基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置，特别地，涉及减少附着于基板的颗粒的量的技术。
【背景技术】
[0002]以往，为了减少附着于基板的颗粒，将去除处理液的颗粒作为目的，存在将具有与要捕捉的颗粒的尺寸相匹配的孔径的过滤器安装在配管上的情况(例如，专利文献I)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:JP特开2008-66351号公报
【发明内容】
[0006]发明要解决的问题
[0007]然而，若为了去除更细小的颗粒，而设置孔径小的过滤器，或者设置多个过滤器，则会导致配管内的压力损失变大。因此，为了能够利用高压输送液体，考虑使用高性能的栗，但会导入如下的各种问题，栗的巨大化，栗消耗的电力等驱动能量增大，成本的增加。另夕卜，为了使压力损失变小，也考虑将过滤器变大，但在过滤器的安装位置存在制约。
[0008]另外，若压力损失变大，则过滤器的下游侧的配管内压力急剧地降低，从而易于在处理液中产生气泡101 (参照图10)。如图10所示，存在在产生的气泡101的边界上附着聚集多个的颗粒103的情况。这样，由于附着有多个颗粒103的气泡101与基板109的表面接触，产生在基板109的表面上附着的颗粒量增大的问题。
[0009]因此，需要能够以比较简单的结构抑制附着于基板颗粒的技术。
[0010]本发明鉴于上述问题而提出，目的在于提供能够以简单的结构减少附着于基板的颗粒的量的技术。
[0011]用于解决问题的手段
[0012]为了解决上述问题，第一技术方案的发明为基板处理装置，喷出处理液来处理基板，其特征在于，具有:喷出部，向所述基板喷出处理液，供给配管，一端经由第一过滤器与处理液供给部连接，另一端与所述喷出部连接，该第一过滤器用于去除颗粒，该处理液供给部供给所述处理液，气泡捕捉部，安装在所述供给配管的所述第一过滤器与所述喷出部之间的位置，捕捉所述处理液中含有的气泡；所述气泡捕捉部引起的压力损失与所述第一过滤器引起的压力损失大致相同，或者小于所述第一过滤器引起的压力损失。
[0013]另外，第二技术方案的发明，在第一技术方案的基板处理装置中，所述气泡捕捉部具有第二过滤器，所述第二过滤器的孔径比所述第一过滤器的孔径大。
[0014]另外，第三技术方案的发明，在第一技术方案的基板处理装置中，所述气泡捕捉部具有中空丝膜。
[0015]另外，第四技术方案的发明，在第一?第三技术方案中任一项所述的基板处理装置中，所述供给配管的从所述气泡捕捉部到所述喷出部的距离比所述供给配管的从压力源到所述气泡捕捉部的距离短，所述压送源压送所述处理液。
[0016]发明效果
[0017]根据第一技术方案的基板处理装置，能够通过气泡捕捉部对穿过第一过滤器的处理液中产生的气泡进行捕捉。由此，能够减少附着有颗粒的气泡附着于基板。另外，通过使气泡捕捉部的压力损失和第一过滤器的压力损失大致相同，或比第一过滤器的压力损失小，能够抑制在穿过第二过滤器的处理中产生气泡。由此，能够减少附着于基板的颗粒量。
[0018]根据第二技术方案，第二过滤器的孔径比第一过滤器的孔径大，能够使第二过滤器的压力损失比第一过滤器的压力损失小。
[0019]根据第三技术方案的基板处理装置，能够由中空丝膜对捕捉气泡进行，并且能够使由气泡捕捉部引起的压力损失变小。因此，能够抑制在穿过气泡捕捉部的处理液中产生气泡。因此，能够减少附着于基板的颗粒量。
[0020]根据第四技术方案的基板处理装置，气泡捕捉部接近喷出口，能够抑制在从气泡捕捉部向喷出口流动的处理液中产生气泡。由此，能够减少附着于基板的颗粒量。
【附图说明】
[0021]图1是表示第一实施方式的基板处理装置以及处理液供给部的概略结构的整体图。
[0022]图2是表示第一实施方式的气泡捕捉部的侧视图。
[0023]图3是表示供给配管的各位置的压力的图表。
[0024]图4是表示在基板处理装置中被处理的基板上附着的颗粒量的图表。
[0025]图5是表示第二过滤器的压力损失和附着于基板的颗粒量的相关关系的图表。
[0026]图6是表示第二过滤器的孔径和附着于基板的颗粒量的相关关系的图表。
[0027]图7是表示第二实施方式的基板处理装置以及处理液供给部的概略结构的整体图。
[0028]图8是表示供给配管的各位置的压力的图表。
[0029]图9是表示第三实施方式的气泡捕捉部的概略剖视图。
[0030]图10是表示附着有颗粒的气泡附着于基板的情况的概念图。
【具体实施方式】
[0031]下面，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。此外，下面的实施方式为使本发明实现具体化的一例，并不是限定本发明的技术范围的事例。此外，在附图中，为了容易理解，根据需要有时会夸大或简化各部的尺寸或数量来图示。
[0032]〈1.第一实施方式〉
[0033]图1是表示第一实施方式的基板处理装置10以及处理液供给部20的概略结构的整体图。基板处理装置10通过将由处理液供给部20供给的处理液供给至被旋转台13保持的基板9，来对基板9实施处理。旋转台13内置有未图示的马达。基板处理装置10—边通过旋转台13使基板9旋转，一边从喷嘴11 (喷出部)向基板9的中央附近供给处理液，来使处理液扩散至整个基板9。由此，利用处理液对基板9进行处理。基板处理装置10例如为对基板9实施蚀刻处理和清洗处理等的装置。此外，在基板处理装置10中，喷嘴11以及旋转台13在腔室15的内部进行基板处理。
[0034]具体而言，在基板处理装置10中，在进行从基板9的表面去除颗粒的处理的情况下，从处理液供给部20向基板处理装置10供给作为处理液的SCI (ammonia-hydrogenperoxide mixture:氨和过氧化氢混合物)等。另外，在基板处理装置10中，在进行从基板9的表面蚀刻氧化膜等的处理时，供给氢氟酸或BHF (Buffered HF:缓冲氢氟酸)等。而且，在基板处理装置10中，在进行剥离形成在基板9的表面上的抗蚀膜的处理和去除变为聚合物而残留在抗蚀膜剥离后的基板9的表面上的抗蚀剂残渣的处理时，供给SPM(sulfuricacid/hydrogen peroxide mixture:硫酸和过氧化氢混合物)或 SCI (ammonia-hydrogenperoxide mixture:氨和过氧化氢混合物)等的抗蚀剥离剂或聚合物去除剂。并且，在去除金属污染物的清洗处理中，使用氢氟酸、SC2 (hydrochloric acid/hydrogen peroxidemixture:盐酸和过氧化氢混合物)或SPM等。另外，也可以从处理液供给部20向基板处理装置10供给作为冲洗液的IPA(异丙醇)或去离子水(DIW)等。
[0035]槽21和喷嘴11通过供给配管30连通连接。S卩，供给配管30的一端与处理液供给部20的槽21连接，供给配管30的另一端与喷嘴11连接。供给配管30例如由不锈钢或树脂等形成。在供给配管30的路径途中，从接近槽21的一侧开始依次安装有栗31、第一过滤器F1、流量计33、供给阀35以及气泡捕捉部F2。此外，在供给配管30的路径上的这些构件的排列能够任意地变更。例如，能够进行将第一过滤器Fl设置在流量计33和供给阀35之间等的变形。其中，气泡捕捉部F2设置在第一过滤器Fl和喷嘴11之间的位置。
[0036]栗31构成将贮留在槽21内的处理液向喷嘴11压送的压力源。流量计33对在供给配管30内流动的处理液的流量进行计测。供给阀35使供给配管30的流路连通或断开，来控制处理液向喷嘴11的供给。
[0037]供给配管30在路径途中分支，与循环配管40连接。循环配管40的基端侧与供给配管30的流量计33与供给阀35之间的位置连接，循环配管40的前端侧与槽21连接。在循环配管40上安装有循环阀41。
[0038]循环阀41使循环配管40的流路连通或断开。在供给阀35使供给配管30断开的状态下，开启循环阀41，使得在供给配管30内流动的处理液流入循环配管40，进而返回槽21。这样，由循环配管40使处理液循环，能够一直由第一过滤器Fl维持清洁度。另外，根据不同的情况进行加热或冷却，能够将槽21内的处理液的温度维持恒定。作为供给阀35以及循