49a朝轴方向后方凹陷的第2共振阶梯状部分49b，以及位于第2共振阶梯状部分49b的宽度方向外侧且由第2共振阶梯状部分49b朝轴方向后方凹陷的第3共振阶梯状部分49c。再者，共振阶梯状部分49的数目并不只限定为3个，亦能够由4个以上的共振阶梯状部分49所制成。
[0128]相对于第I与第2共振区域27、28的第I与第2前端部29a、29b及第2辐射区域38的第I与第2后端部41、43的轴方向的间隔尺寸，第I与第2共振区域27、28的第I共振阶梯状部分48a、49a及第2辐射区域38的第I辐射阶梯状部分42a、44a的轴方向的间隔尺寸较大；相对于第I共振阶梯状部分48a、49a及第I辐射阶梯状部分42a、44a的轴方向的间隔尺寸，第2共振阶梯状部分48b、49b及第2辐射阶梯状部分42b、44b的轴方向的间隔尺寸较大；相对于第2共振阶梯状部分48b、49b及第2辐射阶梯状部分42b、44b的轴方向的间隔尺寸，第3共振阶梯状部分48c、49c及第3辐射阶梯状部分42c、44c的轴方向的间隔尺寸较大。
[0129]在第I接地区域32的第I后端部34a，由中心轴线SI随着朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的(由区域32的第I外侧部36a随着朝向中心轴线SI朝轴方向后方阶段性膨胀)数个衰减阶梯状部分50。衰减阶梯状部分50具有位于中心轴线SI旁边且由第I接地区域32的第I后端部34a朝轴方向前方凹陷的第I衰减阶梯状部分50a，及位于第I衰减阶梯状部分50a的宽度方向外侧且由第I衰减阶梯状部分50a朝轴方向前方凹陷的第2衰减阶梯状部分50b。再者，衰减阶梯状部分50的数目并不只限定为2个，亦能够由3个以上的衰减阶梯状部分50所制成。
[0130]在第2接地区域33的第2后端部34b，由中心轴线SI随着朝向宽度方向外侧，形成朝轴方向前方阶段性凹陷的(由区域33的第2外侧部36b随着朝向中心轴线SI朝轴方向后方阶段性膨胀)数个衰减阶梯状部分51。衰减阶梯状部分51具有位于中心轴线SI旁边且由第2接地区域33的第2后端部34b朝轴方向前方凹陷的第I衰减阶梯状部分51a，及位于第I衰减阶梯状部分51a的宽度方向外侧且由第I衰减阶梯状部分51a朝轴方向前方凹陷的第2衰减阶梯状部分51b。再者，衰减阶梯状部分51的数目并不只限定为2个，亦能够由3个以上的衰减阶梯状部分51所制成。
[0131]天线1E中，大约同一方向的高频电流在第2辐射区域38的第I后端部41的第I?第3辐射阶梯状部分42a?42c及第I共振区域27的第I前端部29a的第I?第3共振阶梯状部分48a?48c之间流动，第I?第3辐射阶梯状部分42a?42c及第I?第3共振阶梯状部分48a?48c由大约同一方向的高频电流形成数个共振，大约同一方向的高频电流在第2辐射区域38的第2后端部43的第I?第3辐射阶梯状部分44a?44c及第2共振区域28的第2前端部29b的第I?第3共振阶梯状部分49a?49c之间流动，第I?第3辐射阶梯状部分44a?44c及第I?第3共振阶梯状部分49a?49c由大约同一方向的高频电流形成数个共振。
[0132]再者，天线1E中，被第I及第2共振区域27、28的第I及第2前端部29a、29b所诱导的高频电流，以及被第2辐射区域38的第I及第2后端部41、43所诱导的高频电流形成共振，且被第I及第2共振区域27、28(第I及第2内侧部30a、30b)所诱导的高频电流及被第I辐射区域37所诱导的高频电流形成共振。天线1E中，借助形成在第I与第2接地区域32、33的第I与第2后端部34a、34b的第I与第2衰减阶梯状部分50a、50b、51a、51b，以衰减或截断电波。
[0133]天线1E中，由于第2辐射区域38及第I与第2共振区域27、28形成数个共振，且第I与第2共振区域27、28及第I辐射区域37形成共振，因此能够获得频带不同的数个共振频率。天线1E能够获得频带不同的数个共振频率，由于所获得的数个共振频率连续的比邻，且该些共振频率的一部分重叠，因此能够广泛的扩大天线1E的使用频带。天线1E能够达成VSWR为2以下，且其在使用能够能的频率频带(相对频带)内的全部的频带中，能够传送或接收电波，并能够使用于宽频带(wide band)，且只要一个即能够传送接收宽频带的电波。
[0134]天线1E中，当高频电流在第I及第2接地区域32、33的第I及第2后端部34a、34b流动时，则其高频电流在连接天线1E的传送接收机的殼体或连接电缆流动，虽然受其影响天线1E的电波的辐射场型或增益产生变化，然而由于借助形成在第I及第2接地区域32、33的第I及第2后端部34a、34b的第I及第2衰减阶梯状部分50a、50b、51a、51b，而能够使电波衰减或截断，因此高频电流不会在传送接收机的殼体或连接电缆流动，而能够防止天线1E的电波的辐射场型的变化或增益的变化，于天线1E上能够确保如设计所要的辐射场型及增益。
[0135]天线1E中，借助使第I与第2共振区域27、28的第I与第2内侧部30a、30b及中心轴线SI之间的间隔尺寸形成在0.5?1.0mm的范围，且使第I与第2接地区域32、33的第I与第2内侧部35a、35b及中心轴线SI之间的间隔尺寸形成在1.9?1mm的范围，则电波的共振效率将变成最佳，能够使第2辐射区域38与第I及第2共振区域27、28更有效率的形成数个共振，并能够使第I与第2共振区域27、28及第I辐射区域37更有效率的形成共振，以使无供电部22及第I与第2接地区域32、33更有效率的形成共振。
[0136]天线1E中，接地用导体14的轴方向的长度尺寸在10?15cm的范围，且长度尺寸设定在700MHz的约1/4波长(约λ/4)的长度。由于使长度尺寸形成该范围内，且长度尺寸形成700MHz的约1/4波长的长度，因此在维持天线1E的小型化的状态下，能够使低限截止频率降低至700MHz。
[0137]图8揭示作为另一个实例的天线1F的俯视图，图9揭示作为另一个实例的天线1G的俯视图。图8的天线1F与图1或图7的该些不同的地方，其在介电体基板11(印刷基板)形成贯穿其的第I?第4槽缝45a、45b、52a、52b ;图9的天线1G与图1或图7的该些不同的地方，其在介电体基板11 (印刷基板)形成贯穿其的数个第I?第4贯通孔46a、46b、53a、53b。由于该些天线10F、10G的其他构成与图1或图7的天线10A、10E的该些相同，因此附加与天线10AU0D相同的符号，且援用天线10AU0D的说明，因此省略该些天线10FU0G的其他构成的说明。
[0138]在天线1F的第I共振区域27的第I前端部29a及第2辐射区域38的第I后端部41之间延伸的介电体基板11上，形成贯穿基板11的第I槽缝45a及第3槽缝52a。在天线1F的第2共振区域28的第2前端部29b及第2辐射区域38的第2后端部43之间延伸的介电体基板11上，形成贯穿基板11的第2槽缝45b及第4槽缝52b。
[0139]第I槽缝45a位于辐射阶梯状部分42 (第I?第3辐射阶梯状部分42a?42c)的附近，由第I后端部41随着朝向轴方向前方，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜延伸。第2槽缝45b位于辐射阶梯状部分44 (第I?第3辐射阶梯状部分44a?44c)的附近，由第2后端部43随着朝向轴方向前方，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜延伸。
[0140]第3槽缝52a位于共振阶梯状部分48 (第I?第3共振阶梯状部分48a?48c)的附近，由第I前端部29a随着朝轴方向后方向，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜延伸。换句话说，第3槽缝52a形成沿着第I?第3共振阶梯状部分48a?48c延伸。第4槽缝52b位于共振阶梯状部分49 (第I?第3共振阶梯状部分49a?49c)的附近，由第2前端部29b随着朝轴方向后方向，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜延伸。换句话说，第4槽缝52b形成沿着第I?第3共振阶梯状部分49a?49c延伸。
[0141]在天线1G的第I共振区域27的第I前端部29a及第2辐射区域38的第I后端部41之间延伸的介电体基板11上，其形成贯穿基板11的数个第I贯通孔46a及第3贯通孔53a。天线1G的第2共振区域28的第2前端部29b及第2辐射区域38的第2后端部43之间延伸的介电体基板11上，其形成贯穿基板11的数个第2贯通孔46b及第4贯通孔53b ο
[0142]第I贯通孔46a位于辐射阶梯状部分42 (第I?第3辐射阶梯状部分42a?42c)的附近，由第I后端部41随着朝向轴方向前方，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜排列。第2贯通孔46b位于辐射阶梯状部分44 (第I?第3辐射阶梯状部分44a?44c)的附近，由第2后端部43随着朝向轴方向前方，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜排列。
[0143]第3贯通孔53a位于共振阶梯状部分48 (第I?第3共振阶梯状部分48a?48c)的附近，由第I前端部29a随着朝轴方向后方向，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜排列。换句话说，第3贯通孔53a形成沿着第I?第3共振阶梯状部分48a?48c排列。第4贯通孔53b位于共振阶梯状部分49 (第I?第3共振阶梯状部分49a?49c)的附近，由第2前端部29b随着朝轴方向后方向，形成由中心轴线SI逐渐隔离的倾斜排列。换句话说，第4贯通孔53b形成沿着第I?第3共振阶梯状部分49a?49c排列。
[0144]该些天线10F、10G，除了图1或图7的天线10A、1E所具有的效果以外，还具有以下的效果。由于天线10F、10G位于第I?第3福射阶梯状部分42a?42c、44a?44c的附近，且使第I及第2槽缝45a、45b或第I及第2贯通孔46a、46b形成在介电体基板11上，又位于第I?第3共振阶梯状部分48a?48c、49a?49c的附近，且使第3及第4槽缝52a、52b或第3及第4贯通孔53a、53b形成在介电体基板11上，而能够降低在第I与第2共振区域27、28的第I与第2前端部29a、29b及第2辐射区域38的第I与第2后端部41、43之间延伸的基板11的结合容量，因此能够减少不会变成电波而变化为热的比例，而能够广泛的提升作为天线10F、10G的电波变换效率的因素的tan δ。天线10F、1G借助在辐射阶梯状部分42a?42c、44a?44c或第I?第3共振阶梯状部分48a?48c、49a?49c的附近的介电体基板11上，形成槽缝45a、45b、52a、52b或贯通孔46a、46b、53a、53b，而能够提升该些的辐射增益，并能够使电波飞散的更远。
[0145]图10揭示作为另一个实例的天线1H的俯视图。图10的天线1H与图7?图9的该些不同的地方，其形成有第I及第2空隙部47a、47b。由于天线1H的其他构成与