外延生长形成。η型层114在衬底102上生长，ρ型层110在η型层114上生长，并且有源层112在ρ型层110的层之间生长。
[0062]例如，ρ型层110的一些层在η型层114上生长，随后有源层112在ρ型层110的层上生长，并且接着P型层110的另外层在有源层112上生长。所得异质结构100为单片的，形成为单个件。
[0063]方法600还包括了蚀刻步骤604。在步骤604中，将蚀刻工艺施加至单片异质结构100，以便限定台面结构120。示例性蚀刻工艺包括干法蚀刻技术(如离子反应蚀刻)、湿法蚀刻技术、化学蚀刻、激光切割技术、机械蚀刻(例如像钻石强化的光盘那样)、它们的组合等。
[0064]在触电施加步骤606中，触点150、152、154定位在LED芯片50上，并且引线60、62、64被连接至触点150、152、154。触点150、152、154被定位成使得指引通过LED台面部分122的电流与通过H)台面部分124的电流(由H)台面部分124产生)隔离。
[0065]图7为根据控制应用86的计算机可执行指令而由控制单元80 (见图1)执行的示例性方法700的流程图。
[0066]方法700包括LED电流步骤702。在步骤702中，控制单元80提供流过引线62和LED台面部分122的电流。通过LED台面部分122的电流的流动产生光能。一些光能(光能142)跨该沟道140行进并由H)台面部分124吸收。H)台面部分124产生流过引线60的光电流。
[0067]根据F1D电流步骤704，控制单元80测量或以其他方式来确定光电流。由于F1D台面部分124产生的光电流大体上与LED台面部分122发射出的光能成比例，因此来自H)台面部分124的光电流提供例如关于在电流流过LED台面部分122时电流产生了多少光能的反馈。这样，控制单元80根据光电二极管部分124产生的光电流确定LED部分122的光能输出。
[0068]根据调整电流步骤706，控制单元80根据光电流来确定调整输入电流。例如，如果当与先前光电流测量值比较时光电流减少，那么控制单元80增加至LED台面部分122的电流，以便维持来自LED台面部分122的大体上恒定的光能输出(例如，以便补偿LED台面部分122的老化)。
[0069]老化为使用相同电流的LED台面部分122产生的光能的减少。因为光电流与光能成比例，因此ro台面部分124产生的光电流的减少就表示LED台面部分122产生的光能的减少。
[0070]可替代地或另外地，控制单元80可通过调整增加通过一个或多个辅助LED器件的电流(如辅助LED器件90)来补偿主要LED器件10的LED台面部分122的光能输出的退降，以便维持来自LED阵列(此处，LED器件10、90)的光能的总体恒定水平。如果增加至主要LED器件10的LED台面部分122的电流将会加速主要LED器件10的LED台面部分122的老化，那么增加通过一个或多个辅助LED器件的电流为有利的。
[0071]尽管本说明书中描述的方法有时可在计算机可执行指令的一般的上下文中描述，但是本发明的方法也可结合其他应用和/或作为硬件和软件的组合实施。术语应用或其变体在本说明书中广泛使用，以便包括例程、程序模块、程序、部件、数据结构、算法等。
[0072]应用可实施于各种系统配置，包括服务器、网络系统、单处理器或多处理器系统、小型计算机、大型计算机、个人计算机、手持计算器件、移动器件、基于微处理器的可编程消费电子产品、它们的结合等。
[0073]本说明书使用各个实例来公开本发明，包括最佳模式，同时也让所属领域的任何技术人员能够实践本发明，包括制造并使用任何器件或系统，以及实施所涵盖的任何方法。本发明的保护范围由权利要求书限定，并可包含所属领域的技术人员想出的其他实例。如果其他此类实例的结构要素与权利要求书的字面意义相同，或如果此类实例包含的等效结构要素与权利要求书的字面意义无实质差别，则此类实例也应在权利要求书的范围内。
【主权项】
1.一种发光二极管(LED)芯片，所述LED芯片包括: 衬底；以及 由在所述衬底上生长的异质结构而形成的台面结构，所述台面结构包括: LED台面部分；以及 光电二极管(PD)台面部分，其中沟道将所述LED台面部分与所述H)台面部分分离。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其中所述异质结构包括η型层、ρ型层；以及 在所述η型层的至少部分与所述ρ型层的至少部分之间的有源层。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其中沟道将所述LED台面部分的所述有源层与所述ro台面部分的所述有源层分离。4.根据权利要求1所述的LED芯片，所述LED芯片包括位于所述LED台面部分上的第一金属触点以及位于所述H)台面部分上的第二金属触点。5.根据权利要求4所述的LED芯片，其中所述第二金属触点为不透明金属触点。6.根据权利要求4所述的LED芯片，所述LED芯片包括位于所述ELD芯片上的第三金属触点。7.根据权利要求6所述的LED芯片，其中所述第一金属触点与所述第二金属触点为阳极，并且所述第三金属触点为共阴极。8.根据权利要求6所述的LED芯片，其中所述第一金属触点与所述第二金属触点为阴极，并且所述第三金属触点为共阳极。9.根据权利要求1所述的LED芯片，其中所述LED台面部分配置用于通过所述沟道将光能发射至所述ro台面部分。10.根据权利要求9所述的LED芯片，其中所述H)台面部分配置用于吸收来自所述LED台面部分的光能并产生光电流。11.根据权利要求1所述的LED，其中所述ro台面部分包括金属触点， 其中所述金属触点覆盖所述ro台面部分的顶部和外表面。12.—种发光二极管(LED)系统，所述LED系统包括: 第一 LED器件，所述第一 LED器件包括: LED芯片，所述LED芯片包括: 衬底；以及 由在所述衬底上生长的异质结构而形成的台面结构，所述台面结构包括: LED台面部分；以及 光电二极管(PD)台面部分，其中沟道将所述LED台面部分与所述H)台面部分分离；以及 控制单元，所述控制单元配置用于(a)提供通过所述LED台面部分的第一电流，以及(b)测量所述H)台面部分产生的光电流。13.根据权利要求12所述的LED系统，其中所述H)台面部分产生的所述光电流大体上与在第一电流经过所述LED台面部分时由所述第一 LED台面部分发射的光能成比例。14.根据权利要求13所述的LED系统，其中所述控制单元配置用于根据所述H)台面部分产生的所述光电流来确定通过所述LED台面部分的所述第一电流。15.根据权利要求13所述的LED系统，所述LED系统进一步包括: 至少一个辅助LED器件； 其中所述控制单元配置用于根据所述第一 LED器件的所述H)台面部分产生的所述光电流来提供通过所述辅助LED器件的第二电流。16.—种形成发光二极管(LED)芯片的方法，所述方法包括: 使异质结构在衬底上生长；以及 对所述异质结构施加蚀刻工艺以形成包括LED台面部分和光电二极管(PD)台面部分的台面结构； 其中施加蚀刻工艺包括形成将所述LED台面部分与所述H)台面部分分离的沟道。17.根据权利要求16所述的方法，所述使异质结构生长包括使η型层、ρ型层和有源层生长。18.根据权利要求17所述的方法，其中施加蚀刻工艺包括形成所述沟道，以便将所述LED台面部分的所述有源层与所述H)台面部分的所述有源层分离。19.根据权利要求18所述的方法，所述方法进一步包括提供位于所述H)台面部分上的金属触点，其中所述金属触点覆盖所述ro台面部分的顶部和外表面。20.根据权利要求16所述的方法，所述方法进一步包括提供位于所述LED台面部分上的第一金属触点、位于所述H)台面部分上的第二金属触点以及位于所述LED芯片上的第三金属触点。
【专利摘要】本发明公开一种发光二极管(LED)芯片。所述LED芯片包括衬底以及由在所述衬底上生长的异质结构而形成的台面结构。所述台面结构包括LED台面部分和光电二极管(PD)台面部分。沟道将所述LED台面部分与所述PD台面部分分离。
【IPC分类】H01L27/15, H01L31/173
【公开号】CN104885224
【申请号】CN201380068597
【发明人】B.科罗丁
【申请人】通用电气照明解决方案有限责任公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2013年11月26日
【公告号】CA2895712A1, EP2939269A1, US20140184062, WO2014105329A1