专利名称：涂布抗蚀剂膜的方法和抗蚀剂涂布器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在晶片上涂布抗蚀剂膜的一种涂布方法及一种抗蚀剂涂布器。尤其涉及一种在具有8英寸或更大的大直径晶片上通过旋转涂布工艺涂布一种具有厚度为5500埃或更少的抗蚀剂膜的涂布方法及一种抗蚀剂涂布器。其中，在保护膜的涂布过程中，在报护膜的厚度和膜质量方面，能保持膜平整均匀且有助于膜的平面光滑度。同时，在本说明书中的抗蚀剂指的是包括光刻膜的广义上的抗蚀剂。
在半导体装置的制造工艺中，当通过刻蚀进行图案构成时，在需被刻蚀的涂层上形成所需要的图案的抗蚀剂膜掩膜，且该层是用该掩膜进行刻蚀的。
用于形成掩膜的抗蚀剂膜通常是通过使用抗蚀剂涂布器在晶片上形成一所需的图案而形成的。
另外，由于半导体装置的高集成化，在包扩接线的半导体器件中的每个元件都制造的越来越精细。在产生0.35微米或更高的精细图形标准时，由于在刻蚀工艺中的原因，涂布在晶片上的抗蚀剂膜的厚度制得越来越薄。尤其是，在抗蚀剂涂布过程中，为了确保膜厚度的均匀并防止如在引线孔中见到的反射中的不均匀的产生，需将防止反射膜的厚度设置为2000埃或更厚。
另一方面，为了提高在干刻蚀过程中抗蚀剂分辨图案的精确度及相邻抗蚀剂图案相连接，这需要将防止反射膜和抗蚀剂膜的总厚度设置为7000埃或更少。因此，则需要将抗蚀剂膜的厚度设置为5500埃或更少。
在解释常用涂布方法之前，将首先参照
图1介绍在晶片上涂布一种抗蚀剂的抗蚀剂涂布器。图1显示了旋转涂布型的常规的抗蚀剂涂布器的结构。
如图1所示，抗蚀剂涂布器10具有一个晶片放置台12，当将晶片表面直接向上放置时，使晶片W围绕着与晶片W垂直的轴旋转。抗蚀剂提供喷嘴14向放置在晶片放置台12上的晶片W提供抗蚀剂。涂布器罩16围绕着晶片放置台12和抗蚀剂提供喷嘴14。
晶片放置台12固定于旋转轴18的的上端，该轴穿过涂布器罩16的下部开口并与一个旋转装置一起旋转(图中未显示)。晶片放置台12装在具有一个用以对晶片W进行抽取真空的吸盘装置的晶片放置平面上，且和旋转轴18一起围绕着与晶片放置平面垂直的轴旋转。
涂布器罩16用于收集由于晶片W的旋转由离心力从晶片W而溅射的抗蚀剂粒子，涂布器罩16具有一个外部罩20用于收集在侧向和向上方向溅射的抗蚀剂粒子，及一个内部罩22用以导引从晶片W向下方向溅射至外部罩20的底部的抗蚀剂粒子。
外部罩20具有一个上部的开口24用以导入抗蚀剂提供喷嘴14等类似的东西，且用于放进和取出晶片W。另外，内部罩22装在外部罩20的下部，且内部罩22具有一个环状开口22a，及一个伞状部分22b，其从它的上部开口延伸至涂布器罩16的内部。
抗蚀剂提供喷嘴14通过涂布器罩16的开口24的上部下降，并放置在面对晶片W的抗蚀剂涂层表面的位置。另外，为了清洗晶片W的背面的边缘，一个用于喷射清洗剂的第一清洗喷嘴26通过涂布器罩16的底部开口安装在直接面对晶片W的背面边缘的位置。另外，为了清洗晶片W的表面的边缘，一个用于喷射清洗剂第二清洗喷嘴28通过涂布器罩16的上部开口24安装在直接面对晶片W的边缘的位置。
排出管30与一排出装置(图中未显示)相连接用以排除涂布器罩16内的东西，及一个用以排出收集于涂布器罩16内的抗蚀剂的排出管32与涂布器罩16的底部相连接。
接着，将通过在8英寸晶片形成具有厚度为5500埃的抗蚀剂膜的例子来解释使用上述抗蚀剂涂布器10涂布抗蚀剂膜的常规方法。图2是显示在常规方法中每一步中的晶片的旋转速度的曲线图。
当在8英寸晶片形成具有厚度为5500埃或更薄的如5000埃的抗蚀剂膜时，通常通过以下步骤完成涂布过程。
具有如7cp(厘泊)级的相对低的粘度的抗蚀剂用于抗蚀剂膜。晶片放置在晶片放置台12上且当晶片以1000转/每分钟(rpm)的低速旋转时，抗蚀剂首先通过抗蚀剂提供喷嘴14滴到抗蚀剂上，且抗蚀剂在整个晶片的抗蚀剂涂布表面扩散，持续4秒钟。
接着，停止滴抗蚀剂，且晶片以5000转/每分钟的速度旋转19秒，从而形成了具有所需厚度5000埃的抗蚀剂膜。
随后，从第一清洗喷嘴26喷清洗剂20秒中，清洗晶片W的背面的边缘。同样，从第二清洗喷嘴28喷清洗剂，清洗晶片W的表面的边缘。至此，涂布步骤终结。
接着，过程进行到以下烘干步骤，在这个步骤中完全清除抗蚀剂中残留的溶液。
然而，按照常规的涂布方法，在8英寸或更厚的晶片上涂布具有5500埃或更薄的抗蚀剂膜时，膜的厚度和膜的质量在平面内的不均匀性是不受欢迎的，因此膜的厚度和膜的质量产生偏差。例如，当在8英寸或更大的晶片上进行高速旋转涂布时，发生在晶片平面内的抗蚀剂膜的厚度的误差在90埃或更大的范围内。
接着，问题发生在涂布步骤之后的光刻步骤和刻蚀步骤。例如，在刻蚀步骤中出现了接线宽度的不均匀的难题，影响产品的产量。
尤其是，在8英寸或更大直径的晶片上，在滴了抗蚀剂之后，当晶片以5000转/每分钟的速度旋转20秒钟或更长时间时，涂层的不均匀发生在从晶片的外周边向内20毫米宽度处的周边部分的固定环上。例如，按照上述方法的例子中，涂层的不均匀发生在晶片的圆周边部分，由于涂层的不均匀，抗蚀剂膜厚度的误差发生在晶片的中心部分和晶片的圆周边部分之间。因此，如图3所示，在晶片的平面内产生的膜的厚度的误差超过了100埃。
相对于6英寸的晶片，例如，当在晶片上滴下抗蚀剂之后，晶片以6000转/每分钟的速度旋转了20秒或更长时间之后，在晶片的圆周部分从不发生涂层的不均匀。
因此，本发明的目的在于提供一种涂布方法，其在晶片上涂布具有令人满意的膜的厚度和膜的质量的平面内的均匀度，即使在晶片具有较大直径时，也在晶片的圆周边产生不均匀，并提供一种用以在晶片上涂布这种抗蚀剂膜的保护膜涂布器。
为了达到上述目的，给出了按照本发明的用于涂布抗蚀剂膜的方法，即通过允许晶片将绕与其表面垂直的轴旋转的在晶片上涂布保护膜的旋转涂层工艺，在8英寸或更大直径的晶片上形成具有厚度为5500埃或更薄的抗蚀剂膜的方法。
该方法包含如下步骤。
首先，在一晶片以500转/每分钟至1200转/每分钟的速度旋转的同时，在该晶片上滴下预定量的抗蚀剂。当抗蚀剂扩散在晶片的整个表面时，停止下滴抗蚀剂。这个步骤称为第一步骤。
其次，晶片的旋转速度由第一步骤的旋转速度提高到晶片的一预定旋转速度，该预定的旋转速度是根据调节抗蚀剂膜厚度的晶片预定旋转速度的一种关联而确定的，并且使该晶片以该预定的速度旋转1至5秒钟。此步骤成为第二步骤。
第三，旋转速度从第二步骤的旋转速度下降，且使晶片以低于在第二步骤的所述的预定的旋转速度的一旋转速度旋转15秒钟或更长时间。此步骤成为第三步骤。
在本发明中，在开始阶段，在第一步骤，采用和常规方法中相同的方法，即当在晶片上滴下抗蚀剂时，通过使晶片以一低的旋转速度旋转而使抗蚀剂在晶片的整个表面扩散。
在第二步骤中，通过使晶片以预定的旋转速度旋转尽量短的时间，如1至5秒钟，使抗蚀剂膜的厚度设置为预定厚度，以便消除在空气流动和空气阻力的影响下，在抗蚀剂膜的涂布过程中晶片的周边部分的不均匀性的产生。所说的晶片的预定的旋转速度的不同取决于将被涂布的抗蚀剂膜的性能。首先，如图4显示的一种关系是作为在试验中确定的抗蚀剂膜的厚度和晶片的预定的旋转速度之间的关系。从这种关系来看，所说的晶片的预定的旋转速度是根据抗蚀剂膜的预定的厚度而确定的。
在第三步骤中，晶片以在其周边部分的抗蚀剂膜的涂层不会产生不均匀性的旋转速度旋转相对长的时间，也就是说，以低于晶片的预定的旋转速度的旋转速度旋转，最好是，以接近晶片的预定的旋转速度的旋转速度旋转，致使在表面上抗蚀剂膜的膜厚度和膜的质量的均匀性被提高。
另外，作为第二步骤的周期的被调节的1至5秒钟时间内包括从第一步骤转换为第二步骤的时间。因此，可更确定的抑制在晶片周边部分的抗蚀剂膜涂布中的不均匀性发生。
使用40cp或更低的，最好是使用具有10cp或更低的高流性及低粘性的有机抗蚀剂用作抗蚀剂，且在第二步骤的预定的旋转速度可以设置为4300转/每分钟至6000转/每分钟.另外，在第三步骤，晶片以从3800转/每分钟至4200转/每分钟范围内的旋转速度旋转。因此，可更好的确保抑制晶片的周边部分的抗蚀剂膜的涂布中的不均匀性发生，可以提高抗蚀剂膜表面的膜厚度和膜质量的均匀性。
用作本发明中的具有40cp或更低的粘性的抗蚀剂，如，可以使用由TokyoOhka Kogyo Co.，Ltd生产的商品名为PAG的抗蚀剂(溶剂的主要成份，硝基苄基甲苯磺酸酯)或商品名为PGMEA(溶剂的主要成份，MEA)的抗蚀剂。
另外，在实际应用中，在第三步骤之后，设置一第四步骤，即当晶片以低于第三步骤的旋转速度旋转的同时，清洗晶片表面和背面的边缘。
尤其是，应分别设置第一步骤的10秒钟至15秒钟的时间，和第四步骤10秒钟至20秒钟的时间。从第一步骤至第四步骤的顺序是被编程的，且涂布工艺是按照该程序自动执行的。
因此，由于对大量的晶片可以使用同一涂布程序，所以可以避免每个晶片的膜厚度和膜质量的不均匀性发生。
按照本发明的方法，在第二步骤中，晶片以一预定的旋转速度旋转1秒或1秒以上至5秒钟或5秒以上，该预定速度是根据控制抗蚀剂膜的厚度的晶片预定旋转速度的一种关联而确定的，接着，在第三步骤中，通过使晶片以低于预定的旋转速度旋转15秒钟或更长时间，在8英寸的晶片上涂布厚度为5000±50埃的抗蚀剂膜，从而避免了涂布抗蚀剂膜的膜厚和膜质量的不均匀性并保持了表面的均匀性。
按照本发明的抗蚀剂涂布器，它是用于采用旋转涂布工艺在晶片上涂布抗蚀剂膜的装置。抗蚀剂涂布器包扩一个晶片放置台，用于放置晶片，以及将晶片表面向上放置并使晶片围绕着与晶片垂直的轴旋转；一个抗蚀剂提供喷嘴，用于向放置在晶片放置台上的晶片提供抗蚀剂；以及一个涂布器罩，其围绕晶片放置台和抗蚀剂提供喷嘴。涂层罩是紧密密封型并与用于减少涂布器罩内的压力的减压装置相连接。
按照本发明的抗蚀剂涂布器具有紧密密封型的涂布器罩，通过抽取涂布器罩的内部，抽取出涂布器罩内部的空气和抗蚀剂溶剂，并用减少压力的装置减少涂布器罩的内部的压力，以使空气密度变得稀薄并且降低了空气流动及空气阻力的影响。
因此，大大地抑制了在晶片的圆周边部分抗蚀剂的涂布中不均匀性的产生，并能够保持在表面范围内的膜厚度和膜质量的均匀性。
最好是在其安装一个背面清洗喷嘴，用于清洗晶片背面的边缘，以及一个表面清洗喷嘴，用于清洗晶片的表面的边缘。
另外，涂层罩分为两个部分，一个上罩及一个下罩。上罩和下罩彼此相连但是是可分开的。
在涂布器罩分为两个部分的情况下，最好是抗蚀剂提供喷嘴和表面清洗喷嘴经过柔性管与上罩相连，并穿过上罩面面对晶片表面的适当位置，而背面清洗喷嘴穿过下罩并面对晶片背面的适当部分。
因此，当要将晶片放在晶片放置台上时，可容易地将上罩与下罩分离开，当放置好晶片后，随后，将上罩与下罩再次连接。
上罩与下罩之间可以通过在它们之间提供环形密封垫的已知的夹紧连接机构，螺栓-螺母连接机构，快速偶合连接机构或者螺钉连接机构相连接。
按照本发明的抗蚀剂涂布器，涂布器罩是以紧密密封性形成的，并与用于减轻罩内压力的减压装置相连接，因此可以降低空气流动和空气阻力的影响，从而实现能够避免在晶片的周边部分涂布抗蚀剂膜中产生不均匀性的涂布器，同时，该装置可以保持在表面范围内的膜厚度和膜质量的均匀性。
图1显示了用于涂布抗蚀剂膜的常规抗蚀剂涂布器的结构的剖视图。
图2是显示了在常规方法的每一步骤中晶片的旋转速度的曲线图。
图3是显示了以常规方法得到的在光刻膜的表面范围内的膜厚度的变化的曲线图。
图4是显示了抗蚀剂膜的厚度和晶片的预定旋转速度之间关系的曲线图。
图5是按本发明的实施例中每一步骤中的晶片的旋转速度的曲线图。
图6是显示了在光刻胶膜的表面的膜的厚度的变化的一个例子的曲线图。
图7是显示了按照一个实施例的抗蚀剂涂布器的结构的剖视图。
图8示出了按照另一个实施例的连接上罩和下罩的方法的剖视图。
下面，将结合附图详细说明本发明最佳实施例。
本发明的发明者在尝试在具有8英寸或更大直径的晶片上涂布薄厚度的抗蚀剂膜中，发现以下几点是引起在平面内的膜的厚度和膜的质量的不均匀性。
(1)当晶片以比4300转/每分钟或更高的旋转速度旋转时，在晶片上的抗蚀剂的流动和扩散是受涂布器罩内的空气流动影响的，结果是阻止了抗蚀剂的平缓流动和扩散。换句话说，晶片的周边的线速度变得相当高。因此，在涂布器罩内的空气在晶片的周边部分和空气之间变成具有摩擦力的气流或涡流。由于这种气流和空气的摩擦阻力，阻止晶片上的抗蚀剂的平缓流动和扩散，结果是产生了较大的涂层不均匀性和膜的厚度的不均匀性。
(2)具有40cp或更低的低粘性的抗蚀剂的厚度主要取决于在滴下抗蚀剂后的瞬间的短时间内的晶片的旋转速度，也就是，在滴下抗蚀剂后的3秒钟至5秒钟内的旋转速度，且滴下抗蚀剂后的瞬间的晶片的旋转速度控制抗蚀剂膜的厚度。因此，通过在滴下抗蚀剂后的瞬间的3秒钟至5秒钟短时间内使晶片以控制抗蚀剂膜的预定的厚度的预定的旋转速度旋转，可以获得预定的抗蚀剂膜的厚度。
相反，为了消除涂布的不均匀性和抗蚀剂膜的厚度的不均匀性，即使当晶片以空气气流或空气阻力对抗蚀剂的扩散几乎没有影响的速度旋转，如，以4000转/每分钟或更低的速度旋转，也不可能获得厚度为5500埃或更薄的薄抗蚀剂膜。
(3)在滴下抗蚀剂之后，通过使晶片以可以调节膜的厚度的预定的旋转速度旋转，随后使晶片以一低于预定的旋转速度的速度旋转，可以获得在平面内的膜的厚度和膜的质量的均匀性。
在以上发现的基础上，本发明的发明者在重复了多次试验之后，完成了本发明，下面将详述本发明。
给出了一个按照本发明在晶片上涂布抗蚀剂膜的方法的例子作为实施例。
按照本实施例的在晶片上涂布抗蚀剂膜的方法，是通过使用前面提到的用于在晶片上涂布抗蚀剂膜的常规抗蚀剂涂布器10，采用旋转涂布工艺在8英寸的晶片上涂布具有5000埃厚的抗蚀剂膜的方法，并使用具有粘性为40cp或更小的有机抗蚀剂膜。
首先，在第一步骤中，当使晶片以500至1200转/每分钟的速度旋转时，在晶片上滴下预定量的抗蚀剂(在图5中的第一步骤)，随后当抗蚀剂在晶片的整个表面扩散时，停止滴下抗蚀剂。
接着，通过提高旋转速度，过程从第一步进行到第二步。然后，晶片以4300至6000转/每分钟的旋转速度旋转1至5秒钟(图5中所示的第二步骤)。被调节作为第二步骤的1秒或多于1秒钟至5秒或少于5秒钟的时间，包括从第一步骤到第二步骤的转换时间。
接着，通过降低旋转速度，工艺过程从第二步骤进行到第三步骤。然后，晶片以3800至4200转/每分钟的旋转速度旋转15秒钟或更长的时间，(图5中所示的第三步骤)。
接着，在第4步中，当晶片以1000转/每分钟或更大至1500转/每分钟的旋转速度旋转时，晶片的表面的边缘和晶片的背面的边缘得以清洗。(图5中所示的第四步骤)。
为了评估本发明的方法，在和上述提到的实施例的例子基本相同的条件下进行了涂布抗蚀剂膜的试验。图5是显示在本试验中每一个步骤的时间过程的曲线图。
在本试验中，使用上述用于在晶片上涂布抗蚀剂膜的涂布器10，并使用由Tokyo Ohka Kogyo有限公司生产的抗蚀剂膜(具有10cp的粘性)用于在8英寸的在晶片上涂布抗蚀剂膜的抗蚀剂。
首先，作为第一步，当晶片放置在图1所示的用于在晶片上涂布抗蚀剂膜的涂布器10的晶片放置台12上的同时，如图5中所示，在13秒钟内在晶片上滴抗蚀剂，并且晶片以1000转/每分钟的旋转速度旋转使得抗蚀剂在晶片的整个表面扩散。
接着，在开始滴下抗蚀剂13秒钟之后，停止滴抗蚀剂。作为第二步，在2秒钟内将晶片的旋转速度提高到5670转/每分钟，并且将5670转/每分钟的旋转速度维持1秒钟。
接着，工艺过程进行到第三步，晶片的旋转速度降低到4000转/每分钟，并且将4000转/每分钟的旋转速度维持18秒钟。
在第四步中，晶片的旋转速度在0.5秒钟内降低到1200转/每分钟，并且，将晶片的背面的边缘和晶片的表面的边缘清洗20秒钟。
接着，烘烤涂布的光刻膜。并测量光刻膜的厚度。在图6中显示了测量的厚度。
如在图6中所示，在晶片的中心和它的周边之间的膜的厚度的不均匀性最多为40埃。
在本实施例中，解释了在晶片上用于涂布抗蚀剂膜的常规抗蚀剂涂布器的一个例子，尤其是，本实施例中的抗蚀剂涂布器用于阻止在晶片的周边部分涂布抗蚀剂膜时的不均匀性的发生，可以进一步提高在表面范围内的膜厚度和膜质量的均匀性。
本实施例是按照本发明的用以涂布抗蚀剂膜的一个例子。图7是显示按照本发明的一个实施例的用以涂布抗蚀剂膜的装置的结构的剖视图。图8是按照本发明的另一个实施例的用以连接上罩与下罩的连接方法的剖视图。
按照本发明的实施例的用于涂布抗蚀剂膜的抗蚀剂涂布器40装有与压力减少装置相连接紧密密封型的涂布器罩42。
涂布器罩42分为两个部分，一个上罩44，及一个下罩46。上罩和下罩在它们的连接部都相应地具有一个凸缘，上罩44和下罩46是通过常用的快速型的螺栓和螺母机构48的方式，用手工将其间插入有环性密封圈50的凸缘连接。通过分开螺栓和螺母机构48，可将上罩44和下罩46分开。同样，如图8所示，具有已知结构的夹子49的夹紧连接装置也可用于代替螺栓和螺母连接装置48。
抗蚀剂提供喷嘴14和第二清洗喷嘴28分别通过柔性管52和54与上罩44相连接，并穿过上罩44与晶片W的适当部分面对。
另外，涂布器罩42经过装在下罩46的底部的吸收部分56与装有一个真空泵的压力减少装置相连(图中未显示)。在晶片上涂布抗蚀剂膜的工艺过程中，涂布器罩42的内部保持在压力减少状态。
本发明的实施例中的用于涂布抗蚀剂膜的抗蚀剂涂布器40除了上面所描述的结构外，具有和上述常规涂布器相同的结构。
在按照本发明的实施例中的用于涂布抗蚀剂膜的抗蚀剂涂布器40中，涂布器罩42是紧密密封型，且在涂布器罩中的空气和抗蚀剂溶液被吸收，因此，气体密度变得稀薄从而减少了空气的流动和气体的阻力。
因此，在按照涂布抗蚀剂膜的常规方法在晶片上涂布抗蚀剂时，在晶片的周边部分涂布抗蚀剂膜的不均匀性的发生可以大大地降低。
同时，可以很大程度上抑制在晶片的周边部分涂布抗蚀剂膜的不均匀性的产生，且通过使用按照本发明的用以在晶片上涂布抗蚀剂膜的方法，使用按照本发明的实施例中的用以涂布抗蚀剂膜的抗蚀剂涂布器40，可以进一步提高在表面范围内的膜厚度和膜质量的均匀性。
权利要求
1.一种抗蚀剂膜的涂布方法，其中通过使晶片W围绕着与其表面垂直的轴旋转，在具有8英寸或更大直径的晶片上通过旋转涂布工艺涂布一层厚度为5500埃或更薄的抗蚀剂膜，该方法包含如下的步骤在晶片上滴下预定量的抗蚀剂的同时，使晶片以500转/每分钟至1200转/每分钟的转速旋转，并且当抗蚀剂扩散在晶片的整个表面上时，停止下滴抗蚀剂；晶片的旋转速度由第一步骤的旋转速度提高到晶片的一预定旋转速度，该预定的旋转速度是根据调节抗蚀剂膜的厚度的晶片预定旋转速度的一关联而确定的，并使晶片以该预定旋转速度旋转1秒钟或多于1秒钟至5秒钟或少于5秒钟；以及将旋转速度由第二步骤的旋转速度下降，并且使晶片以一低于所说的在第二步骤的预定旋转速度的旋转速度旋转15秒钟或更长时间。
2.按照权利要求1所述的抗蚀剂膜的涂布方法，其特征在于，确定为第二步骤的周期的1至5秒钟时间内包括从第一步骤到第二步骤的转换时间。
3.按照权利要求1所述的抗蚀剂膜的涂布方法，其特征在于，其中使用40cp或更低的有机抗蚀剂，并且在第二步骤的预定旋转速度可以设置为4300转/每分钟至6000转/每分钟。
4.按照权利要求3所述的抗蚀剂膜的涂布方法，其特征在于，在第三步骤晶片是以3800转/每分钟至4200转/每分钟之间的旋转速度旋转。
5.按照权利要求1所述的用于抗蚀剂膜的涂布方法，其特征在于，其中在第三步骤之后，设置一第四步骤，即当晶片以低于第三步骤的旋转速度旋转时，清洗晶片表面和背面的边缘。
6.按照权利要求5所述的抗蚀剂膜的涂布方法，其特征在于，应分别设置10秒钟和15秒钟的时间以及10秒钟至20秒钟的时间作为第一步骤所需的时间和第四步骤所需的时间，从第一步骤至第四步骤的顺序是被编程的，并且涂布工艺过程是根据该程序自动进行的。
7.一种抗蚀剂涂布器，用于通过旋转涂布工艺在晶片上涂布抗蚀剂膜，其中包扩一个晶片放置台，用以在将晶片表面直接向上放置的同时，使晶片围绕着与其表面垂直的轴旋转；一个抗蚀剂提供喷嘴，用于向放置在晶片放置台上的晶片提供抗蚀剂；一个涂布器罩，其围绕晶片放置台和抗蚀剂提供喷嘴，涂层罩是紧密密封型；一个用于减少涂布器罩内的压力的减压装置。
8.按照权利要求7所述的抗蚀剂涂布器，其特征在于它还包扩一个背面清洗喷嘴用以清洗晶片背面的边缘，一个表面清洗喷嘴用以清洗晶片表面的边缘。
9.按照权利要求7所述的抗蚀剂涂布器，其特征在于，涂层罩分为上罩及下罩两个部分，上罩和下罩可手工连接在一起但是它们是可分开的。
10.按照权利要求9所述的抗蚀剂涂布器，其特征在于，抗蚀剂提供喷嘴和表面清洗喷嘴经过柔性管与上罩相连并穿过上罩，同时背面清洗喷嘴穿过下罩并面对晶片背表面的适当部位。
全文摘要
在具有8英寸或更大直径晶片上通过旋转涂布工艺涂布厚度为5500埃或更薄的抗蚀剂膜。在晶片以500至1200转/每分钟的速度旋转时,向晶片滴下预定量的抗蚀剂,当抗蚀剂在晶片的整个表面扩散时,停止下滴抗蚀剂。晶片的旋转速度提高到晶片的预定的旋转速度,该预定的旋转速度是由控制抗蚀剂膜厚度的晶片预定旋转速度的关联而确定的,并使晶片以该速度旋转1至5秒钟。然后使晶片以低于预定转速的速度旋转15秒钟或更长时间。
文档编号H01L21/027GK1248058SQ99119540
公开日2000年3月22日 申请日期1999年9月2日 优先权日1998年9月4日
发明者与那霸真哉 申请人:日本电气株式会社