110向与输送区域r1相邻的第4块g4的交接装置输送晶圆w。接下来，利用输送区域r1内的输送臂a1向与输送区域r1相邻的热处理装置40输送晶圆w，进行曝光后烘烤处理。之后，利用输送臂a1向显影处理装置30输送晶圆w，进行显影处理。显影处理结束后，利用输送臂a1向与输送区域r1相邻的热处理装置40输送晶圆w，进行后烘烤处理。并且，利用输送臂a1向与输送区域r1相邻的第3块g3的交接装置输送晶圆w。之后，利用晶圆输送装置23向盒载置板21的盒c输送晶圆w，一系列的光刻工序完成。

在以上的例子中，与开闭同步地从声波辐射装置70辐射了声波，但声波辐射的时刻并不限于该例子。例如，也可以在处理站11内存在有晶圆w时始终进行辐射，具体而言，也可以是，在将晶圆w输入到处理站11的第3块之际使声波的辐射开始，在将晶圆w从第4块输出来之际使声波的辐射停止。

图7是表示声波辐射装置的另一个例子的侧视图。

图7的声波辐射装置60′是发出具有指向性的声波的参量扬声器，为了能够调节声波的发出方向，使声波辐射装置60′支承成能够摆动。具体而言，声波辐射装置60′的具有多个换能器61的基座62′利用轴支承部63支承成能够摆动。此外，轴支承部63自身支承于例如处理站11的壳体51。

通过如此将声波辐射装置60′支承成能够摆动，能够使用较小的声波辐射装置作为声波辐射装置60′，能够防止基板处理系统1的制造成本的大幅上升。

利用控制部500将声波辐射装置60′控制为例如周期性地摆动。

(第1实施方式的另一个例子)

图8是表示本发明的第1实施方式的基板处理系统的另一个例子的概略的说明图，是仅表示盒站的主视图。

在图5等的例子中，在处理站11的输送区域r1～r4设置有声波辐射装置60、70。相对于此，在图8的例子中，在盒站10′的晶圆输送区域l设置有声波辐射装置80。具体而言，盒站10具有壳体56，该壳体56具有相对于载置到盒载置台20的盒c而言的输入输出口k3，因此，在晶圆输送区域l内的与上述输入输出口k3相邻的区域设置有声波辐射装置80。

通过如此将声波辐射装置80设置于盒站10的晶圆输送区域l，在来自盒c的晶圆w的输出或晶圆w向盒c的输入之际，能够防止微粒从盒c进入晶圆输送区域l，或微粒从晶圆输送区域l进入盒c。

此外，声波辐射装置80的结构能够采用与例如图6的声波辐射装置60同样的结构。另外，既可以将声波辐射装置80如图8那样设置于输入输出口k3的附近，也可以设置于输入输出口k3的上方且是顶面的附近。

虽图示省略，但针对盒站10也设置有ffu单元，对晶圆输送区域l内的气氛进行排气的排气机构设置于盒站10的底部。声波辐射装置80设置成，从例如输入输出口k3的上方朝向设置有排气机构的晶圆输送区域l的底部发出声波。

(第1实施方式的另一个例子)

在以上的例子中，声波辐射装置仅设置于输送区域的与晶圆的输入输出口相邻的区域，但供声波辐射装置设置的区域并不限于上述的例子。例如，也可以是，在不妨碍来自输送区域的顶面的下降气流的范围内，以覆盖该顶面的整体的方式设置声波辐射装置。另外，也可以在处理站11的输送区域r1～r4的宽度方向中央沿着长度方向设置多个声波辐射装置。而且，也可以沿着输送区域的宽度方向设置多个声波辐射装置。

另外，也可以在输送区域的与第3块g3、第4块g4的交接装置相邻的区域设置声波辐射装置。

(第1实施方式的又一个例子)

图9是本发明的第1实施方式的基板处理系统的又一个例子的说明图，图9的(a)表示本例的基板输送装置的周边的情形，图9的(b)是表示安装于图9的(a)的基板输送装置的声波辐射装置的一部分的图。

在图5等的例子中，声波辐射装置安装于处理站11的壳体51。相对于此，在本例中，如图9的(a)所示，声波辐射装置600安装于基板输送臂a的外侧方。

安装于基板输送臂a的声波辐射装置600具有第1声波辐射单元610和第2声波辐射单元620。

第1声波辐射单元610和第2声波辐射单元620分别是通过使用超声波发出具有指向性的声波的参量扬声器，具有发出超声波的多个换能器611、621和用于将该换能器611、621相对于基板输送臂a固定的基座构件612、622。

如图9的(b)所示，基座构件612包括：支承面612a，其支承多个换能器611；以及相对于输送臂a的升降体303而言的固定面612b。

另外，第2声波辐射单元620的结构与第1声波辐射单元610同样，因此，省略其说明。

来自第1声波辐射单元610的声波和来自第2声波辐射单元620的声波都向载置于输送臂a的晶圆的整个表面辐射。不过，支承第1声波辐射单元610的换能器611的支承面612a以及支承第2声波辐射单元620的换能器621的支承面彼此不平行。因而，来自第1声波辐射单元610的声波的矢量v1与来自第2声波辐射单元620的声波的矢量v2不平行，两矢量v1、v2之和成为从输送臂a的根部朝向顶端方向(图的x方向负方向)的矢量。因而，通过在晶圆输送中从声波辐射装置600辐射声波，能够使晶圆表面附近的微粒远离晶圆，并向外部排出，因此，能够防止微粒向晶圆附着。

此外，如图9的(b)所示，以晶圆w位于由多个换能器611构成的换能器组的中心的方式将第1声波辐射单元610固定于输送臂a。更具体而言，上述换能器组的长度方向与晶圆w的表面平行，以上述换能器组的宽度方向的中心位于晶圆w的表面的方式将第1声波辐射单元610固定于输送臂a。对于第2声波辐射单元620也同样。

在以上的例子中，声波辐射装置600安装于输送臂a的外侧方。不过，声波辐射装置也可以安装于输送臂a的上方。更具体而言，也可以在输送臂a的晶圆支承部305的上方安装声波辐射装置。

(第2实施方式)

图10是用于说明本发明的第2实施方式的基板处理系统的概略的图，图10的(a)和图10的(b)分别是本实施方式的基板处理系统的分隔板的俯视图和侧视图。

第2实施方式的基板处理系统如第1实施方式的基板处理系统那样除了在输送区域r1～r4和/或晶圆输送区域l具备有声波辐射装置之外，输送区域r1～r4和/或晶圆输送区域l具有吸附区域。

具体而言，例如，如图10的(a)和图10的(b)所示，在形成输送区域r2～r4的底面的分隔板55之上安装有冷却后的冷却板700，由于由冷却板700进行的热泳，温度较高的区域的浮游微粒被吸附于冷却板700。换言之，吸附区域由分隔板55上的冷却板700形成。

冷却板700通过使冷却水在例如内部循环而被冷却。不过，冷却板700的冷却方法并不限于此，例如，也可以利用冷风冷却。

此外，优选在形成输送区域r1的底面的底壁之上也安装冷却板700。

若在输送区域r1～r4的底面设置吸附区域，则不仅能够捕集浮游微粒，而且能够防止已堆积到该底面的微粒卷扬。而且，除了设置声波辐射装置之外，还如上述那样设置吸附区域，从而即使在维护时清洁度恶化，也能够进一步迅速地恢复成本来的清洁度。

此外，替代将冷却板700设置于分隔板55、底壁之上，也可以是，使冷却水在分隔板55的内部、底壁的内部循环等而在分隔板55、底壁形成冷却区域、即浮游微粒的吸附区域。

图11是表示冷却板的另一个例子的图。

图10的冷却板700以覆盖分隔板55的大致整个面的方式设置于该分隔板55之上。相对于此，图11的冷却板800以覆盖分隔板55的一部分的方式、具体而言以未覆盖分隔板55的输送区域r2～r4的宽度方向中央、而仅覆盖两侧的方式设置于分隔板55之上。

也能够利用该冷却板800吸附浮游微粒。

(第2实施方式的另一个例子)

在以上的例子中，冷却板安装到分隔板55等形成输送区域的底壁的部分。不过，冷却板也可以安装于形成侧壁的部分，该侧壁形成输送区域。

另外，也可以将冷却板安装于输送臂a。在将冷却板安装于输送臂a的情况下，例如，冷却板安装于升降体303。此外，针对输送臂a设置有排气机构，排气从x轴/θ轴经由z轴，并从y轴进行排气。如上述那样，通过将冷却板安装于升降体303等输送臂a的下部，在微粒从输送臂a的排气系统路径泄漏的情况下，更具体而言，在微粒泄漏在θ-z轴管产生的情况下，也能够利用冷却板吸附微粒。

(第2实施方式的另一个例子)

在以上的例子中，通过使用了冷却板的热泳形成了微粒的吸附区域。不过，吸附方法并不限于上述的例子，也可以利用静电吸附来吸附浮游微粒。在该情况下，替代冷却板而将带电的带电板设置于输送区域内。

在如本实施方式这样设置吸附区域的情况下，吸附区域在预定的时刻被清扫，所捕集的微粒被去除。

吸附区域的清扫在例如定期维护时进行。另外，也可以是，对吸附区域的污垢情况进行监视，在需要清扫的情况下向使用者报告，根据报告结果进行吸附区域的清扫。

来自吸附区域的微粒的去除既可以通过利用例如抽吸嘴手动吸取来进行，也可以在吸附区域的周围设置排气机构，利用该排气机构自动地排出来进行。

(第3实施方式)

使用图12和图13而对本发明的第3实施方式的基板处理系统进行说明。图12和图13是用于说明本实施方式的基板处理系统的设置到第3块的架单元的概略的图，图12是架单元的侧视图，图13是设置到架单元的随后论述的收纳块的内部的俯视图。

第3实施方式的基板处理系统的与输送区域r1～r4和/或晶圆输送区域l相邻的装置具有朝向该输送区域r1～r4和/或晶圆输送区域l辐射声波的别的声波辐射装置。

具体而言，例如，如图12所示，作为设置到与输送区域r1～r4相邻的第3块g3的收容装置的架单元900具有朝向输送区域r1～r4辐射声波的别的声波辐射装置910。

架单元900为了与输送区域r1～r4相对应而具有被划分成多个的收纳块b1～b4。虽图示省略，但在架单元900的收纳块b1～b4分别设置有载置架、冷却板作为收容晶圆w的收容部。冷却板用于将晶圆w调整成预定温度。

另外，架单元900具有交接部tr1、tr2，该交接部tr1、tr2具有用于在未图示的往复输送装置与输送臂a1～a4之间进行晶圆w的交接的交接载物台，该未图示的往复输送装置在第3块g3与第4块g4之间直线地输送晶圆w。

声波辐射装置910能够采用与例如图6的声波辐射装置60同样的结构。

另外，声波辐射装置910针对收纳块b1～b4中的每个收纳块各设置有1个。而且，在本例中，在收纳块b1中，如图13所示，声波辐射装置910以朝向输送区域r1辐射声波的方式设置于在将晶圆w收容到收纳块b1时以将该晶圆w夹在中间的方式与输送区域r1相对的位置。收纳块b2～b4中的声波辐射装置910的配设位置也同样。

通过如本实施方式这样将朝向输送区域r1～r4辐射声波的别的声波辐射装置910设置于架单元900，能够防止存在于输送区域r1～r4的浮游微粒进入架单元900内。因此，能够防止输送区域r1～r4内的浮游微粒向被收容到架单元900的晶圆w附着。

声波辐射装置910与例如所对应的输送臂a1～a4的动作相应地辐射声波。具体而言，声波辐射装置910从所对应的输送臂a1的晶圆支承部305相对于收纳块b1开始运动时、即、晶圆支承部305从起始位置开始运动时到晶圆支承部305返回到起始位置的期间内辐射声波。取而代之，声波辐射装置910也可以在从所对应的输送臂a1靠近架单元900时输送臂a1停止朝向架单元900的方向(图1的y方向负方向)的移动到晶圆支承部305返回起始位置的期间内辐射声波。另外，声波辐射装置910也可以始终发出声波。

声波辐射装置910的声波的辐射时刻既可以在收纳块b1～b4中通用，也可以针对收纳块b1～b4中的每个收纳块各不相同。

此外，在上述的例子中，以朝向输送区域r1～r4辐射声波的方式设置有声波辐射装置910。不过，在此基础上，或、取而代之，也可以以朝向晶圆输送区域l、晶圆输送装置100所存在的输送区域辐射声波的方式设置声波辐射装置910。不过，在仅设置有1个声波辐射装置910的情况下，优选以朝向输送区域r1～r4辐射声波的方式设置。其原因在于，输送臂中的、最频繁地动作的是输送臂a1～a4，浮游微粒存在于设置有该输送臂a1～a4的输送区域r1～r4的可能性较高。

另外，在上述的例子中，仅在架单元900的收纳块b1～b4设置有声波辐射装置910，但也可以在交接部tr1、tr2同样地设置声波辐射装置910。

而且，在上述的例子中，声波辐射装置910设置到与输送区域r1～r4相邻的第3块g3内的架单元900。在此基础上，或、取而代之，声波辐射装置910也可以设置于与输送区域r1～r4相邻的第4块g4内的架单元。

此外，在第3实施方式中，优选也如第1实施方式的基板处理系统那样在输送区域设置声波辐射装置。

产业上的可利用性

本发明对设置有用于输送基板的基板输送区域的基板处理系统是有用的。

附图标记说明

1、基板处理系统；k1、k2、k3、输入输出口；a1、a2、a3、a4、输送臂；r1、r2、r3、r4、输送区域；20、盒载置台；23、晶圆输送装置；60、70、80、600、910、声波辐射装置；700、800、冷却板；900、架单元。