芯片级封装发光二极管的制作方法

文档序号:9378318阅读:184来源:国知局
芯片级封装发光二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电器件技术领域,具体涉及一种芯片级封装发光二极管。
【背景技术】
[0002]随着LED技术的进步,LED芯片技术得到了较快发展,在LED芯片领域,倒装芯片技术正异军突起,尤其是在大功率、户外照明的应用市场上更是受到了广泛应用。LED倒装芯片具有一定优势和普及特点,如避免了正装芯片中因电极挤占发光面积而影响发光效率的问题。所谓倒装芯片,即把正装芯片倒置,使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出,要求保留较薄的衬底即可,LED封装无焊线结构。但是倒装芯片较多地用在大功率芯片上,而在小功率芯片上,则正装芯片用得较多。但是现有的正装芯片的面积较大,响应速率不高,限制了其在小功率芯片上的应用。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是解决现有技术的缺陷,提供一种芯片级封装发光二极管,采用的技术方案如下:
一种芯片级封装发光二极管,包括正装芯片、矩形槽状荧光粉、矩形正电极和环形负电极,所述正装芯片依次包括透明金属连接层、透明电极ITO层、产生电子的P型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生电子的η型层、晶格匹配缓冲层和衬底层,所述透明金属连接层通过金属柱与矩形正电极连接,所述产生电子的P型层位于衬底层的上方。
[0004]作为优选,所述矩形正电极与衬底层绝缘。
[0005]作为优选,所述透明金属连接层、金属柱和环形负电极相互连接。
[0006]作为优选,所述正装芯片中间刻蚀有若干个通孔,所述通孔填充有二氧化硅,填充了二氧化硅的通孔的中心被刻蚀为空,所述金属柱和透明金属连接层依次蒸镀于通孔的中心。
[0007]作为优选,所述通孔的个数为9个。
[0008]作为优选,所述矩形槽状荧光粉的制造过程为:设计矩形槽状荧光粉压制模具,采用蓝光芯片激发黄色荧光粉材料,压制成矩形槽状荧光粉。
[0009]作为优选,所述矩形槽状荧光粉的中心设有矩形槽结构,所述矩形槽状荧光粉是单独压制而成的,所述矩形槽状荧光粉与所述正装芯片粘合。
[0010]利用压制成的矩形槽状荧光粉与正装芯片粘合即构成发光二极管,也即为芯片级封装发光二极管。
[0011]与现有技术相比,本发明的有益效果:通过本发明的设计,节省了芯片的面积,使得发光二极管的响应速率加快,发光二极管的面积也变大了。
【附图说明】
[0012]图1是本发明实施例的发光二极管的结构示意图; 图2是本发明实施例发光二极管的结构示意图;
图3是本发明实施例的发光二极管仰视图;
图4是本发明实施例的正装芯片结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细描述。
[0014]实施例:
如图1至图4所示,一种芯片级封装发光二极管,包括正装芯片、矩形槽状荧光粉15、矩形正电极3和环形负电极2,所述正装芯片依次包括透明金属连接层8、透明电极ITO层9、产生电子的P型层10、电子和空穴复合的量子阱层11、产生电子的η型层12、晶格匹配缓冲层13和衬底层14,所述透明金属连接层8通过金属柱7与矩形正电极3连接,所述产生电子的P型层10位于衬底层14的上方,所述矩形槽状荧光粉15的中心设有矩形槽结构16,所述矩形槽状荧光粉15是单独压制而成的,所述矩形槽状荧光粉15与所述正装芯片粘合。
[0015]所述矩形正电极3与衬底层14绝缘。
[0016]所述透明金属连接层8、金属柱7和环形负电极2相互连接。
[0017]所述正装芯片中间刻蚀有9个通孔18,所述通孔18填充有二氧化硅,填充了二氧化硅的通孔的中心被刻蚀为空,所述金属柱7和透明金属连接层8依次蒸镀于通孔18的中心。
[0018]所述矩形槽状荧光粉15的制造过程为:设计矩形槽状荧光粉压制模具,采用蓝光芯片激发黄色荧光粉材料,压制成矩形槽状荧光粉。
【主权项】
1.一种芯片级封装发光二极管,包括正装芯片,其特征在于,还包括矩形槽状荧光粉、矩形正电极和环形负电极,所述正装芯片依次包括透明金属连接层、透明电极ITO层、产生电子的P型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生电子的η型层、晶格匹配缓冲层和衬底层,所述透明金属连接层通过金属柱与矩形正电极连接,所述产生电子的P型层位于衬底层的上方。2.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光二极管,其特征在于,所述矩形正电极与衬底层绝缘。3.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光二极管,其特征在于,所述透明金属连接层、金属柱和环形负电极相互连接。4.根据权利要求3所述的一种芯片级封装发光二极管,其特征在于,所述正装芯片中间刻蚀有若干个通孔,所述通孔填充有二氧化硅,填充了二氧化硅的通孔的中心被刻蚀为空,所述金属柱和透明金属连接层依次蒸镀于通孔的中心。5.根据权利要求4所述的一种芯片级封装发光二极管,其特征在于,所述通孔的个数为9个。6.根据权利要求1所述的一种芯片级封装发光二极管,其特征在于,所述矩形槽状荧光粉的制造过程为:设计矩形槽状荧光粉压制模具,采用蓝光芯片激发黄色荧光粉材料,压制成矩形槽状荧光粉。7.根据权利要求6所述的一种芯片级封装发光二极管,其特征在于,所述矩形槽状荧光粉的中心设有矩形槽结构,所述矩形槽状荧光粉是单独压制而成的,所述矩形槽状荧光粉与所述正装芯片粘合形成发光二极管。
【专利摘要】本发明公开一种芯片级封装发光二极管,包括正装芯片、矩形槽状荧光粉、矩形正电极和环形负电极,所述正装芯片依次包括透明金属连接层、透明电极ITO层、产生电子的p型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生电子的n型层、晶格匹配缓冲层和衬底层,所述透明金属连接层通过金属柱与矩形正电极连接,所述产生电子的p型层位于衬底层的上方。通过本发明的设计,不仅节省了芯片的面积,使得发光二极管的响应速率加快,而且二极管的发光面积也变大了。
【IPC分类】H01L33/50, H01L33/48, H01L33/62
【公开号】CN105098034
【申请号】CN201510584735
【发明人】郭志友, 项树理, 周腾飞, 代家劲, 万年青, 刘洋, 姚舜禹, 黄涌, 黄鸿勇, 孙慧卿
【申请人】华南师范大学
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年9月15日
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