射阶梯状部分44a?44c及第2前端部29b由大约同一方向的高频电流形成数个共振。
[0109]再者，天线1A中，被第I及第2共振区域27、28的第I及第2前端部29a、29b所诱导的高频电流，以及被第2辐射区域38的第I及第2后端部41、43所诱导的高频电流形成共振，且被第I及第2共振区域27、28(第I及第2内侧部30a、30b)所诱导的高频电流及被第I辐射区域37所诱导的高频电流形成共振。
[0110]天线1A中，由于第2辐射区域38及第I与第2共振区域27、28形成数个共振，且第I与第2共振区域27、28及第I辐射区域37形成共振，因此能够获得频带不同的数个共振频率。天线1A能够获得频带不同的数个共振频率，由于所获得的数个共振频率连续的比邻，且该些共振频率的一部分重叠，因此能够广泛的扩大天线1A的使用频带。天线1A能够达成VSWR为2以下，且其在使用能够能的频率频带(相对频带)内的全部的频带中，能够传送或接收电波，并能够使用于宽频带(wide band)，且只要一个即能够传送接收宽频带的电波。
[0111]天线1A中，第I与第2共振区域27、28的第I与第2内侧部30a、30b及中心轴线SI之间的间隔尺寸在0.5?1.0mm的范围，第I与第2接地区域32、33的第I与第2内侧部35a、35b及中心轴线SI之间的间隔尺寸在1.9?1mm的范围。该些间隔尺寸超过该范围的话，则天线1A的使用能够能的频率频带在最宽广的状态形成饱和，而无法更进一步的扩大天线1A的频率频带。天线1A中，由于使该些间隔尺寸于该范围内进行变更，而能够调整天线1A的使用频带的广狭，且能够使共振频带更稳定。
[0112]由于天线1A使该些间隔尺寸形成在该范围，因此电波的共振效率形成最佳，能够更有效率的使第2辐射区域38及第I与第2共振区域27、28形成数个共振，且能够更有效率的使第I与第2共振区域27、28及第I辐射区域37形成共振。
[0113]天线1A中，接地用导体14的轴方向的长度尺寸在10?15cm的范围，且长度尺寸设定在700MHz的约1/4波长(约λ/4)的长度。由于使长度尺寸形成该范围内，且长度尺寸形成700MHz的约1/4波长的长度，因此在维持天线1A的小型化的状态下，能够使低限截止频率降低至700MHz。
[0114]图4是揭示作为另一个实例的天线1B的俯视图，图5是揭示作为另一个实例的天线1C的俯视图。图4的天线1B与图1的该些不同的地方，其在介电体基板11(印刷基板)形成贯穿其的第I及第2槽缝45a、45b ;图5的天线1C与图1的该些不同的地方，其在介电体基板11 (印刷基板)形成贯穿其的数个第I及第2贯通孔46a、46b。由于该些天线10B、10C的其他构成与图1的天线1A的该些相同，因此附加与图1的天线1A相同的符号，且援用天线1A的说明，因此省略该些天线10B、10C的其他构成的说明。
[0115]天线10B、10C与图1的天线同样的由介电体基板11、不平衡供电件12、共振用导体13、接地用导体14及辐射用导体15所构成。介电体基板11或不平衡供电件12、共振用导体13、接地用导体14、辐射用导体15与图1的天线1A的该些相同。再者，第I与第2共振区域27、28的第I与第2内侧部30a、30b及中心轴线SI之间的间隔尺寸，或第I与第2接地区域32、33的第I与第2内侧部35a、35b及中心轴线SI之间的间隔尺寸，其与图1的天线1A的该些相同。共振用导体13的轴方向的长度尺寸与接地用导体14的轴方向的长度尺寸的共计尺寸，其与图1的天线1A的尺寸相同。
[0116]在天线1B的第I共振区域27的第I前端部29a及第2辐射区域38的第I后端部41之间延伸的介电体基板11上，形成贯穿基板11的第I槽缝45a。在天线1B的第2共振区域28的第2前端部29b及第2辐射区域38的第2后端部43之间延伸的介电体基板11，形成贯穿基板11的第2槽缝45b。
[0117]第I槽缝45a位于辐射阶梯状部分42(第I?第3辐射阶梯状部分42a?42c)的附近，由第I后端部41随着朝向轴方向前方，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜延伸。换句话说，第I槽缝45a形成沿着第I?第3辐射阶梯状部分42a?42c延伸。第2槽缝45b位于辐射阶梯状部分44(第I?第3辐射阶梯状部分44a?44c)的附近，由第2后端部43随着朝向轴方向前方，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜延伸。换句话说，第2槽缝45b形成沿着第I?第3福射阶梯状部分44a?44c延伸。
[0118]在天线1C的第I共振区域27的第I前端部29a及第2辐射区域38的第I后端部41之间延伸的介电体基板11上，其形成贯穿基板11的数个第I贯通孔46a。在天线1C的第2共振区域28的第2前端部29b及第2辐射区域38的第2后端部43之间延伸的介电体基板11上，其形成贯穿基板11的数个第2贯通孔46b。
[0119]第I贯通孔46a位于辐射阶梯状部分42 (第I?第3辐射阶梯状部分42a?42c)的附近，由第I后端部41随着朝向轴方向前方，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜排列。换句话说，第I贯通孔46a形成沿着第I?第3辐射阶梯状部分42a?42c排列。第2贯通孔46b位于辐射阶梯状部分44 (第I?第3辐射阶梯状部分44a?44c)的附近，由第2后端部43随着朝向轴方向前方，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜排列。换句话说，第2贯通孔46b形成沿着第I?第3福射阶梯状部分44a?44c排列。
[0120]该些天线10B、10C，除了图1的天线1A所具有的效果以外，还具有以下的效果。由于天线10B、10C位于第I?第3福射阶梯状部分42a?42c、44a?44c的附近，且使第I及第2槽缝45a、45b或第I及第2贯通孔46a、46b形成在介电体基板11上，而能够降低在第I与第2共振区域27、28的第I与第2前端部29a、29b及第2辐射区域38的第I与第2后端部41、43之间延伸的基板11的结合容量，因此能够减少不会变成电波而变化为热的比例，而能够广泛的提升作为天线10B、10C的电波变换效率的因素的tan δ。天线10B、10C借助在福射阶梯状部分42a?42c、44a?44c的附近的介电体基板11上，形成槽缝45a、45b或贯通孔46a、46b，而能够提升该些的辐射增益，并能够使电波飞散的更远。
[0121]图6是揭示作为另一个实例的天线1D的俯视图。图6的天线1D与图1或图4、5的该些不同的地方，其形成有第I及第2空隙部47a、47b。由于天线1D的其他构成与图1或图4、5的天线1A?1C的该些相同，因此附加与图1或图4、5的天线1A?1C相同的符号，且援用天线1A?1C的说明，因此省略天线1D的其他构成的说明。
[0122]在第I共振区域27的第I前端部29a及第2辐射区域38的第I后端部41之间，形成介电体基板11不存在的空隙部47a。在第2共振区域28的第2前端部29b及第2辐射区域38的第2后端部43之间，形成介电体基板11不存在的空隙部47b。该些空隙部47a、47b由中心轴线SI随着朝向宽度方向外侧，形成轴方向的尺寸逐渐增大的三角形状，惟空隙部47a、47b的形状并不只限定为三角形，只要在第I前端部29a及第I后端部41之间或第2前端部29b及第2后端部43之间，制成介电体基板11不存在的任何形状的部位即能够。
[0123]天线1D除了图1的天线1A具有的效果以外，还具有以下的效果。由于天线1D在第I共振区域27的第I前端部29a及第2辐射区域38的第I后端部41之间，或第2共振区域28的第2前端部29b及第2辐射区域38的第2后端部43之间，形成介电体基板11不存在的第I及第2空隙部47a、47b，而能够广泛的降低第I与第2共振区域27、28的第I与第2前端部29a、29b及第2辐射区域38的第I与第2后端部41、43之间的结合容量，因此能够减少不会变成电波而变化为热的比例，而能够广泛的提升作为天线1D的电波变换效率的因素的tan δ。天线1D借助形成该些空隙部47a、47b，而能够提升该些的辐射增益，并能够使电波飞散的更远。
[0124]图7是揭示作为另一个实例的天线1E的俯视图。图7中，以箭头符号A表示轴方向，以箭头符号B表示宽度方向，且以虚线表示中心轴线SI。图7的天线1E与图1的该些不同的地方，其在第I共振区域27的第I前端部29a形成数个共振阶梯状部分48，在第2共振区域28的第2前端部29b形成数个共振阶梯状部分49，且在第I接地区域32的第I后端部34a形成数个衰减阶梯状部分50，在第2接地区域33的第2后端部34b形成数个衰减阶梯状部分51。由于天线1E的其他构成与图1的天线1A的该些相同，因此附加与图1的天线1A相同的符号，且援用天线1A的说明，因此省略天线1E的其他构成的说明。
[0125]天线1E与图1的天线同样的由介电体基板11、不平衡供电件12、共振用导体13、接地用导体14及辐射用导体15所构成。介电体基板11或不平衡供电件12、共振用导体13、接地用导体14、辐射用导体15与图1的天线1A的该些相同。再者，第I与第2共振区域27、28的第I与第2内侧部30a、30b及中心轴线SI之间的间隔尺寸，或第I与第2接地区域32、33的第I与第2内侧部35a、35b及中心轴线SI之间的间隔尺寸，其与图1的天线1A的该些相同。共振用导体13的轴方向的长度尺寸与接地用导体14的轴方向的长度尺寸的共计尺寸，其与图1的天线1A的尺寸相同。
[0126]在第I共振区域27的第I前端部29a，由中心轴线SI随着朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向后方阶段性凹陷的(由区域27的第I外侧部31a随着朝向中心轴线SI朝轴方向前方阶段性膨胀)数个共振阶梯状部分48。共振阶梯状部分48具有位于中心轴线SI旁边且由第I共振区域27的第I前端部29a朝轴方向后方凹陷的第I共振阶梯状部分48a，及位于第I共振阶梯状部分48a的宽度方向外侧且由第I共振阶梯状部分48a朝轴方向后方凹陷的第2共振阶梯状部分48b，以及位于第2共振阶梯状部分48b的宽度方向外侧且由第2共振阶梯状部分48b朝轴方向后方凹陷的第3共振阶梯状部分48c。再者，共振阶梯状部分48的数目并不只限定为3个，亦能够由4个以上的共振阶梯状部分48所制成。
[0127]在第2共振区域28的第2前端部29b，由中心轴线SI随着朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向后方阶段性凹陷的(由区域28的第2外侧部31b随着朝向中心轴线SI朝轴方向前方阶段性膨胀)数个共振阶梯状部分49。共振阶梯状部分49具有位于中心轴线SI旁边且由第2共振区域28的第2前端部29b朝轴方向后方凹陷的第I共振阶梯状部分49a，及位于第I共振阶梯状部分49a的宽度方向外侧且由第I共振阶梯状部分