二厚度的第二透明电极，所述第二透明电极在所述第一子像素区和第二子像素区中，所述第二子像素区中的所述第二透明电极叠盖超过所述第二腔电极的一侧；在所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区中具有第三厚度的第三透明电极，所述第三子像素区中的所述第三透明电极叠盖超过所述第三腔电极的一侧；发射层，其与所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极电连接；以及阴极层，其在所述发射层上。
[0023]另一方面，一种基板上的有机发光二极管包括:在所述基板上R子像素区、G子像素区和B子像素区；第一反射电极，其在所述基板的所述R子像素区中；第二反射电极，其在所述基板的所述G子像素区中；第三反射电极，其在所述基板的所述B子像素区中；具有第一厚度的第一透明电极，所述第一透明电极在所述R子像素区中，所述第一透明电极叠盖超过所述第一反射电极的一侧；具有第二厚度的第二透明电极，所述第二透明电极在所述R子像素区域和所述G子像素区域中，所述G子像素区域中的所述第二透明电极叠盖超过所述第二反射电极的一侧；具有第三厚度的第三透明电极，所述第三透明电极在所述R子像素区、所述G子像素区、所述B子像素区中，所述B子像素区中的所述第三透明电极叠盖超过所述第三反射电极的一侧；发射层，其与所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极电连接；以及阴极层，其在所述发射层上。
[0024]另一方面，一种在基板上制造有机发光二极管的方法，该方法包括:跨所述基板的第一微腔区域、第二微腔区域和第三微腔区域形成腔电极层；在所述第一微腔区域中形成具有第一厚度的第一透明层；在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域中形成具有第二厚度的第二透明层；在所述第一微腔区域、所述第二微腔区域和所述第三微腔区域中形成具有第三厚度的第三透明层；蚀刻所述腔电极层，使得所述第一微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第一腔电极的第一侧，所述第二微腔区域中的所述第二透明层叠盖超过第二腔电极的第二侧，以及所述第三微腔区域中的所述第三透明层叠盖超过第三腔电极的第三侧；在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域之间形成第一堤状物，并且在所述第二微腔区域和所述第三微腔区域之间形成第二堤状物；形成与所述第一微腔区域的所述第三透明层电连接的第一发射层；形成与所述第二微腔区域的所述第二透明层电连接的第二发射层；形成与所述第三微腔区域的所述第三透明层电连接的第三发射层；以及在所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层上形成阴极层。
[0025]又一方面，一种在基板上制造有机发光二极管的方法包括:跨所述基板的第一微腔区域、第二微腔区域和第三微腔区域形成腔电极层；在所述第一微腔区域、所述第二微腔区域和所述第三微腔区域中形成具有第一厚度的第一透明层；在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域中形成具有第二厚度的第二透明层；在所述第一微腔区域中形成具有第三厚度的第三透明层；蚀刻所述腔电极层，使得所述第一微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第一腔电极的第一侧，所述第二微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第二腔电极的第二侧，以及所述第三微腔区域中的所述第一透明层叠盖超过第三腔电极的第三侧；在所述第一微腔区域和所述第二微腔区域之间形成第一堤状物，并且在所述第二微腔区域和所述第三微腔区域之间形成第二堤状物；形成与所述第一微腔区域的所述第三透明层电连接的第一发射层；形成与所述第二微腔区域的所述第二透明层电连接的第二发射层；形成与所述第三微腔区域的所述第一透明层电连接的第三发射层；以及在所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层上形成阴极层。
[0026]将理解，以上总体描述和以下详细描述均是示例性的和说明性的，并且旨在对要求保护的本发明的实施方式提供进一步解释。
【附图说明】
[0027]附图被包括以提供对本发明的实施方式的进一步理解并且被结合且构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的实施方式的原理。
[0028]图1是根据现有技术的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
[0029]图2是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
[0030]图3是根据本发明的示例性实施方式的连接至驱动电路的顶部发射OLED微腔结构的子像素区的视图。
[0031]图4是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
[0032]图5是根据本发明的示例性实施方式的使用滤色器的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的四个子像素区的视图。
[0033]图6是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
[0034]图7是根据本发明的示例性实施方式的使用滤色器的每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。
[0035]图8a至图8ο示出根据本发明的示例性实施方式的用于制造每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的方法的示例性步骤。
[0036]图9a至图9m示出根据本发明的示例性实施方式的制造每个都具有底部发射OLED微腔结构的三个子像素区的方法的示例性步骤。
[0037]图10示出当腔电极层上的下透明电极的宽度大于下透明电极上的上透明电极的宽度时的腔电极的蚀刻。
[0038]图11示出当腔电极层上的下透明电极的宽度小于下透明电极上的上透明电极的宽度时的腔电极的蚀刻。
[0039]图12示出当腔电极层上的下透明电极的宽度小于位于下透明电极上方的两个未对准上透明电极的组合宽度时的腔电极的蚀刻。
【具体实施方式】
[0040]现在，将对本发明的优选实施方式详细地进行参考，在附图中示出这些实施方式的示例。然而，本发明可以以许多不同形式来具体实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式，旨在使得本公开将是彻底的和完全的，并且将把本发明的思想传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，层和区域的厚度被放大。图中的类似参考标号表示类似元件。
[0041]还应该理解，当层被称为在另一层或基板“上”时，它可直接在另一层或基板上，或者还可以存在中间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件上时，不存在中间元件。
[0042]在整个说明书中，相同参考标号指示相同组件。
[0043]应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
[0044]词语“顶部发射类型的有机发光显示器件”在本文中是指将来自有机发光元件的光发射到有机发光显示器件的顶部的有机发光显示器件，并且是指在朝向形成有用于操作有机发光显示器件的薄膜晶体管的基板的相对侧的方向上发射来自有机发光元件的光的有机发光显示器件。
[0045]词语“底部发射类型的有机发光显示器件”在本文中用于指将来自有机发光元件的光发射到有机发光显示器件的底部的有机发光显示器件，并且是指在朝向形成有用于操作有机发光显示器件的薄膜晶体管的基板的方向上发射来自有机发光元件的光的有机发光显示器件。
[0046]词语“双面发射类型的有机发光显示器件”在本文中用于指将来自有机发光元件的光发射到有机发光显示器件的顶部和底部的有机发光显示器件。顶部发射类型、底部发射类型和双面发射类型的有机发光显示器件中的每个都可以被最佳地布置，使得通过布置薄膜晶体管、阳极和阴极以优化各个发射类型，使薄膜晶体管不干扰有机发光元件的发射方向。
[0047]词语“柔性显示器件”在本文中用于指应用柔性的显示器件。该词语可用于与可弯曲显示设备、可卷曲显示设备、不可破显示设备、可折叠显示设备等等效的意义。本文中的柔性有机发光显示器件是各种柔性显示器件的一个方案。
[0048]词语“透明显示器件”在本文中用于指观众观看的显示器件的屏幕区域的至少部分是透明的。透明显示器件的透明度在本文中用于指观众可以识别显示器件后面的物体的透明度。例如，在本文中，透明显示设备是指透射率为至少20%的显示器件。
[0049]分别地，本发明的各种实施方式的特征可以部分或整体地被组合或结合，并且如本领域技术人员可理解的，可以以不同方式相互作用和操作。每个实施方式都可以彼此独立地被实现，或以关联关系被实现。
[0050]图2是根据本发明的示例性实施方式的每个都具有顶部发射OLED微腔结构的三个子像素区的视图。如图2中所示，在基板201上形成红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B。用于红色子像素区R的腔电极210R位于基板201上。第一阳极层221R、第二阳极层225R和第三阳极层227R堆叠在腔电极210R上。用于绿色子像素区G的腔电极210G位于基板201上。第一阳极层2256和第二阳极层2276堆叠在腔电极2106上。用于蓝色子像素区B的腔电极210B位于基板201上。第一阳极层227B位于腔电极210B上。红色子像素区R包括设置在公共阴极260和第三阳极层227R之间的红色发射层251。绿色子像素区G包括设置在公共阴极260和第二阳极层227G之间的绿色发射层252。蓝色子像素区B包括设置在公共阴极260和第一阳极层227B之间的蓝色发射层253。红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B通过堤状物240分开。红色发射层251、绿色发射层252和蓝色发射层253具有相同厚度。
[0051]如图2中所示，红色子像素区R中在公共阴极260和用于红色子像素区R的腔电极210R之间的微腔CDR的深度大于绿色子像素区G中在公共阴极260和用于绿色子像素区G的腔电极210G之间的微腔⑶G的深度。蓝色子像素区B中在公共阴极260和用于蓝色子像素区B的腔电极210B之间的微腔CDB的深度小于绿色子像素区G中在公共阴极260和用于绿色子像素区G的腔电极210G之间的微腔⑶G的深度。红色子像素区R中的微腔⑶R的深度大于绿色子像素区G中的微腔⑶G的深度，这是因为红色子像素区R中的第一阳极层221R、第二阳极层225R和第三阳极层227R的组合比绿色子像素区G中的第一阳极层225G和第二阳极层227G的组合厚。绿色子像素区G中的微腔⑶G的深度大于蓝色子像素区B中的微腔CDB的深度，这是因为绿色子像素区G中的第一阳极层225G和第二阳极层227G的组合比蓝色子像素区B中的第一阳极层22