硅片沉积用装置以及石英舟的制作方法

本实用新型涉及晶体硅太阳电池领域，尤其是涉及一种硅片沉积用装置以及石英舟。

背景技术：

随着光伏行业的快速发展，钝化接触技术在晶体硅太阳电池领域受到了广泛关注。钝化接触结构一般采用遂穿二氧化硅层和叠加在遂穿二氧化层上的掺杂多晶硅薄膜组成，该结构不但可以钝化电池表面，同时也能降低金属接触复合和降低接触电阻。掺杂多晶硅薄膜一般是将硅片背靠背竖直插在石英舟内，再通过lpcvd(低压化学气相沉积)的方式沉积生长。

相关技术中，这样的沉积的多晶硅会绕镀到硅片另一面，需要再通过其他工艺将其去除，并且需要保护硅片的其他结构不受到损坏，由此导致去除绕镀的难度较大，并且工序的增加也会使产品生产的良率变低。

技术实现要素：

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种石英舟，用于解决传统的硅片背靠背竖直插在石英舟内去除绕镀的难度较大，并且工序较多也，使产品生产的良率变低。

本实用新型还提出了一种硅片沉积用装置。

根据本实用新型实施例的石英舟，包括：底支撑板；在所述底支撑板的上方与所述底支撑板连接的载物立板，所述载物立板具有在前后方向分别设置的前卡槽、后卡槽，每个所述前卡槽与一个后卡槽相对应，所述前卡槽的下侧壁和所述后卡槽的下侧壁中的至少一个向上倾斜或向下倾斜，所述前卡槽的上侧壁和所述后卡槽的上侧壁中的至少一个向上倾斜或向下倾斜，且彼此对应的前卡槽和后卡槽中，前卡槽的上侧壁所在的平面与后卡槽的上侧壁所在的平面不平行或不共面，前卡槽的下侧壁所在的平面与后卡槽的下侧壁所在的平面不平行或不共面。

由此，根据本实用新型实施例的石英舟，通过设置在侧板上设置轻微错开的有一定倾斜角度的卡槽，替代了传统的硅片背靠背竖直插在石英舟内的放置方式，可以减小硅片与石英舟的接触面积，并且使硅片稳固地放置在石英舟内部，从而可以良好地实现硅片的单面沉积，可以有效地避免产生绕镀的现象，从而可以提高生产品生产的良率。

在本实用新型的一些示例中，所述前卡槽的横截面为梯形、菱形、三角形中的任一种。

在本实用新型的一些示例中，所述前卡槽自前向后开口逐渐增大，所述后卡槽自前向后开口逐渐减小。

在本实用新型的一些示例中，所述的用于装载硅片的石英舟的彼此对应的所述前卡槽和后卡槽中，所述前卡槽的高度高于所述后卡槽的高度。

在本实用新型的一些示例中，所述前卡槽为自前向后贯通的通槽，所述后卡槽为非通槽，所述后卡槽的后侧壁形成为防止硅片掉出的阻挡部。

在本实用新型的一些示例中，所述载物立板包括左侧板、右侧板以及后侧板，所述左侧板与所述右侧板彼此相对设置，所述左侧板和所述右侧板的内侧均形成有所述前卡槽，所述后侧板的前侧形成有后卡槽，所述后侧板的后壁形成为所述阻挡部；所述石英舟还包括顶板，所述左侧板、所述右侧板、所述后侧板的顶端均与所述顶板连接，所述左侧板、所述右侧板、所述后侧板的底端均与所述底支撑板连接。

在本实用新型的一些示例中，所述载物立板、所述顶板、所述底支撑板一体形成。

在本实用新型的一些示例中，所述底支撑板的下端向下突出并形成至少一个底安装凸座。

根据本实用新型实施例的硅片沉积用装置，包括炉管，所述炉管内限定出容纳腔；承装座，所述承装座安装并设置在所述容纳腔内；以及所述的用于装载硅片的石英舟，多个所述石英舟分别自前向后依次排列，所述石英舟的底支撑板安装于所述承装座的安装槽内。

在本实用新型的一些示例中，所述炉管具有炉口、炉尾，多个所述石英舟自所述炉口向所述炉尾依次排列，每个石英舟的前端靠近炉口且后端远离炉口，所述炉口形成为进风口。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本实用新型实施例的硅片沉积用装置的示意图；

图2是根据本实用新型实施例的石英舟的正视图；

图3是根据本实用新型实施例的石英舟的侧视图；

图4是根据本实用新型实施例的石英舟的局部结构示意图。

附图标记：

石英舟100；硅片沉积用装置200；

底支撑板10；底安装凸座11；

载物立板20；前卡槽21；后卡槽22；下侧壁23；上侧壁24；左侧板25；

右侧板26；后侧板27；阻挡部28；

顶板30；

硅片40；

炉管210；

承装座220

容纳腔230。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的，下面详细描述本实用新型的实施例。

下面参考图1-图4描述根据本实用新型实施例的装载硅片40的石英舟100。

如图1-图4所示，根据本实用新型一些实施例的用于装载硅片40的石英舟100，包括底支撑板10和载物立板20。在底支撑板10的上方与底支撑板10连接的载物立板20，载物立板20具有在前后方向分别设置的前卡槽21、后卡槽22，每个前卡槽21与一个后卡槽22相对应，前卡槽21的下侧壁23和后卡槽22的下侧壁23中的至少一个向上倾斜或向下倾斜，前卡槽21的上侧壁24和后卡槽22的上侧壁24中的至少一个向上倾斜或向下倾斜，且彼此对应的前卡槽21和后卡槽22中，前卡槽21的上侧壁24所在的平面与后卡槽22的上侧壁24所在的平面不平行或不共面，前卡槽21的下侧壁23所在的平面与后卡槽22的下侧壁23所在的平面不平行或不共面。

具体地，底支承板位于石英舟100的底部，载物立板20设置在底支承板的上表面。载物立板20具有一定的高度，从而可以保证多个硅片40可以同时放置在石英舟100内。载物立板20的沿前后方向延伸的两个侧板上分别设置有多个卡槽，每一个前卡槽21与后卡槽22一一对应，相互对应的前卡槽21和后卡槽22用于设置同一个硅片40。相互对应的前卡槽21与后卡槽22在左右方向的载物立板20的侧板上的投影与底支撑板10平行，相互对应的前卡槽21与后卡槽22在前后方向的的载物立板20的侧板上的投影与底支撑板10存在一定的倾斜角度。结合图2-图4，前卡槽21的上侧壁24与后卡槽22的下侧壁23向下倾斜，并且，前卡槽21的下侧壁23与后卡槽22的上侧壁24向上倾斜，并且通过设置前卡槽21与后卡槽22的角度可以保证硅片40放置在石英舟100上具有相同的角度。

根据本实用新型实施例的用于装载硅片40的石英舟100，通过设置在侧板上设置轻微错开的两个有一定倾斜角度的卡槽，替代了传统的将硅片水平放置在石英舟内的放置方式，可以减小硅片40与石英舟100的接触面积，并且使硅片40稳固地放置在石英舟100内部，从而可以良好地实现硅片40的单面沉积，可以有效地避免产生绕镀的现象，从而可以提高生产品生产的良率。

进一步地，前卡槽21的横截面可以为梯形、菱形、三角形中的任一种但不局限于此，前卡槽21的横截面也可以设置为其他适用的形状。硅片40与前卡槽21接触方式可以为线接触，这样设置可以有效地避免前卡槽21的位置使硅片40表面生长氧化硅，并且可以减小对多晶硅层的遮挡。

根据本实用新型的一些实施例，结合图4，前卡槽21自前向后开口逐渐增大，后卡槽22自前向后开口逐渐减小。前卡槽21和后卡槽22的下侧壁23共同支撑硅片40来保证硅片40可以稳固的放置在石英舟100上。这样设置可以进一步地保证放置在石英舟100上的硅片40与前卡槽21和后卡槽22的下侧壁23为线接触，从而可以保证硅片40的稳定性。

可选地，如图3-图4所示，彼此对应的前卡槽21和后卡槽22中，前卡槽21的高度高于后卡槽22的高度。也就是说，前卡槽21的垂直方向的中心线与后卡槽22垂直方向的中心线存在轻微的错位，但相对应的前卡槽21与后卡槽22在前后方向的载物立板20上的投影大部分重合，轻微的错位可以保证硅片40可以稳固地放置在石英舟100上，可以避免硅片40发生滑出的问题。

具体地，前卡槽21为自前向后贯通的通槽，后卡槽22为非通槽，后卡槽22的后侧壁形成为防止硅片40掉出的阻挡部28。这样设置的阻挡部28可以避免在水平或者竖直方向插片时，硅片40从卡槽内掉落，从而可以提高硅片40放置在石英舟100内的稳定性。

根据本实用新型的一些实施例，如图2-图3所示，载物立板20包括左侧板25、右侧板26以及后侧板27，左侧板25与右侧板26彼此相对设置，左侧板25和右侧板26的内侧均形成有前卡槽21，后侧板27的前侧形成有后卡槽22，后侧板27的后壁形成为阻挡部28。石英舟100还包括顶板30，左侧板25、右侧板26、后侧板27的顶端均与顶板30连接，左侧板25、右侧板26、后侧板27的底端均与底支撑板10连接。通过设置阻挡部28，可以在石英舟100竖直放置时有效地避免倾斜的硅片40滑出石英舟100，从而可以保证硅片40放置在石英舟100内时的稳定性。阻挡部28可以保证每个后卡槽22内放置的

进一步地，载物立板20、顶板30、底支撑板10可以一体形成。这样设置的石英舟100结构更加牢靠。

可选地，底支撑板10的下端向下突出并形成至少一个底安装凸座11。底安装凸座11可以设置为两个，两个底安装凸座11可以间隔开地固定在底支撑板10下端，其可以支撑石英舟100，保证石英舟100的稳定性。

根据本实用新型的一些实施例，在任意一个卡槽内可以放置至少一个硅片40。可选地，可以放置两个硅片40，并且两个硅片40在同一卡槽内背靠背放置。由于硅片40的重力作用，两个硅片40在同一卡槽内的硅片40紧贴，可以有效地实现单面沉积，避免出现绕镀的现象。

根据本实用新型实施例的石英舟100，当石英舟100竖直放置时，其高度可以为0.3m-0.5m，并且，石英舟100的长度与宽度的尺寸相同。硅片40的厚度可以为160um-180um，硅片40的的长度与宽度的尺寸可以与石英舟100长度与宽度的尺寸大约相同，其可以设置为156.75mm，但并不局限于此，石英舟100的尺寸可以根据所需要装载的硅片40的尺寸进行制定。

根据本实用新型实施例的硅片沉积用装置200包括炉管210、承装座220和多个石英舟100。炉管210内限定出容纳腔230，承装座220安装并设置在容纳腔230内，多个石英舟100分别自前向后依次排列，石英舟100的底支撑板10安装于承装座220的安装槽(图未示出)内。参照图1，承装座220设置于容纳腔230的底部，承装座220上设有间隔排列的多个安装槽。例如，承装座220可以设置为多金属或陶瓷材质。石英舟100的底安装凸座11可以恰好被容置固定在安装槽内，这样设置可以使石英舟100稳固地固定在炉管210内。

根据本实用新型实施例的炉管210具有炉口、炉尾，多个石英舟100自炉口(图未示出)向炉尾(图未示出)依次排列，每个石英舟100的前端靠近炉口且后端远离炉口，炉口形成为进风口。结合图1，设置在炉管210内的石英舟100为并排竖直放置，由此，硅片40放置的方向为水平放置。在炉管210的左侧位置设有炉口，气流沿水平方向流通，硅片40的方向与气流的方向一致，从而可以使插片方式镀膜的均匀性更好。可选地，炉口位于炉管210的左侧，炉尾设置于炉管210的右侧，气流方向从左到右流通。

根据本实用新型实施例的硅片沉积用装置200的其他构成例如安全保护系统和温控系统等以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。