前处理步骤包括：
[0035] (Il)P型晶娃基片，在碱性溶液的环境下，进行金字塔绒面的制备；
[0036] (1.。将所述的P型晶娃基片放入HF/肥L的混酸液中进行酸洗，去除所述的P型 晶娃基片表面残留的金属杂质离子；
[0037] (1.如将所述的P型晶娃基片放入高溫石英扩散炉中，进行高溫扩散，制备N型 层；
[0038] (1. 4)将扩散后的所述的P型晶娃基片进行边缘N型层的去除，W及表面憐娃玻璃 层的去除；
[0039] (1. 5)将刻蚀后的所述的P型晶娃基片重新放入石英舟承载槽中。
[0040] 优选地，所述的高溫石英管清洗饱和步骤包括：
[0041] 将所述的P型晶娃基片放入已经清洗干净的高溫石英扩散炉中，进行l〇〇〇°C、l化 的饱和清洗。
[0042] 更优选地，所述的高溫石英管清洗饱和步骤包括：
[0043] 将所述的P型晶娃基片放入已经清洗干净的高溫石英扩散炉中，采用氯乙酷氯对 酸洗后的石英管进行1000°c、l化的饱和清洗。
[0044] 优选地，所述的高溫氧化步骤包括：
[0045](3. 1)将石英管溫度设定至835°C，并等待至溫度恒定在835°C;
[0046] (3. 2)打开成阀口，将整个石英炉管内通入惰性气体Nz进行气氛保护；
[0047](3.如打开〇2阀n，通入热氧化所需要的0进行高溫氧化；
[0048] (3. 4)热氧化层生长完毕后，等待所述的P型晶娃基片冷却后，将其取出、插入石 墨舟内。
[0049] 进一步地，所述打开成阀口，将整个石英炉管内通入惰性气体Nz进行气氛保护， 具体为：
[0050] 将气体流量设定为25000ml/min，打开成阀口，将整个石英炉管内通入惰性气体 成进行气氛保护。
[0051] 更进一步地，所述的打开〇2阀口，通入热氧化所需要的02进行高溫氧化，具体为：
[0052] (3. 3. 1)将气体流量设定为5000ml/min，打开化阀口，通入热氧化所需要的02进 行局溫氧化；
[0053] (3. 3. 2)氧化时间设定为17mins，预计生长的热氧化层厚度在2~5皿之间。
[0054] 优选地，所述的双层阳CVD Si化膜的生长步骤为： 阳化日](4. 1)将生长好氧化层的所述的P型晶娃基片，放入阳CVD管中进行双层Si化膜 的生长；
[0056] (4. 2)所述的P型晶娃基片进入阳CVD炉管后，抽真空并将炉管溫度升至450°C;
[0057] (4. 3)打开清洗器，进行所述的PECVD炉管内废气的处理，同时再次进行抽真空； 阳05引 （4. 4)进行第一层Si化膜的沉积，通入SiH4和NH3,并且保持在1 :3的体积比；
[0059] (4. 5)将高频打开，功率设定在4500W，锻膜时间控制170s，获得第一层Si化膜； 柳6〇] (4. 6)第二次抽真空，同时进行第二层Si化膜的制备，通入SiH4和NH3,保持体积 比为1 :7; 阳06U (4. 7)打开高频电源，功率设定在4800W，锻膜时间控制在450s，获得第二层Si化 膜。
[0062] 更优选地，所述的抽真空步骤均为Amins/SOmTorr。
[0063] 优选地，所述的后处理步骤为：
[0064] (5. 1)所述的Si化膜完全生长完毕后，再次进行抽真空和尾气的处理，并出炉，完 成锻膜程序； W65] (5.。将生长好的所述的Si化膜的P型晶娃基片进行丝网印刷和烧结，插入Ag电 极；
[0066] 最优选地，所述的步骤（5)之后，还包括W下步骤：
[0067] (6)进行所述的太阳能电池电性能参数的测试和筛选。
[0068] 采用本发明的热氧化方法生长的Si〇2薄膜与衬底娃的晶格系数更加匹配，纯化效 果更佳。热氧化生长Si〇2纯化膜技术采用干氧氧化方法，在晶体娃表面生长SiO 2薄膜，主 要原因是干氧氧化生长的Si化薄膜结构致密、均匀、纯化效果好，有效的阻止了钢离子侵入 到娃基底中，因此对于抗PID的太阳能电池来说，热氧化方法生长的氧化层效果最佳。
【附图说明】
[0069] 图1为常规太阳能电池结构的示意图；
[0070] 图2为常规太阳能电池的生产方法的流程图。
[0071] 图3为本发明提供的太阳能电池结构的示意图；
[0072] 图4为本发明太阳能电池的生产方法的流程图；
[0073] 附图标记 W74] IAAg电极 阳0巧]2A 阳CVD Si化膜
[0076] 4A N型扩散层
[0077] 5AP型娃基体
[0078] 6AP+层 W79] 7A 侣背场
[0080] 1 Ag电极 W81] 2 双层阳CVD Si化膜 阳0間 3 热氧化SiOx层 阳〇8引 4 N型扩散层
[0084] 5 P型娃基体 阳0化]6 P+层
[0086] 7 侣背场
【具体实施方式】
[0087] 为了能够更清楚地描述本发明的技术内容，下面结合具体实施例来进行进一步的 描述。
[008引如图1~2所述，抗PID效应的太阳能电池结构及生产方法如下：在侣背板7上附 上P+层6,选取传统的P型晶娃基片5,在碱性溶液的环境下，进行金字塔绒面的制备；将 P型晶娃基片放入HF/HC1的混酸液中进行酸洗，去除P型晶娃基片表面残留的金属杂质离 子；而后放入高溫石英扩散炉中，进行高溫扩散，制备N型层扩散层4 ;将扩散后的P型晶娃 基片5进行边缘N型层的去除，W及表面憐娃玻璃层的去除，即刻蚀工序；将刻蚀后的P型 晶娃基片5重新放入石英舟承载槽中，注意保持P型晶娃基片表面的洁净度，防止P型晶 娃基片5表面的脏污对氧化层产生影响，从而导致PECVD后出现色斑点；将P型晶娃基片 5放入已经清洗干净的高溫石英扩散炉中，建议可W采用氯乙酷氯对酸洗后的石英管进行 IOOCTC、1化的饱和清洗，防止氧化过程中石英管内的护+渗入氧化层中，影响抗PID效果； 将石英管溫度设定至835°C，并等待至溫度恒定在835°C，打开成阀口，将整个石英炉管内 通入惰性气体成进行气氛保护，并将气体流量设定为25000ml/min;打开02阀口，通入热 氧化所需要的02，并将气体流量设定为5000ml/min，设定氧化时间，将其设定为17mins，预 计生长的热氧化层厚度在2~5皿之间；热氧化层生长完毕后，等待P型晶娃基片5冷却 后，将其取出、插入石墨舟内，注意P型晶娃基片5表面的摩擦，防止氧化层的破坏，影响抗 PID的效果；将生长好氧化层3的晶P型晶娃基化放入阳CVD管中进行双层Si化膜2的生 长，晶P型晶娃基片5进入阳CVD炉管后，进行4mins/80mTorr的抽真空，并将炉管溫度升 至450°C;取消常规阳CVD锻膜过程中的预处理步骤，防止高频环境下，N+离子的对Si02层 的轰击作用，削弱抗PID的效果，打开清洗器，进行炉管内废气的处理，同时再次进行抽真 空至SOmTorr,进行第一层Si化膜的沉积，通入SiH4和畑3,并且保持在1 :3的体积比，将 高频打开，功率设定在4500W，锻膜时间控制170s，获得第一层膜厚为20nm、折射率为2. 25 的SisN*膜；第二次抽真空，同时进行第二层Si化膜的制备，通入SiH4和NH3,体积比为1 : 7,同时打开高频电源，功率设定在4800W，锻膜时间控制在450s，获得第二层膜厚为50nm、 折射率为2. 05的SisNA膜；双层Si3N4膜用于增加太阳光的入射率，从而提高太阳能电池对 光谱的吸收率，SisNA完全生长完毕后，再次进行抽真空和尾气的处理，并出炉，完成锻膜程 序。将生长好SisNA膜的P型晶娃基片进行丝网印刷和烧结，插入Ag电极，最后进行太阳能 电池电性能参数的测试和筛选，测试条件如下：一1000 V高压，测试恒溫保持85。相对湿 度保持在85%，测试时间为60h。
[0089] 本发明创造性的利用Si〇2的物理结构，将其应用在太阳能电池的表面，形成一 层稳定的膜层，有效隔离外界对太阳能电池的影响，起到抗PID的效果。本发明不需要任 何设备的采购和气路改造的大量资金投入，就能实现抗PID的效果；本发明所生长的氧化 层致密性好，并且非常稳定，在组件端的抗PID衰减测试结果显示其组件功率衰减保持在 0.5%~1.5%之间，超出预期的抗PID效果。测试结果如下表1 :