双通路高浪涌大通流TSS器件的制作方法

本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种双通路高浪涌大通流tss器件。

背景技术：

随着5g时代的到来，未来的通信基站或机柜会朝着精密化、集成化方向发展。对基站或机柜中的防护器件的小型化要求日趋紧迫。

tss，是指thyristorsurgeprotectiondevice，又称晶闸管浪涌保护器件或半导体放电管，晶闸管浪涌保护器件或半导体放电管tss，是基于半导体晶闸管开关特性，tss两端偏压低于击穿电压时呈高阻态，相当于断路；当出现高于击穿电压的过压事件发生时立刻响应，变为低阻态，且电阻极低，相当于短路，过压引起的浪涌会及时通过tss被转移到地。但是目前的tss器件为了要达到高浪涌大通流的目的，通常要多个器件进行组合使用，由于器件的独立封装导致了占pcb的空间较大，也在无形中增大了成本。

因此，鉴于上述方案于实际制作及实施使用上的缺失之处，而加以修正、改良，同时本着求好的精神及理念，并由专业的知识、经验的辅助，以及在多方巧思、试验后，方创设出本实用新型，特再提供一种双通路高浪涌大通流tss器件制造方法，能够实现差模防护或共模防护的双路高浪涌大通流的半导体放电管tss将节约pcb板空间，外形尺寸接近于传统的smc封装外形，大大缩小占板面积，从而降低成本，同时具有抗高浪涌和大通流的防护特点。

技术实现要素：

本实用新型提出一种双通路高浪涌大通流tss器件制造方法，解决了现有技术中的问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

双通路高浪涌大通流tss器件，包括：

tss芯片1,放置在第一框架的焊接区域上，第一框架和tss芯片1通过焊料粘结；tss芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域粘结凝固；

tss芯片2,放置在第三框架的焊接区域上，第三框架和tss芯片2通过焊料粘结，tss芯片2未粘结的另一面焊接区第二框架的另一面对齐叠片通过焊料进行粘结。

第一框架、第二框架和第三框架均为铜框架。

tss芯片1和tss芯片2版面均为5.0mm。

第一框架和第三框架的至少一端贴合固定设置。

第一框架的焊接区突出于第一框架表面，第三框架的焊接区突出于第三框架表面。

其制造方法，包括如下步骤：

步骤a:将tss芯片1放到第一框架的焊接区域上，对第一框架和tss芯片1利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤b：将步骤a已粘结好的tss芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤c：将tss芯片2放到第三框架的焊接区域上，对第三框架和tss芯片2进行利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤d：在步骤c的tss芯片2未粘结的另一面焊接区，与步骤b已粘结好的第二框架的另一面进行对齐叠片利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤e：对步骤d凝固后的整体进行隧道炉焊接。

作为一种优选的实施方式，步骤a、步骤b和步骤c中的第一框架、第二框架和第三框架均为铜框架。

作为一种优选的实施方式，步骤a、步骤b、步骤c和步骤d中的使焊料凝固的方法采用低温预回流法凝固，预回流温度250℃-280℃。

作为一种优选的实施方式，步骤e中隧道炉焊接中的隧道炉温度400℃max。

作为一种优选的实施方式，步骤e后设置有步骤f：对完成焊接后的成品进行封装，封装方式为smc-3封装外形。

作为一种优选的实施方式，tss芯片1和tss芯片2版面均为5.0mm。

作为一种优选的实施方式，步骤a、步骤b、步骤c和步骤d中使用的焊料均为锡膏。

作为一种优选的实施方式，tss芯片1和tss芯片2工作电压为5v-8v。

作为一种优选的实施方式，第一框架和第三框架的至少一端贴合固定设置。

作为一种优选的实施方式，第一框架的焊接区突出于第一框架表面，第三框架的焊接区突出于第三框架表面。

另一方面，本实用新型还提供一种tss器件，采用如上任一方法制成。

采用了上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：采用一颗器件可以替代两颗单路器件，可以对电路进行差模或共模两种保护模式，适用于具有小型化、集成化特点的新型基站，此外本方法制造的tss器件还具有封装体积小、成本低、高浪涌防护、大通流、高可靠性的优点。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型制造方法的流程示意图；

图2为本实用新型步骤a的状态原理示意图；

图3为本实用新型步骤b的状态原理示意图；

图4为本实用新型步骤c的状态原理示意图；

图5为本实用新型步骤d的状态原理示意图。

图中，1-第一框架；2-tss芯片1；3-第二框架；4-tss芯片2；5-第三框架；6-焊接区。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1-图5所示，双通路高浪涌大通流tss器件，包括：

tss芯片1,放置在第一框架的焊接区域上，第一框架和tss芯片1通过焊料粘结；tss芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域粘结凝固；

tss芯片2,放置在第三框架的焊接区域上，第三框架和tss芯片2通过焊料粘结，tss芯片2未粘结的另一面焊接区第二框架的另一面对齐叠片通过焊料进行粘结。

第一框架、第二框架和第三框架均为铜框架。

tss芯片1和tss芯片2版面均为5.0mm。

第一框架和第三框架的至少一端贴合固定设置。

第一框架的焊接区突出于第一框架表面，第三框架的焊接区突出于第三框架表面。

本双通路高浪涌大通流tss器件制造方法，包括如下步骤：

步骤a:将tss芯片1放到第一框架1的焊接区6域上，对第一框架1和tss芯片1利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤b：将步骤a已粘结好的tss芯片1朝下与第二框架2的正面焊接区6域利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤c：将tss芯片2放到第三框架5的焊接区6域上，对第三框架5和tss芯片2进行利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤d：在步骤c的tss芯片2未粘结的另一面焊接区6，与步骤b已粘结好的第二框架2的另一面进行对齐叠片利用焊料进行粘结，然后使焊料凝固；

步骤e：对步骤d凝固后的整体进行隧道炉焊接。

在一个实施例中，步骤a、步骤b和步骤c中的第一框架1、第二框架2和第三框架5均为铜框架。

步骤a、步骤b、步骤c和步骤d中的使焊料凝固的方法采用低温预回流法凝固，预回流温度250℃-280℃。在一个优选的实施例中，预回流的温度为260℃，步骤e中隧道炉焊接中的隧道炉温度400℃max。

步骤e后设置有步骤f：对完成焊接后的成品进行封装，封装类型smc-3封装外形。在完成封装后再进行测试，使器件在差模或共模保护方式下能够抗雷击3.5ka以上的电应力冲击后确定合格。

tss芯片1和tss芯片2版面均为5.0mm，焊接区6的版面略小于tss芯片1和tss芯片2的版面。

步骤a、步骤b、步骤c和步骤d中使用的焊料均为锡膏，在使用锡膏进行焊接时，先将锡膏点在待焊接框架的焊接区6上，然后再将对应的tss芯片放置到锡膏位置，然后再进行粘结处理。

tss芯片1和tss芯片2工作电压为5v-8v，在一个较优的实施例中，tss芯片1和tss芯片2的工作电压为5v。

第一框架1和第三框架5的至少一端贴合固定设置。

第一框架1的焊接区6突出于第一框架1表面，第三框架5的焊接区6突出于第三框架5表面。

该双通路高浪涌大通流tss器件制造方法的工作原理是：在电路中具有差模或共模两种防护模式，可对两路电路同时防护。一颗器件可以替代两颗单路器件，同时具有高浪涌大通流的特点。本器件是将两颗高浪涌大通流的tss芯片与三层框架采用叠片工艺实现。本方法制备的器件具有双路防高浪涌特点，可以在电路进行差模或共模防护的集成器件。本方法制造的tss器件采用两颗tss与三层框架叠片封装，结构为框架+焊料+芯片+焊料+框架+焊料+芯片+焊料+框架的器件，实现差模防护或共模防护的双路高浪涌大通流的半导体放电管tss将节约pcb板空间，外形尺寸接近于传统的smc封装外形，大大缩小占板面积，从而降低成本，同时具有抗高浪涌和大通流的防护特点。

以上已将本实用新型做详细说明。但以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制。本实用新型虽然已作为较佳的实施例，然而并非用以限定本实用新型。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神实质和技术方案的情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围。