技术特征：
技术总结
本申请公开了一种LED外延层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N2和H2混合气氛低温AlInGaN：Zn层、生长H2气氛中温InGaN：Si层、生长N2气氛高温GaN：Mg层、NH3裂解、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。本发明方法通过引入N2和H2混合气氛低温AlInGaN：Zn层、H2气氛中温InGaN：Si层、N2气氛高温GaN：Mg层的结构和NH3裂解工艺以提升量子阱发光区的电子空穴对，增强发光辐射效率，提高LED的发光效率，并减少外延片翘曲，改善外延片外观。
技术研发人员：徐平;胡耀武;龚彬彬;谢鹏杰
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
技术研发日：2019.07.25
技术公布日：2019.10.18