的保护范围。
[0052]例如能够考虑的是代替第一和第二芯片载体件以及第一和第二功率半导体元件而设有具有装配在其上的晶体管的唯一的芯片载体件，其中根据上述描述电容器能够装配在源极连接端与漏极连接端之间。
[0053]附图标记:
[0054]I功率半导体组件
[0055]2第一芯片载体件
[0056]3第二芯片载体件
[0057]4扁平导体框
[0058]5外部扁平导体
[0059]6第一功率半导体元件
[0060]7第二功率半导体元件
[0061]8电容器
[0062]9焊接连接端
[0063]10接合线
[0064]11接触面
[0065]12激活的上侧
[0066]13接触面
[0067]14IGBT 元件
[0068]15信号扁平导体
[0069]16壳体
[0070]17TO 壳体
[0071]18第一部分
[0072]19角偏转件
[0073]20第一外部扁平导体
[0074]21第二外部扁平导体
[0075]22第三外部扁平导体
[0076]23第四外部扁平导体
[0077]24第五外部扁平导体
[0078]25焊接连接端
[0079]26焊接连接端
[0080]27焊接连接端
[0081]28焊接连接端
[0082]29焊接连接端
[0083]30功率半导体组件
[0084]31电容器
[0085]32壳体
[0086]33塑料
[0087]34外部扁平导体
[0088]35外部扁平导体
[0089]36外部扁平导体
[0090]37外部扁平导体
[0091]38外部扁平导体
[0092]39焊接连接端
[0093]40焊接连接端
[0094]41焊接连接端
[0095]42焊接连接端
[0096]43焊接连接端
[0097]44接触面
[0098]45接触面
[0099]46接触面
【主权项】
1.功率半导体组件，具有:扁平导体框(4)，所述扁平导体框具有第一芯片载体件(2)以及至少一个第二芯片载体件(3)，它们相互间隔地安装并且分别导电；以及具有至少一个第一功率半导体元件(6)，所述第一功率半导体元件安置在所述第一芯片载体件(2)上；以及具有至少一个第二功率半导体元件(7)，所述至少一个第二功率半导体元件安置在所述第二芯片载体件(3)上；以及具有外部扁平导体(5、20、21、22、23、24、34、35、36、37、38)形式的外部触点；以及具有电容器(8、31)，其中所述电容器(8、31)装配在两个相邻的外部扁平导体上。2.根据权利要求1所述的功率半导体组件，其中，所述两个相邻的外部扁平导体具有用于连接所述电容器(8,31)的焊接连接端(9、25、26、27、28、29、39、40、41、42、43)。3.根据权利要求1或2所述的功率半导体组件，其中，所述功率半导体组件(I)还具有接合线(10)，其用于电气连接在所述第一功率半导体元件(6)和第二功率半导体元件(7)的激活的上侧(12)上的接触面(11)以及在所述外部扁平导体(5、15、35、36、37)上的接触面(13、44、45、46)。4.根据权利要求3所述的功率半导体组件，其中，所述焊接连接端(39、40、41、42、43)从所述接触面(44、45、46)移动到所述外部扁平导体(34、35、36、37、38)。5.根据权利要求1至4之一所述的功率半导体组件，其中，所述外部扁平导体(5)分别具有:第一部分(18)，所述接触面(13)设置在所述第一部分上并且所述第一部分位于与所述第一芯片载体件(2)和第二芯片载体件(3)相同的水平面上；还具有信号扁平导体(15)，其平行于所述第一部分(18)定向；以及还具有在所述第一部分(18)与所述信号扁平导体(15)之间的与所述第一部分(18)和所述信号扁平导体(15)垂直设置的角偏转件(19)。6.根据权利要求1至5之一所述的功率半导体组件，其中，所述功率半导体组件(30)还具有由塑料(33)组成的壳体(32)，所述壳体至少包围所述第一芯片载体件(2)和第二芯片载体件(3)、所述第一功率半导体元件和所述第二功率半导体元件以及所述电容器(31)。7.根据权利要求6所述的功率半导体组件，其中，所述塑料至少嵌入所述第一芯片载体件(2)和所述第二芯片载体件(3)的上表面并且至少使得所述第一芯片载体件(2)和所述第二芯片载体件(3)的下表面露出，以使得所述塑料具有下外部表面，所述下外部表面连同所述第一芯片载体件(2)和所述第二芯片载体件(3)的下表面形成所述功率半导体组件的一个共同的外部表面。8.根据权利要求1至7之一所述的功率半导体组件，所述功率半导体组件具有至少一个包括高端开关和低端开关的桥电路，其中在所述第一功率半导体元件中集成所述低端开关，而在所述第二功率半导体元件中集成所述高端开关。9.根据权利要求1至8之一所述的功率半导体组件，其中，所述功率半导体组件具有级联电路。10.根据权利要求1至8之一所述的功率半导体组件，其中，所述功率半导体元件(6、7)是 MOSFET 或 IGBT011.根据权利要求1至10之一所述的功率半导体组件，其中，所述功率半导体组件(I)包括TO壳体(17) O12.用于制造功率半导体组件的方法，其中所述方法具有以下步骤: -提供第一导电芯片载体件、第二导电芯片载体件以及外部扁平导体形式的外部触占.V， -安置至少一个第一功率半导体元件到所述第一芯片载体件上，并且安置至少一个第二功率半导体元件到所述第二芯片载体件上； -将在所述第一半导体元件和所述第二功率半导体元件的激活的上侧上的接触面与在所述外部扁平导体上的接触连接端电气连接； -装配电容器到两个相邻的外部扁平导体上。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述电容器焊接到所述两个相邻的外部扁平导体上。14.根据权利要求12或13所述的方法，其中，在所述第一功率半导体元件和所述第二功率半导体元件的激活的上侧上的接触面经由接合线与在所述外部扁平导体上的接触面电气连接。15.根据权利要求12至14之一所述的方法，其中，所述方法还具有以下步骤: -将所述第一芯片载体件和所述第二芯片载体件、所述第一和所述第二功率半导体元件以及所述电容器嵌入到塑料中。
【专利摘要】本发明涉及一种功率半导体组件，具有：扁平导体框，所述扁平导体框具有第一芯片载体件(2)以及至少一个第二芯片载体件(3)，它们相互间隔地安装并且分别导电；至少一个第一功率半导体元件(6)，所述第一功率半导体元件安置在所述第一芯片载体件(2)上；至少一个第二功率半导体元件(7)，所述第二功率半导体元件安置在所述第二芯片载体件(3)上；外部扁平导体(5、20、21、22、23、24、34、35、36、37、38)形式的外部触点；以及电容器(8、31)，其中所述电容器(8、31)装配在两个相邻的外部扁平导体上。
【IPC分类】H01L25/07, H01L21/50, H01L25/16
【公开号】CN104952860
【申请号】CN201510128787
【发明人】R·奥特雷姆巴, F·布鲁齐, 李德森, X·施勒格尔, F·施蒂克勒
【申请人】英飞凌科技奥地利有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年3月23日
【公告号】DE102014104013A1, US20150270208