技术特征：
1.一种金属氧化物阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、栅极、缓冲层、半导体图形、源极、漏极、氧化铝层和保护层；所述栅极、所述缓冲层、所述半导体图形依次层叠设置在所述衬底基板上，所述源极和所述漏极连接于所述半导体图形的两侧，所述氧化铝层覆盖所述半导体图形，所述保护层层叠设置在所述源极、所述漏极和所述氧化铝层上。2.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述氧化铝层覆盖所述半导体图形、所述源极和所述漏极。3.根据权利要求1所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述氧化铝层为通过原子沉积方式形成的膜状结构。4.根据权利要求3所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为5.根据权利要求4所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为6.根据权利要求1-5任一项所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述缓冲层包括依次设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层为氮化硅层，所述第二缓冲层为氧化硅层；所述半导体图形设置在所述第二缓冲层上。7.根据权利要求1-5任一项所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述保护层包括层叠设置的有机绝缘层和无机绝缘层，所述无机绝缘层位于所述有机绝缘层的背离所述氧化铝层的一侧。8.根据权利要求7所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述有机绝缘层为有机感光树脂层，所述无机绝缘层为氮化硅层。9.根据权利要求1-5任一项所述的金属氧化物阵列基板，其特征在于，还包括透明导电层，所述保护层上设置有接触过孔，所述透明导电层通过所述接触过孔与所述漏极电连接。10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的金属氧化物阵列基板。