本发明涉及一种薄膜，具体是一种薄膜的制作方法。
背景技术：
于电阻式触摸屏而言，无论采用G+G(Glass+Glass)结构还是采用F+G(Film+Glass)结构，触摸屏ITO Film和ITO玻璃上的电阻都很高，ITO薄膜很薄，其表面粗糙度比较低，在触控结束后都需要少量时间分离，即触控存在一定的滞留时间，影响触控响应速度。同时，G+G结构式触摸屏在上下片玻璃接触瞬间会发出“吱吱”声，此声音一些厂家称为异音，在夜间或安静的地方显得尤为突出。所以触摸屏厂家一般希望电阻屏用ITO玻璃的ITO薄膜的表面粗糙度越大越好，特别是G+G结构的电阻式触摸屏，上下片玻璃的ITO薄膜的表面粗糙度越高，触控结束后越利于表面导电玻璃和底层导电玻璃间的分离，提高触摸屏的响应速度。同时，当两片玻璃的粗糙度比较大时，摁下表面玻璃而在玻璃接触时没有异常声音，从而体验感觉更佳。目前，为了提高表面粗糙度，采用了对玻璃进行抛光、化学法腐蚀玻璃表面或喷砂的方法，通过提升玻璃基板的粗糙度来提升触摸屏的响应速度，从而提升触控体验。然而，现有抛光、化学腐蚀或喷砂的方式虽然可以提高玻璃表面的表面粗糙度，但无法提高ITO薄膜的表面粗糙度。同时，增加以上过程都将进一步提高生产成本、压榨利润空间，不利于生产安排、降本增效，也不利于提升公司的营业利润。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种薄膜的制作方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种薄膜的制作方法，包括如下步骤：提供衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在230～300℃，在还原性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，ITO薄膜沉积步骤之前，只通Ar气，流量为0，ITO薄膜沉积的第一阶段，O2流量分步增加，从0一直增加到最大值。
作为本发明进一步的方案：所述在所述衬底上制备ITO薄膜的步骤是采用磁控溅射在所述衬底上制备ITO薄膜。
作为本发明进一步的方案：所述提供衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在230～300℃的步骤是将所述衬底维持在260～270℃。
作为本发明进一步的方案：所述ITO薄膜沉积的第二阶段，O2流量分步减小，由最大值逐步减小到0。
作为本发明进一步的方案：在O2流量分步增加或分步减小的过程中，分步时间为3s～8s；分步O2流量为0.05～0.2sccm。
作为本发明进一步的方案：O2流量呈等差数列分步增加或分步减小。
作为本发明进一步的方案：所述ITO薄膜沉积的第二阶段，在O2流量分步减小之前，还包括过渡步骤，所述过渡步骤中O2流量保持最大值不变。
作为本发明再进一步的方案：所述流量保持最大值不变的时间为10s。
与现有技术相比，本发明的有益效果O2是：本发明在还原性气体氛围中制备ITO薄膜，生成In、Sn氧化物饱和态和不饱和态共存的固溶体的多晶体薄膜，控制ITO薄膜向有利于提高表面粗糙度的方向生长，实现提高ITO薄膜的表面粗糙度的目的。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明实施例中，一种薄膜的制作方法，包括如下步骤：提供衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在230～300℃，在还原性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，ITO薄膜沉积步骤之前，只通Ar气，O2流量为0，ITO薄膜沉积的第一阶段，O2流量分步增加，从0一直增加到最大值。所述在所述衬底上制备ITO薄膜的步骤是采用磁控溅射在所述衬底上制备ITO薄膜。所述提供衬底，对所述衬底进行加热，并将所述衬底维持在230～300℃的步骤是将所述衬底维持在260～270℃。所述ITO薄膜沉积的第二阶段，O2流量分步减小，由最大值逐步减小到0。在O2流量分步增加或分步减小的过程中，分步时间为3s～8s；分步O2流量为0.05～0.2sccm。O2流量呈等差数列分步增加或分步减小。所述ITO薄膜沉积的第二阶段，在O2流量分步减小之前，还包括过渡步骤，所述过渡步骤中O2流量保持最大值不变。所述O2流量保持最大值不变的时间为10s。
衬底根据需要选择。当需要将ITO薄膜应用于LCD、电阻式触摸屏或电容式触摸屏时，衬底一般为玻璃衬底。首先对衬底进行清洗，并干燥后对衬底进行加热，并将衬底维持至230～300℃。在还原性气体氛围中，在衬底上制备ITO薄膜，其中，还原性气体选自氢气、水蒸气及一氧化碳中的一种，或选自氩气和氢气的混合气体、氩气和水蒸气的混合物气体及氩气和一氧化碳的混合物气体中的一种。可以采用磁控溅射在衬底上制备ITO薄膜。在还原性气体氛围中制备ITO 薄膜，利用还原性气体调整ITO薄膜中In、Sn的氧化程度和生成不同晶面特征峰，实现提高ITO薄膜的表面粗糙度的目的。
还原性气体的流量太低，则难以达到提高ITO薄膜的粗糙度的效果；而还原性气体的流量太高，则会使ITO薄膜中In、Sn金属集聚现象过于明显，从而产品的透过率过低而 难以满足透过率需要，并且还原性气体含量过高也易出现In和Sn金属晶须，在特殊灯光下观察会发现有蓝雾现象，经擦拭后影响ITO膜层电阻，影响使用效果。
实施例1
提供0.7mm玻璃衬底，并对玻璃衬底进行清洗，然后将玻璃装入镀膜线，利用镀膜线的加热器在玻璃行进过程中对玻璃衬底逐渐加热至270℃，并维持在270℃。2、制备 ITO 薄膜时通入NO2作为氧化性气体，在氧化性气体氛围中，采用磁控溅在玻璃衬底上制备透过率为93％、电阻范围为400～600欧姆的电阻式触摸屏用高透TP-400欧姆ITO玻璃。其中，NO2的流量为0.6sccm，采用Ar作为工艺气体，Ar的流量为120sccm，磁控溅射的电压为312V，功率为1.85kw，镀膜节拍为150s。采用岛津生产UV2450分光光度计测定ITO薄膜的透光率为≥93％。采用广州半导体所生产SDY-5型四探针仪测定所制备的ITO薄膜的面电阻为478～505欧姆，将制备得到的产品正常包装，放置于正常温湿度(温度≤25℃，湿度≤60％)控制的仓库内放置，并于仓库存放2天、7天、15天，再分别采用相同的方法测定ITO薄膜的面电阻，结果为475～513欧姆。将该产品进行清洗、酸刻并同ITO Film贴合成TP成品后，再撕掉ITO Film，测试ITO玻璃面电阻，结果为468～523欧姆。可见，采用该方法制备的ITO薄膜的电阻很稳定，避免了按传统的方法在制备的时候提供电阻值使电阻值后续自然降低而带来的均匀性差的问题。
实施例2
提供0.55mm玻璃衬底，并对玻璃衬底进行清洗并干燥，然后对玻璃衬底进行加热至250℃，并维持在250℃。2、通入水蒸气作为还原性气体，在还原性气体氛围中，采用磁控溅射在玻璃衬底上制备透过率90％以上、电阻400～600欧姆的普通TP用ITO玻璃。其中，水蒸气的流量为6sccm，采用Ar作为工艺气体，Ar的流量为120sccm，磁控溅射的电压为327V，功率为3.15kw，镀膜节拍为56s。采用岛津生产UV2450分光光度计测定ITO薄膜的透光率为≥90％。采用PSIA公司制造的XE-100原子力显微镜测试ITO薄膜的表面粗糙度Ra≥0.8nm。除了不在还原性气体氛围中进行镀膜以外，按上述相同的气体工艺制备ITO薄膜，采用相同的测定方法测定ITO薄膜的表面粗糙度Ra≤0.4nm。可见，在还原性气氛中制备的ITO薄膜，能够提高ITO薄膜的表面粗糙度。
实施例3
提供0.5mm玻璃衬底，并对玻璃衬底进行清洗，然后将玻璃装入镀膜线，利用镀膜线的加热器在玻璃行进过程中对玻璃衬底逐渐加热至250℃，并维持在250℃。2、制备 ITO 薄膜时通入NO2作为氧化性气体，在氧化性气体氛围中，采用磁控溅在玻璃衬底上制备透过率为93％、电阻为500欧姆的电阻式触摸屏用高透TP-400欧姆ITO玻璃。其中，NO2的流量为0.6sccm，采用Ar作为工艺气体，Ar的流量为120sccm，磁控溅射的电压为312V，功率为1.85kw，镀膜节拍为150s。采用岛津生产UV2450分光光度计测定ITO薄膜的透光率为≥93％。采用广州半导体所生产SDY-5型四探针仪测定所制备的ITO薄膜的面电阻为478～505欧姆，将制备得到的产品正常包装，放置于正常温湿度(温度≤25℃，湿度≤60％)控制的仓库内放置，并于仓库存放2天、7天、15天，再分别采用相同的方法测定ITO薄膜的面电阻，结果为500欧姆。将该产品进行清洗、酸刻并同ITO Film贴合成TP成品后，再撕掉ITO Film，测试ITO玻璃面电阻，结果为480欧姆。可见，采用该方法制备的ITO薄膜的电阻很稳定，避免了按传统的方法在制备的时候提供电阻值使电阻值后续自然降低而带来的均匀性差的问题。
实施例4
提供0.68mm玻璃衬底，并对玻璃衬底进行清洗并干燥，然后对玻璃衬底进行加热至280℃，并维持在280℃。2、通入水蒸气作为还原性气体，在还原性气体氛围中，采用磁控溅射在玻璃衬底上制备透过率90％以上、电阻480欧姆的普通TP用ITO玻璃。其中，水蒸气的流量为6sccm，采用Ar作为工艺气体，Ar的流量为120sccm，磁控溅射的电压为327V，功率为3.15kw，镀膜节拍为56s。采用岛津生产UV2450分光光度计测定ITO薄膜的透光率为≥90％。采用PSIA公司制造的XE-100原子力显微镜测试ITO薄膜的表面粗糙度Ra≥0.8nm。除了不在还原性气体氛围中进行镀膜以外，按上述相同的气体工艺制备ITO薄膜，采用相同的测定方法测定ITO薄膜的表面粗糙度Ra≤0.4nm。可见，在还原性气氛中制备的ITO薄膜，能够提高ITO薄膜的表面粗糙度。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。