技术特征:
技术总结
提供具备能具有高迁移率和高可靠性的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备薄膜晶体管,薄膜晶体管的半导体层具有包括包含In、Ga、Zn及Sn的下部氧化物半导体层和配置于下部氧化物半导体层上且包含In、Ga及Zn的上部氧化物半导体层的层叠结构,下部氧化物半导体层的厚度是20nm以下,下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比是5%以上,上部氧化物半导体层不包含Sn,或者上部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比小于下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比,下部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第1角度小于上部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第2角度。
技术研发人员:菊池哲郎;铃木正彦;西宫节治;上田辉幸;山中昌光;大东彻;今井元;原健吾
受保护的技术使用者:夏普株式会社
技术研发日:2019.03.06
技术公布日:2019.09.17