纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于电子材料与器件领域，设及纳米技术，具体设及一种化,Agu,,NyO。 纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 肖特基结是一种重要的的半导体器件基本结构，可利用正向低导通特性制成巧位 管；利用反向偏置势垒特性可制成雪崩二极管、光敏管等；利用反向电容一电压特性制成 变容二极管等；也可W制成性能优良的微波低噪声晶体管、微波高速开关管和微波功率晶 体管等。
【发明内容】
[000引本发明的目的在于，提供一种化xAguy神米阵列/Ag肖特基结及其制备方 法，再通过一系列组合方案处理，能有效提高化xAgfly神米阵列/Ag肖特基结的接触 特性。
[0004] 为了实现上述任务，本发明采取如下的技术解决方案：
[00化]一种化xAguy神米阵列/Ag肖特基结，肖特基结包括半导体部分和金属部 分，所述的半导体部分为,1纳米阵列，所述的金属部分为Ag;
[0006]按摩尔比计，ZrixAg。x)NyO(iy)纳米阵列中X= 0. 80 ~0. 99,y= 0.Ol~0. 15。 阳007] 制备所述的化xAgfi#爪1y側米阵列/Ag肖特基结的方法，包括通过水热法制备 ZrixAgdx)NyO(iy)纳米阵列，再利用磁控瓣射在化xAg(ix)Ny〇(iy)纳米阵列上淀积Ag。 阳008] 进一步的，该方法还包括对制备后的化xAgfix>Ny〇uy神米阵列依次进行一次热处 理、超声清洗、紫外臭氧处理和二次热处理后，再利用磁控瓣射在处理后的化xAgflX>NyO<l纳米阵列上淀积Ag。
[0009] 具体的，所述的一次热处理的溫度为500°C，二次热处理的溫度为400°C，紫外臭 氧联合处理时福射波长为254nm。
[0010] 更具体的，对制备后的化,Agu 纳米阵列依次在氧气氛围下500°C进行热 处理、于双氧水中40曲Z超声震荡清洗、于臭氧氛围中254nm紫外福射处理及在氧气氛围中 400°C热处理，再利用磁控瓣射在处理后的化xAgux>NyO<i,>纳米阵列上淀积Ag。
[0011] 本发明的有益效果为： 阳01引（1)本发明将化xAg(lX)NyO(ly)纳米阵列作为肖特基结的半导体部分，将Ag作为肖 特基结的金属部分，制备成化y神米阵列/Ag肖特基结，该肖特基结具有反向漏 电流小和肖特基势垒高的特点，且通过进一步的处理后得到的化xAgfi ,>纳米阵列/ Ag肖特基结具有更小的反向漏电流和更高的肖特基势垒； 阳OU] 似与同样经过处理的aixAg(lx)NyO(ly)纳米阵列/Au、化xAg(lx)NyO(ly)纳米阵列/ Ni'ZrixAg。x)NyO(iy)纳米阵列/Pt'ZrixAg。x)NyO(iy)纳米阵列/Pd等肖特基结相比，经过处理 的化yAguy抑Ouy神米阵列/Ag肖特基结具有更小的反向漏电流和更高的肖特基势垒；
[0014] (3)与同样经过处理的化0二元化合物半导体纳米阵列/Ag肖特基结相比，经过处 理的ZnyAg^ 四元化合物纳米阵列/Ag肖特基结具有更小的反向漏电流和更高的肖 特基势垒。
【附图说明】
[0015] 图1是各实施例制备的肖特基结的电流电压接触特性正向曲线；
[0016] 图2是各实施例制备的肖特基结的电流电压接触特性反向曲线；
[0017] W下结合说明书附图和【具体实施方式】对本发明做具体说明。
【具体实施方式】 阳01引本发明的化xAgflXlWyOfly神米阵列/Ag肖特基结包括半导体部分和金属部分，半 导体部位为aag(lx)NyO(ly)纳米阵列，金属部分为金属Ag。Ag是在化xAg(lx)NyO(ly)纳米 阵列制备完成并处理后再实现接触，两者之间没有成分和量的要求；按摩尔比计，ZriyAg^ Ny0(i y)纳米阵列X= 0. 80 ~0. 99,y= 0.Ol~0. 30。 阳019]ZriyAgfiy请一种四元化合物半导体材料，具有高稳定性、耐福射性、生物安 全性等很多优良特性。将化W纳米阵列的形式制备出来，可W使其具有微观 定向电学传输能力，提高其电学性质。ZnyAg^ y,纳米阵列和金属构成的肖特基结可用 于照明器件、光敏器件、整流器件等多种用途，在电子元器件领域具有较高的应用价值。 [0020] 本发明给出了一种提高化xAgfix>Ny〇<iy神米阵列/Ag肖特基结接触特性的方法， 即在制备出化xAgu 纳米阵列之后，进行一系列组合方案处理：先在氧气氛围中热 处理，再用双氧水超声清洗，再进行紫外臭氧联合处理，最后再在氧气氛围中热处理。经过 上述处理后在利用磁控瓣射在化xAg(l X)NyO(l y)纳米阵列顶部锻上Ag,形成化xAg(l X)NyO(l y) 纳米阵列/Ag肖特基结。实验表明运一系列多步骤的处理方案可W有效的提高化xAgu Ny0(l y)纳米阵列/Ag肖特基结的接触特性。目前尚未见有运方面的相关报道。 阳OW实施例1
[0022] 步骤1 :在ITO基片上用用甩胶机旋涂乙酸锋的醇溶液并烘干得到晶种，然后将ITO置于配置乙酸锋、硝酸银、乙酸锭混合溶液的溶液中，混合溶液中乙酸锋、硝酸银和乙酸 锭的浓度分别为0. 10mol/l、0.Olmol/L和0. 15mol/l，在90摄氏度下水热生长5小时，得到 ZrixAgdx)NyO(iy)纳米阵列，取出烘干。 阳02引能谱测试表明该化yAgfiy神米阵列中描述化合物摩尔比例的下标为X= 0. 92,y= 0. 11 ;
[0024] 步骤2 :将化xAgiA〇iy纳米阵列在氧气氛围下500°C热处理1小时，W降低本征 取代型和空位型自补偿杂质并降低散射；再将其放入质量百分数为35%的双氧水中并在 40曲Z的超声震荡中清洗10分钟；再将其置于臭氧氛围中用254nm紫外福射处理30分钟， W改善其表面态；最后再在氧气氛围下400°C热处理1小时，W消除上一步中紫外福射破坏 晶格位而形成的晶体缺陷。 阳02引步骤3 :利用磁控瓣射在处理后的化xAgfix>Ny〇<iy神米阵列上淀积Ag,形成ZrixAgi典〇1測米阵列/Ag肖特基结。
[0026]图1和图2给出了本实施例制备的化xAgfi#爪1y側米阵列/Ag肖特基结的IV 曲线图。表I给出了依据图I和图2的IV曲线提取出的-IV下漏电流的具体数值，并给出 了通过光电子能谱测定得到的化,Agu ,>纳米阵列/Ag肖特基接触势垒高度值。根据 表1可W看出，该肖特基结且反向漏电流很小，且接触势垒很高，表明化xAgfiy神米 阵列/Ag肖特基结具有很好的接触特性。
[0027] 实施例2
[002引制备方法与测试同实施例1，但是省略了步骤2中的将化xAgfi#y0ay側米阵列在 500摄氏度的氧气氛围下热处理1小时环节。图1和图2给出了本实施例制备的肖特基结 的IV曲线图。表1给出了本实施例制备的肖特基结的-IV漏电流的具体数值和肖特基接 触势垒高度值，可W看出该肖特基结反向漏电流较实施例1更大，势垒高度值较实施例1更 低。运说明本实施例得到的肖特基结接触特性较实施例1较差。
[0029] 实施例3
[0030] 制备方法与测试同实施例1，但是省略了步骤2中的将纳米阵列放入超声清洗机 中用双氧水清洗10分钟环节。图1和图2给出了本实施例制备的肖特基结的IV曲线图。 表1给出了本实施例制备的肖特基结的-IV漏电流的具体数值和肖特基接触势垒高度值， 可W看出该肖特基结反向漏电流较实施例1更大，势垒高度