专利名称：具有npnm结构的光敏晶闸管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种新颖的光敏器件，特别是一种结构为NPNM的光敏晶闸管。
现有的光敏晶闸管，都是采用NPNP结构的。但是，实践和理论都已证明，采用NPNM结构(M表示金属)，也可以制成晶闸管。本实用新型的任务是制造NPNM结构的光敏晶闸管。
本实用新型的任务是以下述方式完成的。采用具有较高电阻率的N型硅单晶，在抛光面上用平面工艺制造一个光敏三极管，在蒸铝和光刻铝后磨去底面的一层，露出原始衬底N型材料，然后使之与金属良好接触，即制成NPNM结构。把管芯用有透光窗口的封装元件封装起来，就得到一个NPNM结构的光敏晶闸管。
用这一方法制造光敏晶闸管，具有简便易行，成品率高、工时短等优点。
附
图1是NPNM光敏晶闸管管芯结构剖面图。
实施例。用电阻率高于5欧姆·厘米的N型硅单晶，用平面工艺制造NPN光敏三极管，管芯制成后磨去底面一层，露出原始N型硅，用真空蒸发法在该面蒸金，合金化，即成NPNM光敏晶闸管管芯。
权利要求1.一种光敏晶闸管，其特征在于具有NPNM结构；
2.一种光敏晶闸管，其特征在于，所用硅材料的电阻率高于5欧姆·厘米。
专利摘要本实用新型公开了一种光敏器件，特别是具有NPNM结构的光敏晶闸管，它具有生产简易，成品率高，工时短等优点。
文档编号H01L31/11GK2063695SQ9020253
公开日1990年10月10日 申请日期1990年3月10日 优先权日1990年3月10日
发明者张君和 申请人:武汉大学