用于高效热循环的模块化基板加热器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明的实施方式大体涉及一种加热器，所述加热器用于支撑在处理腔室中的基 板，所述处理腔室用于电子装置制造。更具体地，一种模块化加热器，所述模块化加热器可 用于沉积腔室、注入腔室（implant chamber)、蚀刻腔室或退火腔室中，这些腔室用于电子 装置制造工艺。
【背景技术】
[0002] 在电子装置（诸如半导体装置、发光二极管和类似者）的制造中，基板受到许多热 处理，诸如蚀刻、沉积、注入和退火。这些处理中的许多处理要求基板被加热至所需温度，且 在特定处理期间维持所述温度。基板加热通常由朝向基板辐射热量的加热装置提供、通过 传导将热传送至基板而提供、通过感应将热传送至基板而提供、或者它们的一些组合。在某 些热处理中，必须将基板快速加热至所需温度，以确保膜形成的开始或离子迀移（诸如在 注入处理中）。在许多热处理期间，遍及基板的表面区域的温度均匀性也是所需的，以在基 板上提供均匀的化学或物理反应。
[0003] 但是，许多传统的基板加热方案具有慢的加热上升时间，以及较差的提供遍及基 板的足够的温度均匀性的能力。这导致较长的处理时间，且也会导致不完全的处理，这将严 重影响装置产率和产量。另外，许多传统的腔室和相关的加热装置并未被配置成以下述方 式使用：能够适用于不同的加热方式（heating regime)而不需要大量的返工（rework)和 停工期。
[0004] 因此，需要用于能够实现基板的均匀加热的改良式基板加热器的设备和方法。
【发明内容】
[0005] 本文所述的实施方式涉及一种模块化基板支撑件，所述模块化基板支撑件可用于 多种腔室和/或多种电子装置制造工艺中。在一个实施方式中，提供一种用于基板处理腔 室的基板支撑件。所述基板支撑件包括：主体，所述主体具有顶板，所述顶板具有基板接收 表面；和可移动的加热器，所述加热器设置于主体中，所述加热器相对于顶板是可移动的。
[0006] 在另一实施方式中，提供一种用于基板处理腔室的基板支撑件。所述基板支撑件 包括：主体，所述主体具有基板支撑表面和第一围绕体（enclosure);和加热器，所述加热 器设置于第一围绕体中，所述加热器包括第二围绕体，所述第二围绕体与第一围绕体流体 连通。
[0007] 在另一实施方式中，提供一种处理腔室。所述处理腔室包括壳体，所述壳体包括处 理容积；和基板支撑件，所述基板支撑件设置于处理容积中。所述基板支撑件包括：主体， 所述主体具有基板支撑表面和第一围绕体；和加热器，所述加热器设置于第一围绕体中，其 中加热器与基板支撑表面之间的距离为可调整的。
[0008] 在另一实施方式中，提供一种用于处理基板的方法。所述方法包括：将基板传送至 基板支撑件的基板支撑表面，所述基板支撑件具有设置于其主体中的加热器；检测基板的 温度；和响应于所检测的温度，相对于主体和基板移动加热器。
[0009] 在又一实施方式中，提供一种用于基板处理腔室的基板支撑件，所述基板支撑件 包括设置于主体中的多个热源。所述主体包括顶板，所述顶板具有基板接收表面。设置于 主体中的多个热源被配置成发射光来加热顶板，其中多个热源的一部分被配置成相对于第 二热源独立地控制由至少第一热源所发射的光。
【附图说明】
[0010] 可通过参照实施方式（一些实施方式描绘于附图中）来详细理解本发明的上述特 征以及以上简要概述的有关本发明更具体的描述。但是，应注意，附图只图示本发明的典型 实施方式且因此不被视为限制本发明的范围，因为本发明可允许其它等效的实施方式。
[0011] 图1为根据本文所述的实施方式的基板支撑件的局部分解等距视图。
[0012] 图2为图1中所示的基板加热器的一个实施方式的局部侧视截面图。
[0013] 图3A和图3B为图2中所示的基板加热器的一部分的侧视截面图。
[0014] 图4为可与根据本文所述的实施方式的基板加热器一起使用的腔室的示意性侧 视截面图。
[0015] 为了便于了解，已经尽可能地使用相同的附图标记来表示各图中共有的相同元 件。预期一个实施方式中披露的元件可有利地用于其它实施方式中，而无需具体详述。
【具体实施方式】
[0016] 本文所述的实施方式涉及用于基板支撑件的设备和方法，所述基板支撑件在设计 上是模块化的，使得在多种电子装置制造工艺中能够使用。本文所述的基板支撑件可用于 涉及不同制造工艺的多种处理腔室中。例如，本文所述的基板支撑件可用于沉积腔室、蚀刻 腔室、退火腔室、注入腔室、用于形成发光二极管的腔室以及其它处理腔室中。所述基板支 撑件可用于可从California(加利福尼亚）州的Santa Clara(圣克拉拉）市的Applied Materials，Inc.(应用材料公司）购得的处理腔室中，并且也可用于来自其它制造商的处 理腔室中。在一个实施方式中，所述基板支撑件使用加热器，所述加热器设置于基板支撑件 的主体中。加热器可包括灯阵列，且加热器可耦接至控制器和温度传感器，控制器和温度传 感器能够实现定位于基板支撑件上的基板的温度的闭环控制。加热器也可相对于基板垂直 地和/或旋转地移动，以改变与基板之间的间距，且另外减小其中的温度梯度。本文所述的 基板支撑件能够实现较快的升温时间并且增加温度均匀性，这增加了产量且降低了购置成 本（cost of ownership)〇
[0017] 图1为根据本文所述的实施方式的基板支撑件100的局部分解等距视图。基板 支撑件1〇〇是模块化的，使得该设计能够在不同的腔室和/或不同的工艺中使用。在一个 方面中，基板支撑件100的部件为可互换的，这使得能够翻新改造（retrofit)至配置用于 不同的沉积或热处理的多种腔室中。基板支撑件100包括主体105,主体105具有设置于 其中的加热器110,加热器110被主体105的外部侧壁115围绕。加热器110可包括平台 (platform)，平台可在主体105的中空部内移动。顶板120适于由加热器110周围的外部 侧壁115来支撑。顶板120被图示成与外部侧壁115的端部125间隔开，以更清楚地显示 加热器110。
[0018] 外部侧壁115的端部125和顶板120的周边表面130之一或两者可包括界面结 构，以协助将顶板120安装在外部侧壁115上的预定位置中。通过紧固件（未示出），诸如 螺丝、夹具或其组合，可将顶板120固定至外部侧壁115的端部125,紧固件使顶板120能够 容易移除和附接。顶板120被配置成模块化的，且顶板120可在腔室维护期间和为了整修 (refurbishment)而容易地改变。界面结构的一个实施方式被图示为肩部135,肩部135设 置于外部侧壁115的端部125上。肩部135可为沟道、沟槽、锥形表面（tapered surface) 或凹槽（chamfer)。顶板120的周边表面130也可包括与肩部135配合的沟道、沟槽、锥形表 面或凹槽。顶板120包括底表面136与底表面136相对的基板接收表面138。基板接收表 面138的尺寸经过设计，以在处理期间接收和支撑基板（未示出），诸如具有200毫米（mm) 的直径、300mm的直径、450mm的直径或其它直径的基板。另外，基板接收表面138可用于支 撑矩形或多边形的基板。主体105和顶板120可为如图1所示的