果示于表1。
[0093] 另外，目测观察了光照射后的金属纳米丝层12,结果用肉眼没有观察到照射部 (导电性区域）与非照射部（非导电性区域）的区别。
[0094]
[0095]〈实施例3>
[0096]〈含有粘合剂树脂的墨的调制和特性评价〉
[0097] 作为粘合剂树脂，将Ig聚-N-乙烯基吡咯烷酮（以下为PNVP，（株）日本触媒制 K-90,分子量为36万）溶解于9g萜品醇中制作了PNVP的10质量％萜品醇溶液后，向400mg该PNVP的萜品醇溶液中，添加250mg与实施例1同样进行溶剂替换并改变量比而调制出的 银纳米丝的2质量％萜品醇分散液、350mg萜品醇、Ig甲基异丁基酮（以下为MIBK，东京化 成工业（株）制），利用短时间工作用新型漩涡混合器VORTEX3(IKA公司制）在室温25°C 进行1分钟的振动搅拌，由此调制了墨。
[0098] 以IOOym厚的PET薄膜（帝人ri示> 7 4A(株）制，KFL10W，或东丽（株） 制夕7卜77°SHB100)为基板，使用用于IOym厚的螺旋涂布机（TQC(株）制）将采用上 述的方法制作出的墨涂布后，利用恒温器HS350(工夕y夕（株）制）在空气下、KKTC加热 1小时并进行干燥，形成了金属（银）纳米丝层。干燥后的膜厚为300nm。
[0099] 在所得到的形成了金属（银）纳米丝层的PET薄膜上，设置具有以Imm宽的遮 光线间隔的2个25mm见方的开口部的掩模（不锈钢制，厚度为300ym，参照图6a)，使用 PulseForge3300 (NovaCentrix公司制），照射1脉冲照射电压为600V、照射时间为50ys的 脉冲光（照射能量为I. 〇J/cm2)，得到了导电图案。
[0100] 对于电特性，采用在光照射前的导电区域内表面电阻的测定中使用高电阻率仪 (Hiresta-UPMCP-HT450，MITSUBISHICHEMICALCORPORATION制）（测量探头（URlOO))、在 光照射后的导电性区域内表面电阻的测定中使用低电阻率仪（（株）三菱化学7于卩亍7 夕制口U只夕一GP)的4端子线阵探头（电极间隔为I. 5mm)的四探针法进行了测定。相 对于光照射前的导电性区域内表面电阻超过测定界限的，光照射后的导电性区域内表面电 阻为100~150Q/□。另外，导电性区域间电阻使用DIJITALMULTIMETERPC500a(三和 电气测量（株）制）进行了测定。导电性区域间电阻值超过测定上限，维持了绝缘。
[0101] 并且与实施例1同样地测定了 1小时耐电压。将结果示于表2。
[0102] 〈实施例4>
[0103]〈含有粘合剂树脂的墨的调制和特性评价〉
[0104] 除了光烧成中使用的掩模的遮光线为0. 5mm(图6b)以外，采用与实施例3同样地 方法实施了含有粘合剂树脂的墨的调制和特性评价。将评价结果示于表2。
[0105]〈实施例5>
[0106]〈含有粘合剂树脂的墨的调制和特性评价〉
[0107] 作为粘合剂树脂，将Ig聚-N-乙烯基乙酰胺（以下为PNVA，昭和电工（株）制 GE191-104P，分子量为30万）溶解于9g的1-甲氧基-2-丙醇（以下为PGME，东京化成工 业（株）制）中制作了PNVA为10质量％的PGME溶液后，向400mg该PNVA的PGME溶液 中，添加500mg与实施例1同样进行溶剂替换并改变分散介质而调制出的银纳米丝为1质 量％的PGME分散液、300mg的PGME、800mg的MIBK，利用V0RTEX3 (IKA公司制）振动搅拌1 分钟，由此调制了墨。
[0108] 使用所得到的墨，将照射时间变更为100yS(照射能量为2. 7J/cm2)，除此以外采 用与实施例3记载的同等的方法进行了评价。将评价结果示于表2。
[0109] 〈实施例6>
[0110] 〈含有粘合剂树脂的墨的调制和特性评价〉
[0111]除了光烧成中使用的掩模的遮光线为〇. 5mm(图6b)以外，采用与实施例5同样的 方法实施了含有粘合剂树脂的调制和特性评价。将评价结果示于表2。
[0112]〈实施例7>
[0113]〈含有粘合剂树脂的墨的调制和特性评价〉
[0114] 作为粘合剂树脂，将Ig聚甲基丙烯酸甲酯（以下为PMMA，三菱(株）制 VH-001)溶解于9g的MIBK中制作了PMMA为10质量％的MIBK溶液后，向800mg该PMMA 的MIBK溶液中，添加250mg银纳米丝为2质量％的萜品醇分散液、750mg萜品醇、200mg的 MIBK，利用V0RTEX3(IKA公司制）振动搅拌1分钟，由此调制了墨。
[0115] 使用所得到的墨，将照射时间变更为60ys(照射能量为I. 3J/cm2)，将基板变更为 100ym厚的PET薄膜（东丽（株）制夕7卜y7°SHB100)，除此以外采用与实施例3记载 的同等的方法进行了评价。将评价结果示于表2。
[0116]〈实施例8>
[0117]〈使用了底涂层的实施例〉
[0118] 除了使用了调制作为底涂树脂的苯氧基型的环氧树脂UER1256,三菱化学（株） 制）为20质量％的溶液（溶剂为丁基卡必醇乙酸酯），将其涂布于作为基板的;P彡7-（注 册商标）T60(东丽（株）制聚酯薄膜，厚度为125ym)表面之后，在80°C干燥60分钟，形成 了底涂层（膜厚约为2ym)的聚酯薄膜以外，采用与实施例3同等的方法进行了评价。将 结果示于表2。
[0119]
[0120] 如表2所示，可确认在使用了PNVP、PNVA或PMM的系统中，光照射部（露光部） 的表面电阻都充分降低，并且都维持了光照射部-未照射部之间的绝缘（1小时耐电压）。
[0121] 产业上的利用可能性
[0122] 本发明能够利用于触摸屏等所使用的透明电极的形成。
[0123] 附图标记说明
[0124] 基板：10,金属纳米丝层：12,导电性区域：12c，非导电性区域：12i，掩模：14,透光 部：14a，16 :激光光源，18 :扫描装置。
【主权项】
1. 一种导电图案的制造方法，其特征在于，具备： 在基板的至少一个主面的全部或一部分上形成包含金属纳米丝的金属纳米丝层的工 序；和 以规定图案对所述金属纳米丝层照射光，在所述规定图案的形状的区域将所述金属纳 米丝层中的金属纳米丝烧结的工序。2. 根据权利要求1所述的导电图案的制造方法，所述金属纳米丝层包含金属纳米丝和 粘合剂树脂。3. 根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，所述光是隔着以所述图案的形状 形成有透光部的掩模而照射的脉冲光。4. 根据权利要求1~3的任一项所述的导电图案的制造方法，所述金属纳米丝是银纳 米丝。5. 根据权利要求1~4的任一项所述的导电图案的制造方法，通过对所述基板进行底 涂而形成底涂层后，在底涂层上形成所述金属纳米丝层。6. 根据权利要求1~5的任一项所述的导电图案的制造方法，所述金属纳米丝层是将 金属纳米丝墨涂布于基板的至少一个主面的全部或一部分面上而形成的，所述金属纳米丝 墨包含金属纳米丝、粘合剂树脂和分散介质。7. 根据权利要求1~6的任一项所述的导电图案的制造方法，所述金属纳米丝层是将 金属纳米丝墨涂布于基板的至少一个主面的全部或一部分面上而形成的，所述金属纳米丝 墨是在能够使所述基板的材料溶解或溶胀的溶剂中分散了金属纳米丝的墨。8. -种形成有导电图案的基板， 在基板的至少一个主面的全部或一部分上具有包含金属纳米丝的金属纳米丝层， 所述金属纳米丝层具备： 所述金属纳米丝以规定的图案被烧结而成的导电性区域；和 所述金属纳米丝未被烧结的非导电性区域，该非导电性区域是所述金属纳米丝层的除 了所述导电性区域以外的区域。9. 根据权利要求8所述的形成有导电图案的基板，所述导电性区域的表面电阻为 200 Q / □以下，所述非导电性区域的表面电阻为IO3Q / □以上。10. 根据权利要求8或9所述的形成有导电图案的基板，所述金属纳米丝的直径的平均 值为Inm以上、500nm以下，长轴的长度的平均值为Iym以上、100ym以下，纵横尺寸比的 平均值为10以上。
【专利摘要】本发明提供能够简易地实现窄间距的导电图案的制造方法和形成有导电图案的基板。在基板(10)的至少一个主面的全部或一部分面上形成金属纳米丝层(12)，隔着以规定图案形成有透光部(14a)的掩模(14)而照射脉冲光，在所述规定图案的形状的区域将所述金属纳米丝层(12)中的金属纳米丝烧结，使所述规定图案的形状的区域显现导电性。由此，能够以简易的工序制造具备任意图案的导电图案的基板。
【IPC分类】H01B5/14, H01B13/00, B05D5/12, B05D3/06
【公开号】CN105164764
【申请号】CN201480023443
【发明人】内田博, 篠崎研二, 冈崎惠理, 大簱英树, 宫村泰直
【申请人】昭和电工株式会社
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2014年4月17日
【公告号】WO2014175163A1