角度，可以是可调节的。从流体射流向基材的第二表面分配流体的角度，可以是可相对于基材的表面移动的。基材可以是可相对于流体射流的流体喷嘴移动的。基材和流体射流的流体喷嘴两者，可以是看相对于彼此移动的。流体从流体射流向基材的第二表面分配的角度，可以是可随时间改变的。
[0071 ] 在流体射流撞击在晶片的薄膜已被分离的区域上的一种实施方式中，撞击在被分离的管芯上的流体的角度优选地距法线入射小于约45度。这种角度限制降低了在流体射流运行期间来自于流体射流的压力引起被分离的管芯从基材支承物移除的可能性(例如，在偏离法向的角度下，流体射流可能引起被切单的管芯失去与切割条带的粘附并丢失)。
[0072]从流体射流的喷嘴分配的流体相对于基材表面的高度可以是可调节的。在薄膜切单过程中，从流体射流的喷嘴分配的流体相对于晶片表面的高度可以保持恒定。在背衬金属过程中，从流体射流的喷嘴分配的流体相对于晶片表面的高度可以改变。
[0073]可以控制从流体射流分配的流体的温度。从流体射流分配的流体可以含有液体(例如水)、固体和/或气体(例如氮气)。从流体射流分配的流体可以含有小滴。小滴直径可以小于约1_。小滴直径可以小于约100微米。从流体射流分配的流体可以含有在液体中的气泡。从流体射流分配的流体可以含有不混溶液体、表面活性剂和/或抗腐蚀添加剂。从流体射流分配的流体可以是气雾剂。
[0074]当从流体射流分配时，流体射流的能量通量可足以损坏薄膜。当从流体射流分配时，流体射流的能量通量可以移除一部分薄膜。当从流体射流分配时，流体射流的能量通量可以损坏一部分薄膜。
[0075]薄膜分离宽度可以由基材上的切割宽度决定。基材上的薄膜分离维度小于划道区。基材上的薄膜分离维度可能等于划道区。在管芯区域中可以发生最小的薄膜分离或损坏，或者在管芯区域中可以不发生薄膜分离。任何可能发生在管芯区域中的薄膜损坏不损害器件性能。
[0076]重要的是指出，尽管上面的方法结合等离子体蚀刻切单来描述流体射流技术，但流体射流方法可以与基本上移除所有晶片材料、留下连接管芯的薄膜的所有切单技术是相容的。所述方法特别适合用于在管芯之间留下基本上不被基材支承的薄膜的切割技术。
[0077]本公开包括权利要求书中包含的内容以及前面描述的内容。尽管本发明已在其具有一定程度的特殊性的优选形式中进行描述，但应该理解，所提出的优选形式的公开仅仅是出于示例而做出的，并且可以对构造详情以及部件的组合和排列进行多个改变，而不背离本发明的精神和范围。
【主权项】
1.一种用于切割具有背衬金属的基材的方法，所述方法包括: 提供具有第一表面和第二表面的基材，所述第二表面与所述第一表面相对，在所述基材的所述第一表面上提供掩模层，在所述基材的所述第二表面上提供薄膜层； 经过所述掩模层切割所述基材的所述第一表面，以暴露出所述基材的所述第二表面上的所述薄膜层；以及 在通过所述切割步骤已暴露出所述薄膜层后，将来自于流体射流的流体施加到所述基材的所述第二表面上的所述薄膜层。
2.权利要求1的方法，其中所述薄膜层还包含金属层。
3.权利要求2的方法，其中所述金属层为大约I至5微米厚。
4.权利要求1的方法，其中将来自于所述流体射流的所述流体分配在所述基材上的一定区域上，所述区域大于所述基材上的划道宽度。
5.权利要求1的方法，其中来自于所述流体射流的所述流体具有一定的射流直径，所述射流直径大于所述基材上的管芯直径。
6.权利要求1的方法，其中在将所述流体施加到所述薄膜层期间，所述流体射流是脉冲的。
7.权利要求1的方法，其中在将所述流体施加到所述薄膜层期间，来自于所述流体射流的所述流体被不对称地分配。
8.权利要求1的方法，其中来自于所述流体射流的所述流体还包含液体。
9.权利要求8的方法，其中来自于所述流体射流的所述流体还包含水。
10.权利要求8的方法，其中来自于所述流体射流的所述流体还包含固体。
11.权利要求1的方法，其中来自于所述流体射流的所述流体还包含气体。
12.权利要求11的方法，其中来自于所述流体射流的所述流体还包含液体。
13.权利要求11的方法，其中来自于所述流体射流的所述流体还包含固体。
14.权利要求1的方法，其中在将所述流体施加到所述薄膜层期间，所述流体射流除去一部分所述薄膜层。
15.权利要求1的方法，其中所述蚀刻步骤留下一部分所述薄膜层。
16.权利要求1的方法，其中所述蚀刻步骤对所述薄膜层具有选择性。
17.权利要求1的方法，其还包括从所述第一表面暴露出所述薄膜层。
18.一种用于切割具有背衬金属的基材的方法，所述方法包括: 提供具有壁的处理室； 提供与所述处理室的壁邻接的等离子体源； 在所述处理室内提供基材支承物； 提供具有第一表面和第二表面的基材，所述第二表面与所述第一表面相对，在所述基材的所述第一表面上提供掩模层，在所述基材的所述第二表面上提供薄膜层； 将所述基材放置到所述基材支承物上； 使用所述等离子体源产生等离子体； 使用产生的等离子体经过所述掩模层蚀刻所述基材的所述第一表面，所述蚀刻步骤暴露出所述基材的所述第二表面上的所述薄膜层；以及 在通过所述蚀刻步骤已暴露出所述薄膜层后，将来自于流体射流的流体施加到所述基材的所述第二表面上的所述薄膜层上。
19.权利要求18的方法，其中在将所述流体施加到所述薄膜层期间，所述流体射流是脉冲的。
20.权利要求18的方法，其中在将所述流体施加到所述薄膜层期间，来自于所述流体射流的所述流体被不对称地分配。
21.权利要求18的方法，其中来自于所述流体射流的所述流体还包含液体。
22.权利要求18的方法，其中所述蚀刻步骤留下一部分所述薄膜层。
23.权利要求18的方法，其中所述蚀刻步骤对所述薄膜层具有选择性。
24.权利要求18的方法，其还包括从所述第一表面暴露出所述薄膜层。
25.一种用于切割基材的方法，所述方法包括: 提供具有壁的处理室； 提供与所述处理室的壁邻接的等离子体源； 在所述处理室内提供工件支承物； 提供具有第一表面和第二表面的基材，所述第二表面与所述第一表面相对，在所述基材的所述第一表面上提供掩模层，以及在所述基材的所述第二表面上提供薄膜层； 将工件放置在所述工件支承物上，所述工件具有支承膜、框架和所述基材； 使用所述等离子体源产生等离子体； 使用产生的等离子体经过所述掩模层蚀刻所述基材的所述第一表面，所述蚀刻步骤暴露出所述基材的所述第二表面上的所述薄膜层；以及 在通过所述蚀刻步骤已暴露出所述薄膜层后，将来自于流体射流的流体施加到所述基材的所述第二表面上的所述薄膜层上。
26.权利要求25的方法，其中在将所述流体施加到所述薄膜层期间，所述流体射流是脉冲的。
27.权利要求25的方法，其中在将所述流体施加到所述薄膜层期间，来自于所述流体射流的所述流体被不对称地分配。
28.权利要求25的方法，其中来自于所述流体射流的所述流体还包含液体。
29.权利要求25的方法，其中所述蚀刻步骤留下一部分所述薄膜层。
30.权利要求25的方法，其中所述蚀刻步骤对所述薄膜层具有选择性。
31.权利要求25的方法，其还包括从所述第一表面暴露出所述薄膜层。
【专利摘要】本发明提供了一种用于切割具有背衬金属的基材的方法，所述方法包括下列步骤。所述基材提供有第一表面和第二表面，其中所述第二表面与所述第一表面相对。在所述基材的第一表面上提供掩模层，并在所述基材的第二表面上提供薄膜层。经过所述掩模层切割所述基材的第一表面，以暴露出所述基材的第二表面上的所述薄膜层。在通过所述切割步骤已暴露出所述薄膜层后，将来自于流体射流的流体施加到所述基材的第二表面上的所述薄膜层。
【IPC分类】H01L33-00, B28D5-00, H01L21-78, H01L31-18
【公开号】CN104737285
【申请号】CN201380051012
【发明人】彼得·法尔沃, 林内尔·马丁内斯, 大卫·佩斯-沃拉德, 里什·高尔丁, 鲁塞尔·韦斯特曼
【申请人】等离子瑟姆有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年9月25日
【公告号】EP2901476A1, US20140094018, WO2014052445A1