技术特征：
技术总结
一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。所述碳化硅MOSFET器件自下而上包括漏电极，N+衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区，第一P‑阱区中具有P+区和N+区；还包括：第一金属，第一金属与P+区上表面和部分N+区上表面形成第一欧姆接触；第二P‑阱区，位于相邻两个第一P‑阱区之间，第二P‑阱区与两侧的第一P‑阱区均具有第一间隔，第二P‑阱区包围有沟槽；第二金属，第二金属覆盖沟槽表面以形成第二欧姆接触，第二金属同时覆盖第一间隔上表面以形成肖特基接触。所述碳化硅MOSFET器件提升器件续流能力的同时，防止肖特基接触区在器件工作在高压阻断模式时泄漏电流过大的问题。
技术研发人员：卓廷厚;李钊君;刘延聪
受保护的技术使用者：厦门芯光润泽科技有限公司
技术研发日：2019.02.14
技术公布日：2019.05.14