制作阵列基板的方法和阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例涉及一种用于显示装置的阵列基板，尤其涉及一种制作阵列基板的方法和利用该方法制作的阵列基板。
【背景技术】
[0002]目前，作为一种有机薄膜电致发光器件，有机发光二极管(OrganicLightEmitting D1de, OLED)单元以及有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix OrganicLight Emitting D1de,AMOLED)单元，由于具有抗震性好、视角广、操作温度宽、对比度高、可实现柔性显示等特点，不但广泛应用于显示装置中，也广泛应用于照明领域。
[0003]一般地，一个像素结构包括用于限定像素开口的像素界定层(TOL)、以及设置在像素开口上的OLED单元。设置在基板上的用做透明阳极层的第一电极层和作为金属阴极层的第二电极之间的发光层由有机半导体材料制成，并依次包括蒸镀空穴注入层、空穴传输层和电子注入层。当OLED单元获取到适当的电力供应时，分别从第一电极层和第二电极层注入空穴和电子，然后将空穴和电子传导至发光层，并在发光层发生辐射复合，发光层的外层电子吸收载流子复合释放能量后处于激发态，实现发光，所发出的光从像素开口射出。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例提供一种制作阵列基板的方法和利用该方法制作的阵列基板，可以减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量。
[0005]根据本发明一个发明的实施例，提供一种制作阵列基板的方法，所述阵列基板包括:设置在薄膜晶体管层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的用于发光器件的第一电极。所述方法包括如下步骤:利用单个掩模板通过一次构图工艺在平坦层上形成用于设置所述第一电极的像素界定层、用于第一电极的过孔、以及隔垫物。
[0006]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述一次构图工艺包括如下步骤:
[0007]在所述平坦层上涂覆光刻胶；
[0008]利用掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影；
[0009]采用刻蚀工艺，在平坦层的不同区域去除具有不同厚度的部分平坦层，以在平坦层上形成过孔、隔垫物和像素界定层；以及
[0010]将未去除的光刻胶剥离。
[0011 ] 根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，在利用掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影的步骤中，穿过所述掩模板的曝光光束的强度不同，使得在执行曝光和显影工艺之后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶第一半保留部分、以及光刻胶完全去除部分。其中，所述光刻胶完全保留部分与所述隔垫物相对应，所述光刻胶完全去除部分与所述过孔相对应，所述光刻胶第一半保留部分与所述像素界定层相对应。
[0012]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述光刻胶为正性光刻胶，所述掩模板包括分别与所述过孔、像素界定层和隔垫物相对应的第一区域、第二区域和第三区域。其中，所述曝光光束在所述第一区域的透过率大于在第二区域的透过率，在第二区域的透过率大于在第三区域的透过率。
[0013]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述曝光光束在所述第一区域的透过率为100%，在第二区域的透过率为65% -75%，在第三区域的透过率为零。
[0014]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述第一区域为穿过所述掩模板厚度的通孔，所述第二区域的厚度小于第三区域的厚度。
[0015]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述掩模板还包括与用做平坦层的表面相对应的第四区域，所述曝光光束在所述第四区域的透过率大于第三区域的透过率并小于第二区域的透过率。
[0016]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述曝光光束在所述第四区域的透过率为25% -35%。
[0017]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，在所述过孔和像素界定层采用物理气相沉积工艺形成电连接至所述薄膜晶体管层的漏极的第一电极，其中所述像素界定层所在的区域相对于平坦层的表面形成有凹陷部。
[0018]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述光刻胶为负性光刻胶，所述掩模板包括分别与所述过孔、像素界定层和隔垫物相对应的第五区域、第六区域和第七区域。其中，所述曝光光束在所述第五区域的透过率小于在第六区域的透过率，在第六区域的透过率小于在第七区域的透过率。
[0019]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述曝光光束在所述第五区域的透过率为零，在第六区域的透过率为25% -35%，在第七区域的透过率为100%。
[0020]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述第五区域的厚度大于第六区域的厚度，所述第七区域为穿过所述掩模板厚度的通孔。
[0021]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述掩模板还包括与用做平坦层的表面相对应的第八区域，所述曝光光束在所述第八区域的透过率小于第七区域的透过率并大于第六区域的透过率。
[0022]根据本发明的一种实施例的制作阵列基板的方法，所述曝光光束在所述第八区域的透过率为65% -75%。
[0023]根据本发明的另一方面的实施例，提供一种阵列基板，所述阵列基板由上述各种实施例所述的方法制成。
[0024]根据本发明上述实施例的制作阵列基板的方法和利用该方法制作的阵列基板，利用单个掩模板通过一次构图工艺形成像素界定层、过孔以及隔垫物，减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量，从而简化了阵列基板的制作工艺，降低了制作成本。
【附图说明】
[0025]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明，其中:
[0026]图1是根据本发明的第一种示例性实施例的方法在制作阵列基板的过程中形成薄膜晶体管时的局部剖视图；
[0027]图2是在图1的基础上形成平坦层时的局部剖视图；
[0028]图3a_3e表示图2的基础上根据本发明的第一种示例性实施例的方法采用构图工艺形成过孔、像素界定层和隔垫物的操作过程的局部剖视图；
[0029]图4是图3e的基础上形成第一电极层时的局部剖视图；
[0030]图5是根据本发明的第二种示例性实施例的方法在制作阵列基板的过程中采用构图工艺形成过孔、像素界定层和隔垫物时所使用的掩模板的局部剖视图。
【具体实施方式】
[0031]下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
[0032]根据本发明总体上的发明构思，提供一种制作阵列基板的方法，所述阵列基板包括:设置在薄膜晶体管层上的平坦层以及设置在所述平坦层上的用于发光器件的第一电极。所述方法包括如下步骤:利用单个掩模板通过一次构图工艺在平坦层上形成用于设置所述第一电极的像素界定层、用于第一电极的过孔、以及位于所述像素界定层上的隔垫物。利用单个掩模板通过一次构图工艺在平坦层上形成像素界定层、过孔以及隔垫物，减少了构图工艺的次数，减少了掩模板的使用数量，从而简化了阵列基板的制作工艺，降低了制作成本。
[0033]在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
[0034]图2是在图1的基础