3)通500ml/min的氧气和900ml/min的小氮浓度，同时通入15000血/min的大氮， 再次进行扩散，处理时间16min;
[0036]4)停止磯源的流量通入，用40min的时间将温度降低至700°C，整个降温过程中持 续通入2500ml/min的氧气，同时通入15000mL/min的大氮，进行推进作用，杂质向深处推 动，降低表面杂质浓度，从而降低表面死层；
[0037]W扩散结束，进行后期取出娃片操作。
[003引 实施例3
[0039] 本发明实施例公开了一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤：
[0040] 1)将炉内温度控制在840°C;
[004U 2)在该温度下，通入300ml/min的氧气和900ml/min的小氮浓度，同时通入 12000mL/min的大氮，在多晶娃片上进行扩散，形成第一层扩散薄层，处理时间12min;
[0042] 3)通300ml/min的氧气和900ml/min的小氮浓度，同时通入12000血/min的大氮， 再次进行扩散，处理时间15min;
[0043] 4)停止磯源的流量通入，用30min的时间将温度降低至780°C，整个降温过程中持 续通入2300ml/min的氧气，同时通入12000mL/min的大氮，进行推进作用，杂质向深处推 动，降低表面杂质浓度，从而降低表面死层；
[0044] 5)扩散结束，进行后期取出娃片操作。
[0045] 实施例4
[0046] 本发明实施例公开了一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤：
[0047] 1)将炉内温度控制在840°C;
[0048] 2)在该温度下，通入500ml/min的氧气和850ml/min的小氮浓度，同时通入 13000mL/min的大氮，在多晶娃片上进行扩散，形成第一层扩散薄层，处理时间lOmin ;
[0049]3)通入400ml/min的氧气和750ml/min的小氮浓度，同时通入13000血/min的大 氮，再次进行扩散，处理时间13min ;
[0化0] 4)停止磯源的流量通入，用30min的时间将温度降低至750°C，整个降温过程中持 续通入2300ml/min的氧气，同时通入13000mL/min的大氮，进行推进作用，杂质向深处推 动，降低表面杂质浓度，从而降低表面死层；
[0化1] 5)扩散结束，进行后期取出娃片操作。
[0052] 采用相同的娃片原材料；P型156多晶娃片，电阻率0.5~3Q'em,经过常规的清 洗、表面织构化后分别用实施例1中工艺与常规工艺进行完成扩散工序，采用相同工艺完 成后继的加工。表一及表二分别为常规工艺电池片电性能表和采用本发明实施例1扩散工 艺生产的电池片电性能表。
[0化3]其中，Uoc为开路电压，Isc为短路电流，Rs为串联电阻，Rsh为并联电阻，FF为填 充因子，Irev2为暗电流。
[0化4] 从表一和表二看出，通过本发明工艺制得的太阳能电池的开路电压比常规工艺制 得的太阳能电池的开路电压提高了 1. 6mv，短路电流提高了 0. 02A，填充因子提高了 0. 2,效 率提高了 0. 132%。
[0055] 表一常规工艺电池片电性能表
[0056]
[0060] 虽然说明书中对本发明的实施方式进行了说明，但该些实施方式只是作为提示， 不应限定本发明的保护范围。在不脱离本发明宗旨的范围内进行各种省略、置换和变更均 应包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1. 一种制作太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，包括： 1) 将炉内温度控制在840°C; 2) 在该温度下，通入200-500ml/min的氧气和700-1000ml/min的小氮浓度，同时通 入10000-15000mL/min的大氮，在多晶硅片上进行扩散，形成第一层扩散薄层，处理时间 8_12min; 3) 通入200-500ml/min的氧气和700-900ml/min的小氮浓度，同时通入 10000-15000mL/min的大氮，再次进行扩散，处理时间ll-16min; 4) 停止磷源的流量通入，用25-40min的时间将温度降低至700-780°C，整个降温过程 中持续通入2000-2500ml/min的氧气，同时通入10000-15000mL/min的大氮，进行推进作 用，杂质向深处推动，降低表面杂质浓度，从而降低表面死层； 5) 扩散结束，进行后期取出硅片操作。2. 根据权利要求1所述的制作太阳能电池的扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤： 1) 将炉内温度控制在840°C; 2) 在该温度下，通入300-400ml/min的氧气和800-900ml/min的小氮浓度，同时通 入11000-13000mL/min的大氮，在多晶硅片上进行扩散，形成第一层扩散薄层，处理时间 9-llmin； 3) 通入300-400ml/min的氧气和800-850ml/min的小氮浓度，同时通入 11000-13000mL/min的大氮，再次进行扩散，处理时间12-15min; 4) 停止磷源的流量通入，用25-40min的时间将温度降低至700-780°C，整个降温过程 中持续通入2000-2500ml/min的氧气，同时通入11000-13000mL/min的大氮，进行推进作 用，杂质向深处推动，降低表面杂质浓度，从而降低表面死层； 5) 扩散结束，进行后期取出硅片操作。
【专利摘要】本发明公开了一种制作太阳能电池的扩散工艺，包括如下步骤：先将炉内温度控制在840℃，在该温度下通入200-500ml/min的氧气和700-1000ml/min的小氮浓度，同时通入10000-15000mL/min的大氮，持续时间为8-12min，然后继续通入200-500ml/min的氧气和700-900ml/min的小氮浓度，同时通入10000-15000mL/min的大氮，处理时间11-16min，随后停止磷源的流量通入，用25-40min的时间将温度降低至700-780℃，整个降温过程中持续通入2000-2500ml/min的氧气，同时通入10000-15000mL/min的大氮，随后取出硅片。解决了现有技术中由于扩散过程磷浓度降低过多造成的故欧姆接触相差，且因为多晶硅上晶界和晶格位置的吸收磷源的差异而造成的均匀性差的问题。
【IPC分类】H01L31/18, H01L21/228
【公开号】CN104900751
【申请号】CN201510173626
【发明人】钱小芳, 杨冬生
【申请人】中建材浚鑫科技股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年4月13日