。优选为，实施干式镀覆法形成10nm?3000nm厚度的干式锻覆层(例如10nm?2000nm厚度、10nm?100nm厚度或者10nm?500nm厚度)之后，实施湿式镀覆法在干式镀覆层上形成10 ym?500 ym厚度的湿式镀覆层，由此形成引出电极。即，相对于干式镀覆层非常薄，湿式镀覆层设置得较厚。因为湿式镀覆层这样设置得较厚，所以能够作为整体将引出电极设置得较厚。
[0087]通过干式镀覆法而形成的干式镀覆层优选包含例如从由Ti (钛)、Cr (铬)以及Ni (镍)构成的组中选择出的至少I种金属材料。另一方面，通过湿式镀覆法而形成的湿式镀覆层优选包含从由Cu (铜)或Al (铝)构成的组中选择出的至少I种金属材料。
[0088]另外，虽然只不过是一例，但干式镀覆层并不限于形成为一层，也可以形成为多层。例如，作为干式镀覆层，也可以通过溅射来形成Ti薄膜层和Cu薄膜层(更具体来说，也可以在形成Ti薄膜层之后形成Cu薄膜层)。在该情况下，优选在该2层结构的溅射层上通过电解镀覆而形成厚Cu镀覆层作为湿式镀覆层。
[0089]通过干式镀覆法以及湿式镀覆法而形成的镀覆层优选进行图案化处理使得具有所希望的形态。具体来说，通过对镀覆层进行图案化处理，从而能够最终得到“整体地覆盖有源面的同时较大地伸展的形态”的引出电极。换言之，通过进行图案化处理，能够最终使引出电极成为所希望的形态。该图案化处理只要是在电子安装领域已在使用的处理就没有特别限制。例如，可以利用实施抗蚀剂形成?曝光/显影?蚀刻等的光刻来实施所希望的图案化处理。
[0090]以下，以更具体的方式对本发明的制造方法进行说明。
[0091](第3实施方式)
[0092]本实施方式相当于用于制造上述实施方式I的发光装置的方法。图9(a)?(g)中示意性地示出了与本发明的制造方法相关联的工艺。
[0093]在第3实施方式的制造方法中，首先如图9(a)所示，使发光元件10 (具体来说在周缘部局部地设置元件电极、并且在其内侧大范围地设置了元件电极的发光元件)成为将其有源面固着于载体板60的形态。载体板60在固着发光元件10的面具有粘合性等固着性，因此，通过在载体板60上搭载发光元件10来将发光元件10进行固定(另外，载体板的粘合部相对柔软，能够将发光元件固定为元件电极陷入到载体板的粘合部中)。作为载体板60，能够使用例如带有粘合剂的胶带材料等。
[0094]接下来，如图9(b)所示，使发光元件10的未固着于载体板60的外周埋设到支承体61中。具体来说，将LED照明等所使用的含有荧光体的透明光学树脂从搭载于载体板60的发光元件10侧进行涂敷，并进行热压，由此将发光元件10埋设于透明光学树脂并且进行板状成型。
[0095]接下来，如图9(c)所示，剥离载体板60。作为这样“固着发光元件10并形成了支承体61之后能够剥离的载体板60”，能够使用通过给定温度下的加热而能够起泡、剥离的薄片、通过反过来进行冷却从而固着力下降而能够剥离的薄片，还能够使用通过UV照射从而粘合材料硬化而剥离的类型等。通过经过到该图9(c)为止的工序，从而以发光元件10的有源面与支承体61的主面大致成为同一面的形态由支承体61对发光元件10的外周进行支承固定。
[0096]发光元件的支承固定完成后进行引出电极的形成。具体来说，如图9(d)所示，在发光元件10的有源面与支承体61主面上形成引出电极62。在该工序中，在发光元件的有源面以及支承体主面的整个面形成用于形成引出电极的基底层，对基底层进行了铜等的电极材料的电镀以作为电极之后，进行电极材料的图案蚀刻和所露出的基底层的蚀刻，由此能够较厚地形成引出电极62。在该较厚的引出电极的形成时，能够适当地利用各种镀覆法。例如，能够在利用干式镀覆法形成了基底层之后，通过实施湿式镀覆法来形成比元件电极更厚的引出电极。干式镀覆法包含真空镀覆法(PVD法)以及化学气相镀覆法(CVD法)。真空镀覆法(PVD法)包含溅射、真空蒸镀以及离子镀等。另一方面，湿式镀覆法包含电镀法(例如电解镀覆)、化学镀覆法以及熔融镀覆法等。尤其是可以利用干式镀覆法形成“由相对较小的平均粒径构成的基底层”，然后，利用湿式镀覆法形成“由相对较大的平均粒径构成的引出电极”(参照图10)。即，可以利用干式镀覆法形成“具有比引出电极的粒径小的平均粒径的晶体结构的基底层”，另一方面，通过实施湿式镀覆法来形成“具有比基底层的粒径大的平均粒径的晶体结构的引出电极”。利用干式镀覆法所形成的基底层的平均粒径可以为2 μπι以下，另一方面通过湿式镀覆层而形成的引出电极的平均粒径可以为5 μπι以上。如更具体地进行例示，则可以是“基底层中的平均粒径”为0(除去O)?2μπι，另一方面“引出电极中的平均粒径”为5μπι?20μπι。这里所说的“粒径”指的是，基于图10所示那样的“沿着引出电极的厚度方向切断的剖视图像”而计算出的粒径值。例如，“粒径”意味着具有与根据那样的剖视图像而得到的晶粒的面积相同的面积的圆的直径尺寸，“平均粒径”意味着将那样的粒径作为数量平均(例如50个的数量平均)而计算出的值。
[0097]另外，也可以形成基底层，在其上形成光致抗蚀剂，在没有抗蚀剂的部分使电极材料镀覆生长，然后进行抗蚀剂去除和所露出的基底层去除，通过这样的所谓半加成法来形成引出电极。
[0098]接下来如图9(e)所示，按照引出电极62图案来形成绝缘膜63。其目的是为了防止在基板安装时引出电极图案间的短路。为了形成该绝缘膜63，能够使用作为阻焊层而使用的绝缘树脂材料。
[0099]接下来如图9(f)所示，利用与引出电极62的形成同样的方法来进一步形成引出电极的凸部64。
[0100]在引出电极的形成后进行切割处理。也就是说，即，通过使用切割刀片将单片之间进行切断而单片化。具体来说，如图9(g)所示，按照图9(e)所示的虚线部65进行单片分割而成为单个的发光装置。
[0101]通过经过以上的制造方法，从而如下的本申请的特征工艺方式得到实现:使发光元件10的有源面与支承体61的主面成为大致同一面，由支承体61对发光元件10在其外周进行支承固定，并通过引出电极62从发光元件10经其外周到支承体61主面上进行布线引出。另外，在所述本发明的制造方法中，无需如现有技术那样按照每个发光元件进行引线连接、倒装芯片连接，能够实现针对多个发光元件10 —并直接形成引出布线、封装件形态，生产性高。
[0102](第4实施方式)
[0103]本实施方式相当于用于制造上述实施方式2的发光装置的方法。图11(a)?(f)中示意性地示出了与本发明的制造方法相关联的工艺。
[0104]首先如图11(a)所示，在与实施方式3同样地具有固着性的载体板70上，将发光元件10以及齐纳二极管71的有源面侧搭载并固着于载体板70。此外，设置有与发光元件以及齐纳二极管71的搭载位置相当的孔的框体72也搭载并固着在载体板70上。在此，搭载发光元件、齐纳二极管、框体的顺序并无特别限制，只要采用考虑了生产性等的顺序即可。
[0105]接下来如图11(b)所示，用填充材料填满搭载于载体板70的发光元件、齐纳二极管、框体等的空隙而形成填充构件73。填充材料可以是实施方式3中支承体所使用的透明光学树脂等。接下来如图11(c)所示，剥离载体板70。通过到该图11(c)为止的工序，从而发光元件10被埋设于填充材料73中，发光元件10的有源面与填充构件73以及框体72的主面成为大致同一面，发光元件10在其外周由填充构件73支承固定。
[0106]发光元件的支承固定完成之后进行引出电极的形成。如图11(d)所示，与上述实施方式3中的引出电极形成同样地，在发光元件10的有源面与填充构件73以及框体72的主面上进行引出电极74的形成。与第3实施方式同样地，例如实施干式镀覆法形成了基底层之后，通过实施湿式镀覆法，能够形成比元件电极厚的引出电极。即，可以在利用干式镀覆法形成“由更小的平均粒径构成的基底层”之后，利用湿式镀覆法形成“由更大的平均粒径构成的引出电极”(参照图10)。
[0107]接下来如图11(e)所示，与上述实施方式3的绝缘膜形成同样地，按照引出电极74图案来形成绝缘膜75。然后，如图11(f)所示，按图11(e)所示的虚线部76单片分割为单个的发光装置。即，具体来说，用切割刀片将单片间进行切断来实施单片化处理。
[0108]通过经过以上的制造方法，从而如下的本申请的特征工艺方式得到实现:使发光元件10的有源面与构成支承体的填充构件73以及框体72的主面成为大致同一面，由填充构件73对发光元件10在其外周进行支承固定，并通过引出电极74从发光元件10经其外周到填充构件73以及框体72主面上进行布线引出。另外，在第4实施方式中，不仅发光元件，将作为齐纳二极管等的发光装置所需要的电路部件内置于封装件的特征工艺方式也得到实现。
[0109]最后，明确附记本发明具有下述方式。
[0110]第I方式:一种发光装置，其构成为具有发光元件、元件电极、引出电极以及支承体，
[0111]以支承体的主面与发光元件的有源面成为齐平的形态，由支承体对发光元件进行支承固定，
[0112]与元件电极进行面连接的引出电极，整体地覆盖发光元件的有源面，并且超过发光元件的周缘部而延伸到支承体的主面。
[0113]第2方式:在上述第I方式中，发光装置的特征在于，元件电极设置在有源面上，并且还设置在发光元件的周缘部的至少一部分上。
[0114]第3方式:在上述第I方式或第2方式中，发光装置的特征在于，引出电极以通过发光元件的周缘部的一半以上的区域那样的形态延伸到支承体的主面。
[0115]第4方式:在上述第I?3方式中的任一项中，发光装置的特征在于，引出电极延伸到支承体的外缘。
[0116]第5方式:在上述第I?4方式中的任一项中，发光装置的特征在于，引出电极比元件电极厚。
[0117]第6方式:在上述第5方式中，发光装置的特征在于，引出电极的厚度为1ymW上。
[0118]第7方式:在上述第I?6方式中的任一项中，发光装置的特征在于，引出电极的厚度局部不同，发光元件的附近区域的引出电极部分比其周边部分厚。
[0119]第8方式:在上述第I?7方式中的任一项中，发光装置的特征在于，元件电极被划分为至少2个，并且对应于该划分开的元件电极而引出电极与元件电极分别单独地进行面连接。
[0120]第9方式:在上述第I?8方式中的任