少的空间。在该例中，阴极盘相比盘704a被扩大以补偿并确保盘707a具有例如足够低的电阻、要求的热传递性质等。将理解，特定激光二极管可包括对称地或非对称地布置在阳极区730周围的两个沟道配置726a、726b中的任何一个。在其它布置中，激光二极管可仅包括一个沟道726a、726b，其形成与阳极区730并排布置的单个阴极区732a、732b。
[0050]激光二极管702也可包括被布置在衬底716与结表面708相对的表面上的底部阴极层(未示出)。例如，参见图3A中的底部阴极层308。底部阴极层提供与衬底716的替代电耦合。这可能有利于替代的安装配置，例如图1A所示的滑动件内激光器和图1B和图1C所示的滑动件上激光器。
[0051]现在参见图8，流程图示出根据示例性实施例用于形成激光二极管的方法，例如图3B和/或图8所示。该方法涉及形成800激光器衬底。结层被沉积802到衬底上。结层形成激光二极管的量子阱，例如沿激光器输出方向从激光二极管的中心向下。一个或多个沟道沿激光器输出方向被形成806在结层中。一个或多个沟道的底部延伸穿过结层直至衬底。
[0052]该方法还涉及在结层上沉积806绝缘层，并且在一个或多个沟道的底部去除808一个或多个沟槽区内的绝缘层的一部分。阴极金属层被形成810在绝缘层之上。阴极金属层背离量子阱地从一个或多个沟槽区(在那里阴极金属层耦合至衬底)延伸至阴极区。阳极金属层被形成812在绝缘层之上并电耦合至结层的阳极部分，例如如果使用两个或更多个沟道则在两个沟道之间。隔离层被形成814在阴极金属层之上。隔离层包括其中阴极金属层的一些部分被露出的区域。形成816—个或多个阴极电结以使这些结被耦合至阴极金属层的露出部分。形成818 —个或多个阳极电结，以使这些结被耦合至阳极金属层。
[0053]将理解，图8所示的方法仅为了例示，并且受上述示教的启发可以有许多变化。例如，可以与图示不同的顺序执行操作。另外，根据激光二极管的最终配置，一些操作可以是选用的。例如，隔离层可以是选用的，或具有不同配置。在另一变例中，可使用更多或更少的沟道和/或通路。
[0054]已为了解说和描述目的给出了前面对示例性实施例的描述。它不旨在穷举或将本发明限制为所公开的准确形式。根据上述示教，许多修改和变化是可能的。所披露的实施例的任何特征或所有特征可单独或以任何组合方式施加，不旨在构成限制，而是纯粹解说性的。旨在使本公开的范围不受该详细说明限制，而是由所附权利要求书确定。
【主权项】
1.一种激光二极管，包括: 衬底； 布置在所述衬底上的结层，所述结层形成激光二极管的量子阱； 结表面，所述结表面具有延伸通过所述结层直至所述衬底的至少一个沟道，所述至少一个沟道界定阳极区和阴极区； 阴极电结，其被布置在所述阴极区的所述结表面上；阳极电结，其被布置在所述结表面上并耦合至所述阳极区的所述结层；以及 阴极金属层，其被布置在所述至少一个沟道的至少沟槽区内，所述沟槽区沿所述激光二极管的激光输出方向延长，并且所述阴极金属层将所述衬底耦合至所述阴极电结。2.如权利要求1所述的激光二极管，其特征在于，所述沟槽区基本从所述激光二极管的发射边缘延伸至所述激光二极管的相对边缘。3.如权利要求1所述的激光二极管，其特征在于，所述沟槽区包括被布置在所述衬底的相应的第一和第二半部之上的第一和第二沟槽区，其中所述沟槽区覆盖所述相应的第一和第二半部的表面积的一半以上。4.如权利要求1所述的激光二极管，其特征在于，所述至少一个沟道沿所述激光二极管的激光输出方向延长。5.如权利要求1所述的激光二极管，其特征在于，所述至少一个沟道包括两个沟道，其中所述阳极区被布置在所述两个沟道之间。6.如权利要求5所述的激光二极管，其特征在于，所述阴极区包括在所述阳极区的任一侧上的两个阴极区。7.如权利要求6所述的激光二极管，其特征在于，所述阴极电结包括在所述两个阴极区上的第一和第二多个焊料隆起。8.如权利要求1所述的激光二极管，其特征在于，所述阴极电结包括多个焊料隆起。9.如权利要求1所述的激光二极管，还包括被布置在所述衬底与所述结表面相对的表面上的底部阴极层，所述底部阴极层提供与所述衬底的替代的电耦合。10.如权利要求1所述的激光二极管，还包括被布置在所述结层和所述阴极金属层之间的绝缘层，所述绝缘层使得所述阴极金属层与所述结层绝缘。11.如权利要求1所述的激光二极管，其特征在于，所述阴极电结和所述阳极电结被配置成电耦合至磁性硬驱动器滑动件的安装表面。12.—种激光二极管，包括: 结表面，其包括: 沿所述激光二极管的激光输出方向延伸的两个狭长沟道； 被布置在所述两个狭长沟道之间的阳极区内的阳极电结；以及 被布置在所述阳极区之外的一个或多个阴极区内的两个或更多个阴极电结； 被布置在所述结表面下面的结层，所述结层在所述阳极区形成量子阱； 在所述结层下面的衬底，其中所述狭长沟道在沟槽区延伸穿过所述结层直至所述衬底，所述沟槽区沿所述激光器二极管的激光输出方向延长；以及 延伸入所述沟槽区的阴极金属层，所述阴极金属层将所述衬底耦合至所述两个或更多个阴极电结。13.如权利要求12所述的激光二极管，其特征在于，所述沟槽区基本从所述激光二极管的发射边缘延伸至所述激光二极管的相对边缘。14.如权利要求12所述的激光二极管，其特征在于，所述沟槽区包括被布置在所述衬底的相应的第一和第二半部之上的第一和第二沟槽区，其中所述沟槽区覆盖所述相应的第一和第二半部的表面积的一半以上。15.如权利要求12所述的激光二极管，其特征在于，所述阴极电结包括多个焊料隆起。16.如权利要求12所述的激光二极管，还包括被布置在所述结层和所述阴极金属层之间的绝缘层，所述绝缘层使得所述阴极金属层与所述结层绝缘。17.如权利要求12所述的激光二极管，其特征在于，所述阴极电结和所述阳极电结被配置成电耦合至磁性硬驱动器滑动件的安装表面。18.—种方法，包括: 形成激光器衬底； 将结层沉积在所述激光器衬底上，所述结层形成激光二极管的量子阱； 沿激光输出方向通过所述结层形成一个或多个沟道，所述一个或多个沟道的底部延伸至所述激光器衬底； 将绝缘层沉积在所述结层上； 在所述一个或多个沟道的底部去除一个或多个沟槽区内的绝缘层的一部分，所述一个或多个沟槽区沿所述激光输出方向延长； 在所述绝缘层之上形成阴极金属层，所述阴极金属层在所述一个或多个沟槽区耦合至所述激光器衬底；以及 形成被耦合至所述阴极金属层的一个或多个阴极电结，所述一个或多个阴极电结在所述激光二极管的结表面露出。19.如权利要求18所述的方法，还包括在所述阴极金属层之上形成隔离层，所述隔离层包括其中所述阴极金属层的一些部分被露出的区域，所述阴极电结被形成在所述区域之上。20.如权利要求18所述的方法，还包括: 在阳极区去除所述绝缘层的第二部分以使所述结层露出；以及 在所述阳极区处在所述结层上形成阳极金属层；以及 形成被耦合至所述阳极金属层的一个或多个阳极电结。
【专利摘要】一种激光二极管包括衬底和布置在衬底上的结层。结层形成激光二极管的量子阱。激光二极管包括结表面，该结表面具有延伸通过结层至衬底的至少一个沟道。所述至少一个沟道界定阳极区和阴极区。阴极电结被布置在阴极区的结表面上，而阳极电结被布置在结表面上并耦合至阳极区的结层。阴极金属层被布置在沟道的至少沟槽区内。阴极金属层将衬底耦合至阴极电结。
【IPC分类】H01S5/40, H01S5/026
【公开号】CN105144511
【申请号】CN201480022240
【发明人】S·E·奥尔森
【申请人】希捷科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年3月12日
【公告号】WO2014165039A1