显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术：

高屏占比是智能电子产品的最新发展方向。为了提高屏占比，电子产品正面的多种传感器需要集成到显示面板下方。目前指纹识别、听筒等器件已经能够较好地集成到显示面板的下方，但是电子产品的前摄像头的集成仍不能较好地解决。

针对前摄像头的集成，目前的解决方案是在显示面板上对应摄像头的位置进行挖槽或打孔，然而会造成显示面板挖槽或打孔区域不能显示信息的问题。

技术实现要素：

本实用新型提供一种显示面板及显示装置，能够在显示面板的感光组件集成区域实现显示。

一方面，本实用新型实施例提供一种显示面板，其包括第一显示区、第二显示区以及位于第一显示区与第二显示区之间的过渡显示区，第二显示区的透光率大于第一显示区的透光率，显示面板包括：第一子像素，位于第一显示区，每个第一子像素具有第一发光区以及第一非发光区，第一非发光区围绕第一发光区的至少部分外周；第二子像素，位于过渡显示区，每个第二子像素具有至少两个第二发光区以及第二非发光区，相邻的第二发光区间隔设置，以将第二非发光区格栅化，使得相邻第二子像素之间的第二发光区的最近距离小于等于预设值，且同一个第二子像素内的相邻的第二发光区的最近距离小于等于预设值。

根据本实用新型实施例的一个方面，预设值为25微米。

根据本实用新型实施例的一个方面，预设值为20微米。

根据本实用新型实施例的一个方面，第二显示区的像素尺寸大于第一显示区的像素尺寸，过渡显示区的像素尺寸等于第二显示区的像素尺寸；过渡显示区的像素开口率等于第一显示区的像素开口率。

根据本实用新型实施例的一个方面，每个第二子像素包括第一电极、位于第一电极上的发光结构以及位于发光结构上的第二电极，发光结构的数量与第二发光区的数量对应，同一个第二子像素中的全部发光结构共用同一第一电极。

根据本实用新型实施例的一个方面，显示面板包括衬底，第二子像素位于衬底上，每个第二子像素内的第一电极在衬底上的正投影覆盖对应第二子像素内的全部发光结构在衬底上的正投影，每个第一电极为连续的面结构层。

根据本实用新型实施例的一个方面，第一电极包括电极块以及互连结构，每个第二子像素中的电极块与发光结构的数量对应且位置匹配，每个第二子像素中的相邻电极块之间通过互连结构相互电连接。

根据本实用新型实施例的一个方面，第一电极为反射电极，第一显示区的像素开口率小于等于过渡显示区的像素开口率。

根据本实用新型实施例的一个方面，每个第二子像素中第二发光区的数量，与第一显示区的像素密度和过渡显示区的像素密度之比正相关。

根据本实用新型实施例的一个方面，每个第二子像素中第二发光区的数量大于等于四个，并且呈阵列排布。

另一方面，本实用新型实施例提供一种显示装置，其包括前述任一实施方式的显示面板。

根据本实用新型实施例的显示面板及显示装置，过渡显示区中的每个第二子像素具有至少两个第二发光区以及第二非发光区。第二非发光区填充第二子像素内除去第二发光区的其它区域。其中相邻的第二发光区间隔设置，以将第二非发光区格栅化，使得相邻第二子像素之间的第二发光区的最近距离小于等于预设值，且同一个第二子像素120内的相邻的第二发光区120a的最近距离小于等于该预设值，避免较宽尺寸的第二非发光区的出现，减缓显示面板过渡显示区的纱窗效应。此外，每个第二子像素内的第二发光区的数量增多，能够减轻过渡显示区显示画面的颗粒感。

在一些可选的实施例中，第二显示区的像素尺寸大于第一显示区的像素尺寸，使得第二显示区便于布置更多面积的透光区域，提高第二显示区的透光性能。过渡显示区的像素尺寸等于第二显示区的像素尺寸，从而降低第二显示区与过渡显示区的显示差异，提高显示面板的显示协调性。过渡显示区的像素开口率等于第一显示区的像素开口率，使得过渡显示区中的第二子像素的寿命与第一显示区中的第一子像素的寿命较为一致。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1示出根据本实用新型一种实施例的显示面板的俯视示意图；

图2示出图1中q1区域的局部放大示意图；

图3示出根据本实用新型一种实施例的显示面板中其中一个第二子像素的俯视示意图；

图4示出图3中a-a向的剖面图；

图5示出根据本实用新型一种替代实施例的显示面板中其中一个第二子像素的俯视示意图；

图6示出图5中b-b向的剖面图；

图7示出根据本实用新型一种实施例的显示装置的俯视示意图；

图8示出图7中c-c向的剖面图。

具体实施方式

下面将详细描述本实用新型的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本实用新型进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本实用新型，并不被配置为限定本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本实用新型的示例来提供对本实用新型更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

在诸如手机和平板电脑等智能电子设备上，需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。在一些实施例中，可以在上述电子设备上设置透光显示区，将感光组件设置在透光显示区下方，在保证感光组件正常工作的情况下，实现电子设备的全面屏显示。

在具有透光显示区的显示面板中，为提高透光显示区的透光率，透光显示区的子像素尺寸通常与非透光显示区的子像素尺寸不同。为降低透光显示区与非透光显示区之间显示差异对显示效果的影响，可以在透光显示区与非透光显示区之间设置过渡显示区，过渡显示区内子像素的尺寸与透光显示区内子像素的尺寸相同。

为保证过渡显示区内子像素的寿命与非透光显示区内子像素的寿命接近，可以将过渡显示区的开口率配置为等于非透光显示区的开口率，此时，由于过渡显示区内子像素的尺寸较大，相应地产生较宽尺寸的非发光区，使得显示面板在过渡显示区存在纱窗效应。

为解决上述问题，本实用新型实施例提供了一种显示面板及显示装置，以下将结合附图对显示面板及显示装置的各实施例进行说明。

本实用新型实施例提供一种显示面板，该显示面板可以是有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)显示面板。以下将结合附图对本实用新型实施例的显示面板进行具体说明。

图1示出根据本实用新型一种实施例的显示面板的俯视示意图，显示面板100，包括第一显示区aa1、第二显示区aa2以及位于第一显示区aa1与第二显示区aa2之间的过渡显示区ta。在一些实施例中，显示面板100还包括非显示区na，非显示区na围绕设置于第一显示区aa1、第二显示区aa2以及过渡显示区ta的外周。

在一些实施例中，第二显示区aa2的透光率大于第一显示区aa1的透光率。本文中，第二显示区aa2的透光率大于等于15％。为确保第二显示区aa2的透光率大于15％，甚至大于40％，甚至具有更高的透光率，本实施例中显示面板100在第二显示区aa2的各个功能膜层的透光率均大于80％，甚至各个功能膜层的透光率均大于90％。

图2示出图1中q1区域的局部放大示意图。显示面板100包括第一子像素110以及第二子像素120。第一子像素110位于第一显示区aa1。第二子像素120位于过渡显示区ta。在一些实施例中，显示面板100还包括第三子像素，其中第三子像素位于第二显示区aa2。

第一子像素110可以包括多种颜色的第一子像素110。在一些实施例中，第一子像素110红色第一子像素110、绿色第一子像素110以及蓝色第一子像素110。第二子像素120、第三子像素包括的子像素颜色种类可以与第一子像素110分别对应。

每个第一子像素110具有第一发光区110a以及第一非发光区110b，第一非发光区110b围绕第一发光区110a的至少部分外周。

每个第二子像素120具有至少两个第二发光区120a以及第二非发光区120b。第二非发光区120b填充第二子像素120内除去第二发光区120a的其它区域。本实施例中，相邻的第二发光区120a之间具有间隙，第二非发光区120b围绕第二发光区120a的至少部分外周以及位于间隙内。

根据本实用新型实施例的显示面板100，过渡显示区ta中的每个第二子像素120具有至少两个第二发光区120a，相邻的第二发光区120a间隔设置，以将第二非发光区120b格栅化，使得相邻第二子像素120之间的第二发光区120a的最近距离小于等于预设值，且同一个第二子像素120内的相邻的第二发光区120a的最近距离小于等于该预设值，避免较宽尺寸的第二非发光区120b的出现，减缓显示面板100过渡显示区ta的纱窗效应。

此外，每个第二子像素120内的第二发光区120a的数量增多，能够减轻过渡显示区ta显示画面的颗粒感。

在一些实施例中，上述预设值为25微米，即相邻第二子像素120之间的第二发光区120a的最近距离小于等于25微米。在优选的实施例中，上述预设值为20微米。如图2，例如在本实施例中，相邻第二子像素120之间的第二发光区120a的最近距离d1为20微米，同一个第二子像素120内的相邻的第二发光区120a的最近距离d2为18微米，从而在满足蒸镀工艺间距的基础上减小过渡显示区ta显示时的纱窗效应。

在一些实施例中，第二显示区aa2的像素尺寸大于第一显示区aa1的像素尺寸，使得第二显示区aa2便于布置更多面积的透光区域，提高第二显示区aa2的透光性能。过渡显示区ta的像素尺寸等于第二显示区aa2的像素尺寸，也即过渡显示区ta的像素尺寸大于第一显示区aa1的像素尺寸，从而降低第二显示区aa2与过渡显示区ta的显示差异，提高显示面板100的显示协调性。

在一些实施例中，过渡显示区ta的像素开口率等于第二显示区aa2的像素开口率，使得过渡显示区ta中的第二子像素120的寿命与第二显示区aa2中的第三子像素的寿命较为一致。

图3示出根据本实用新型一种实施例的显示面板中其中一个第二子像素的俯视示意图，图4示出图3中a-a向的剖面图。显示面板100可以包括衬底101，第二子像素120位于衬底101上。

在一些实施例中，显示面板100包括衬底101、位于衬底101上的器件层102以及位于器件层102上的像素定义层103。

衬底101可以采用玻璃、聚酰亚胺(polyimide，pi)等透光材料制成。器件层102可以包括用于驱动各子像素显示的像素电路。像素定义层103可以包括像素开口，像素开口用于容纳各子像素的发光结构。

在一些实施例实施例中，每个第二子像素120包括第一电极121、位于第一电极121上的发光结构122以及位于发光结构122上的第二电极123，发光结构122的数量与第二发光区120a的数量对应。在一些实施例中，同一个第二子像素120中的全部发光结构122共用同一第一电极121，使得每个第二子像素120的全部第二发光区120a均通过同一像素电路驱动显示。

第一电极123为阳极、阴极中的一种，第二电极123为阳极、阴极中的另一种。本实施例中，以第一电极123是阳极为例进行说明。

第一电极123可以是透明导电材料制成，也可以是包含能够反射光线的材料制成，即在一些实施例中，第一电极123为反射电极。在一些实施例中，第一显示区aa1的像素开口率小于等于过渡显示区ta的像素开口率。例如在一些实施例中，过渡显示区ta的像素开口率等于第一显示区aa1的像素开口率，使得过渡显示区ta中的第二子像素120的寿命与第一显示区aa1中的第一子像素110的寿命较为一致。

在一些实施例中，第一电极123为包括反射层的电极结构，例如是包括两层透光导电层以及夹设在两层透光导电层之间的反射层，其中透光导电层可以是氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)、氧化铟锌等，反射层可以是金属层，例如是银材质制成。第二电极123可以是透光的导电层，例如是透光率较高的镁银合金。

在一些实施例中，发光结构122包括oled发光层，根据发光结构122的设计需要，其还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层或电子传输层中的至少一种。

在一些实施例中，每个第一电极123在衬底101上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成，其中第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。在一些实施例中，每个发光结构122在衬底101上的正投影可以由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成，第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。

在本实施例中，每个第二子像素120内的第一电极121在衬底101上的正投影覆盖对应第二子像素120内全部发光结构122在衬底101上的正投影，每个第一电极121为连续的面结构层。图3中，以虚线示出第一电极121的俯视轮廓。第一电极121可以与对应的像素电路电连接，使得第二子像素120的至少两个第二发光区120a均通过同一像素电路驱动显示。

以上仅为第一电极121的一种示例结构，在其它一些实施例中，第一电极121的结构不限于上述示例。例如，在图5中，示出根据本实用新型一种替代实施例的显示面板中其中一个第二子像素的俯视示意图，图6示出图5中b-b向的剖面图。

在替代实施例中，每个第二子像素120中，第一电极121包括电极块121a以及互连结构121b，每个第二子像素120中电极块121a与发光结构122的数量对应且位置匹配，每个第二子像素120中的相邻电极块121a之间通过互连结构121b相互电连接。图5中，以虚线示出第一电极121的俯视轮廓。在该替代实施例中，将任意电极块121a或任意互连结构121b与对应的像素电路电连接，即可实现像素电路对相应第二子像素120中的全部第二发光区120a的显示驱动。

每个第二子像素120中第二发光区120a的数量，与第一显示区aa1的像素密度和过渡显示区ta的像素密度之比正相关。在一些实施例中，过渡显示区ta的像素密度与第一显示区aa1的像素密度之比为2∶1，每个第二子像素120中第二发光区120a的数量为4。在一些实施例中，每个第二子像素120中第二发光区120a的数量大于等于四个，并且呈阵列排布。

示例性地，显示面板100还可以包括封装层和位于封装层上方的偏光片和盖板，也可以直接在封装层上方直接设置盖板，无需设置偏光片，或者至少在第二显示区aa2的封装层上方直接设置盖板，无需设置偏光片，避免偏光片影响对应第二显示区aa2下方设置的感光元件的光线采集量，当然，第二显示区aa2的封装层上方也可以设置偏光片。

本实用新型实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以包括上述任一实施方式的显示面板100。

图7示出根据本实用新型一种实施例的显示装置的俯视示意图，图8示出图7中c-c向的剖面图。本实施例的显示装置中，显示面板100可以是上述其中一个实施例的显示面板100，显示面板100，包括第一显示区aa1、第二显示区aa2以及位于第一显示区aa1与第二显示区aa2之间的过渡显示区ta。在一些实施例中，显示面板100还包括非显示区na，非显示区na围绕设置于第一显示区aa1、第二显示区aa2以及过渡显示区ta的外周。第二显示区aa2的透光率大于第一显示区aa1的透光率。

显示面板100包括相对的第一表面s1和第二表面s2，其中第一表面s1为显示面。显示装置还包括感光组件200，该感光组件200位于显示面板100的第二表面s2侧，感光组件200与第二显示区aa2位置对应。

感光组件200可以是图像采集装置，用于采集外部图像信息。本实施例中，感光组件200为互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)图像采集装置，在其它一些实施例中，感光组件200也可以是电荷耦合器件(charge-coupleddevice，ccd)图像采集装置等其它形式的图像采集装置。可以理解的是，感光组件200可以不限于是图像采集装置，例如在一些实施例中，感光组件200也可以是红外传感器、接近传感器等光传感器。

根据本实用新型实施例的显示装置，过渡显示区ta中的每个第二子像素120具有至少两个第二发光区120a，相邻的第二发光区120a间隔设置，以将第二非发光区120b格栅化，使得相邻第二子像素120之间的第二发光区120a的最近距离小于等于预设值，且同一个第二子像素120内的相邻的第二发光区120a的最近距离小于等于该预设值，避免较宽尺寸的第二非发光区120b的出现，减缓显示面板100过渡显示区ta的纱窗效应。每个第二子像素120内的第二发光区120a的数量增多，能够减轻过渡显示区ta显示画面的颗粒感。

在一些实施例中，第二显示区aa2的像素尺寸大于第一显示区aa1的像素尺寸，使得第二显示区aa2便于布置更多面积的透光区域，提高第二显示区aa2的透光性能。过渡显示区ta的像素尺寸等于第二显示区aa2的像素尺寸，从而降低第二显示区aa2与过渡显示区ta的显示差异，提高显示面板100的显示协调性。过渡显示区ta的像素开口率等于第一显示区aa1的像素开口率，使得过渡显示区ta中的第二子像素120的寿命与第一显示区aa1中的第一子像素110的寿命较为一致。

依照本实用新型如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。