专利名称：聚偏氟乙烯压电薄膜的制备方法
技术领域：
本发明属于聚偏氟乙烯压电薄膜的制备方法。
聚偏氟乙烯压电薄膜在航天、电子、医疗、传感器等行业得到广泛应用，它与陶瓷压电材料相比具有柔软，可制成大面积传感器和换能器的特点，因此受到人们的广泛重视。-1985年彭建帮等人在中国科技大学学报第15卷第二期上公开的“γ晶型转变为β晶型的聚偏氟乙烯的压电性”研究中，压电薄膜的制备方法采用聚偏氟乙烯树脂，用二甲酰胺丙酮溶液在平板玻璃上成膜，在电子拉力机上拉伸，在硅油中进行极化，用EVA胶将铝箔贴在表面形成电极。由于在玻璃基板上采用溶液成膜，不利于大规模生产，在硅油中极化需增加清洗工序，用胶粘接电极，使膜接触电阻大。
本发明的目的是提供一种采用聚偏氟乙烯树脂为原料，挤出成膜，在拉伸机上拉伸，再进行镀膜，极化的聚偏氟乙烯压电薄膜的制备方法。
本发明采用聚偏氟乙烯树脂作原料，在挤出机头上210℃温度进行挤出成膜，再进行拉伸，拉伸比为3.5～5.5倍，拉伸温度80～100℃，所拉膜宽150mm，厚10μm～200μm，切成片状，将薄膜缠绕在辊上，在60-100℃温度下热处理30分钟冷却，将薄膜卷盖在镀膜机的真空室内转动辊上，用两条胶带或两条金属箍，将薄膜边缘遮盖5～10mm，之后，首先进行辉光放电一分钟，然后镀铝电极，将镀好的薄膜绷紧夹在一个支架的两个夹子上，放入保温室中在60～90℃加高压直流电压2000～4000V/cm，制得压电参数d33值达10～34的聚偏氟乙烯压电薄膜。
本发明由于采用挤出机挤出成膜，有利于大规模生产，极化直接在保温室中进行，工艺简单，用胶带或金属箍将薄膜边缘遮盖住后镀膜，再进行极化提高了薄膜的耐击穿电压。减少了腐蚀去边电极，减少了工序、不在硅油中极化，减少了污染，可大规模生产，压电常数提高。
本发明提供的实施例如下实施例1将粒状树脂在机头温度210℃挤出成膜，在80℃拉伸3.5倍，得厚度为10μm厚的薄膜，在60℃下热处理30分钟，压边，在10-5真空度下镀铝电极。在80℃温度下，在2000V/cm直流电压下极化得到的压电薄膜压电参数d33为10。
实施例2将粒状聚偏氟乙烯树脂，在机头温度210℃挤出成膜在90℃下拉伸5.5倍，得厚度120μm薄膜，切片，再在100℃，放置28分钟进行热处理之后冷却，在真空室中压边，在10-5真空度下镀铝电极，在70℃温度下，在4000伏/cm直流电压下极化后取出，测压电d33参数为31。
实施例3将粒状树脂在机头温度210℃下挤出成膜，在100℃下进行拉伸4.2倍，得膜厚200μm，在96℃下热处理30分钟，在镀膜室中包边，在10-5真空度下首先辉光放电1分钟，然后镀铝电极，在90℃温度下，在3000V/cm直流电压下通电30分钟之后，取出测压电参数d33＝20。
实施例4将粒状聚偏氟乙烯树脂，在机头温度210℃挤出成膜在85℃下拉伸4倍，得厚度90μm薄膜，切片，再在100℃，放置30分钟进行热处理之后冷却，在真空室中压边，在10-5真空度下镀铝电极，在60℃温度下，在4000伏/cm直流电压下极化后取出，测压电d33参数为34。
权利要求
1.一种聚偏氟乙烯压电薄膜的制备方法，其特征在于采用聚偏氟乙烯树脂作原料，在挤出机头上210℃温度进行挤出成膜，再进行拉伸，拉伸比为3.5～5.5倍，拉伸温度80～100℃，所拉膜宽150mm，厚10μm～200μm，切成片状，将薄膜缠绕在辊上，在60-100℃温度下热处理30分钟冷却，将薄膜卷盖在镀膜机的真空室内转动辊上，用两条胶带或两条金属箍，将薄膜边缘遮盖5～10mm，之后，首先进行辉光放电一分钟，然后镀铝电极，将镀好的薄膜绷紧夹在一个支架的两个夹子上，放入保温室中，在60～90℃加高压直流电压2000～4000V/cm，制得压电参数d33值达10～34的聚偏氟乙烯压电薄膜。
全文摘要
本发明属于聚偏氟乙烯压电薄膜的制备方法。本发明采用聚偏氟乙烯树脂为原料,挤出成膜,在拉伸机上拉伸,之后热处理,在真空室中镀铝电极,极化直接在保温室中进行,最后制得压电参数d
文档编号H01L41/26GK1187045SQ96118958
公开日1998年7月8日 申请日期1996年12月31日 优先权日1996年12月31日
发明者刘雅言 申请人:中国科学院长春应用化学研究所