将第二收集瓶120围起来。
[0062]第一至第三收集瓶110、120以及130可以提供第一至第三收集空间RS1、RS2以及RS3，在收集空间中吸收和收集包含从基板w吹离的处理溶液和气体的气流。第一收集空间RS1可由第一收集瓶110提供。第二收集空间RS2可以设置在第一收集瓶110与第二收集瓶120之间。第三收集空间RS3可以设置在第二收集瓶120与第三收集瓶130之间。
[0063]第一至第三收集瓶110、120以及130中的每一个可以设置成具有位于其中央部的顶部敞开的入口。第一至第三收集瓶110、120以及130中的每一个可以以沿其侧壁的方向从其底部到其顶部入口的距离增大的方式设置，从而具有倾斜面。从基板w吹离的处理溶液可以沿着第一至第三收集瓶110、120以及130的上表面流入收集空间RS1、RS2以及RS3。
[0064]流入第一收集空间RS1的第一处理溶液可通过第一排出线路141被排到外部。流入第二收集空间RS2的第二处理溶液可通过第二排出线路143被排到外部。流入第三收集空间RS3的第三处理溶液可通过第三排出线路145被排到外部。
[0065]基板支撑单元200可以包括旋转头部210、支撑轴220以及旋转驱动部分230。旋转头部210可以包括支撑销224和卡盘销212。当在俯视图中观看时，旋转头部210可具有圆形上表面。
[0066]支撑销224可以设置成多个。支撑销224可布置成与旋转头部210的上表面的边缘隔开指定距离。支撑销224可以支撑基板w的底表面的边缘以将基板w与旋转头部210的上表面分开指定距离。支撑轴220可耦接至旋转头部210。支撑轴220可被配置为通过旋转驱动部分230旋转。卡盘销212可以设置成多个。卡盘销212可设置在支撑销224的外部。当基板支撑单元200旋转时，卡盘销212可以支撑基板w的侧部分以防止基板w侧向偏离其正常位置。
[0067]在基板处理过程期间，喷射构件300可被配置为将所提供的处理溶液喷射在加载在基板支撑单元200的旋转头部210上的基板w的待处理表面上。喷射构件300可以包括驱动单元310、支撑轴320、喷嘴支撑部分330以及喷雾嘴340。
[0068]支撑轴320可以以其纵向平行于第三方向D3的方式设置，并且支撑轴320的底部可以耦接至驱动单元310。驱动单元310可被配置为使支撑轴320旋转。喷嘴支撑部分330可以耦接至支撑轴320以在基板w上移动喷雾嘴340或允许喷雾嘴340将处理溶液喷射在基板w上。
[0069]喷雾嘴340可以布置在喷嘴支撑部分330的端部的底面。喷雾嘴340可通过驱动单元310移动到基板处理过程的处理位置或备用位置。处理位置可以位于垂直方向上的器皿100上。备用位置可以位于器皿100外部。喷雾嘴340可以将化学溶液供应装置提供的化学溶液喷涂在基板w上。
[0070]排出单元500可被配置为将供应到器皿100中的物质排出到外部。在示例性实施方式中，在基板处理过程期间，排出单元500可被配置为向正进行收集处理溶液的过程的第一至第三收集瓶110、120以及130中至少一个施加排出压力。排出单元500可以包括排出线路510和阻尼器520。排出线路510可连接到排出管道190。通过排出栗施加的排出压力可施加于排出线路510上，并且排出线路510可连接到埋入半导体加工设备的底板下方的主排出线路。
[0071]器皿100可耦接至用以改变器皿100的垂直位置的提升单元600。提升单元600可被配置为允许器皿100沿着垂直方向线性移动。器皿100的这种垂直运动使得可以改变器皿100相对于基板支撑单元200的垂直位置。
[0072]提升单元600可以包括支架612、移动轴614以及驱动部分616。支架612可安装在器皿100的外侧壁上。移动轴614可被配置为通过驱动部分616竖直地移动，并且移动轴614可以耦接至支架612。当在旋转头部210上加载或从旋转头部210卸载基板w时，器皿100可以向下移动以致于旋转头部210在器皿100之上突出。在基板处理过程期间，可以根据在基板w上供应的处理溶液的种类控制器皿100的高度，并且这使得处理溶液可以流入第一至第三收集瓶110、120以及130中预定的一个。器皿100与基板w之间的相对垂直位置可以改变。因此，器皿100可被配置为允许收集空间RS1、RS2以及RS3中的每一个收集相应种类的处理溶液和污染气体。
[0073]在示例性实施方式中，基板处理装置1可被配置为垂直地移动器皿100并改变器皿100相对于基板支撑单元200的相对垂直位置。基板处理装置1也可被配置为垂直地移动基板支撑单元200并改变基板支撑单元200相对于器皿100的相对垂直位置。
[0074]图4是器皿的内侧面的实例。参考图4，器皿100可被设置成具有拥有纹理的内侧面。纹理可以是线性的。可通过垂直纹理图案710实现纹理，可以在垂直于水平面的垂直方向上形成该垂直纹理图案。垂直纹理图案710可以设置成多个。多个垂直纹理图案710可沿着器皿100的周向以圆形方式设置。垂直纹理图案710可以形成为彼此间隔开均匀的距离dl。垂直纹理图案710可以形成为具有基本相同的深度d3。垂直纹理图案710可以以凹纹的形式设置。
[0075]形成在器皿100的内侧面上的纹理图案可以引导与器皿100碰撞的处理溶液朝向下的方向从而防止或抑制处理溶液朝向基板弹回。此外，与器皿100碰撞的处理溶液的液滴可以通过纹理图案被分成较小的小滴，因此，当分割的小滴与朝向纹理图案飞行的处理溶液碰撞时，可以抑制一小部分处理溶液朝向基板弹回。
[0076]图5到图11是示出根据本发明构思的其他示例性实施方式的具有纹理的器皿的其他实例的示图。如图5中所示，器皿100可以设置成具有倾斜纹理图案720，以与水平面成一定角度形成该倾斜纹理图案。作为其他实例，器皿100可以设置成具有形成为螺旋状的螺旋纹理图案730，如图6所示。又作为其他实例，器皿100可设置成具有包含彼此交叉的垂直和水平纹理图案的网格状纹理图案740，如图7所示。甚至作为其他实例，器皿100可以设置成具有以与砂纸表面类似的方式形成的磨砂纹理图案750，如图8所示。仍作为其他实例，器皿100可以设置成具有形成为具有至少两个不同距离dl和d2的多个竖直纹理图案710，如图9所示。作为又一实例，器皿100可以设置成具有浮雕纹理图案，如图10所示。可替换地，如图11所示，器皿100可以设置成具有多个竖直纹理图案710，其中有一些形成为具有至少两种不同的深度d4和d5。
[0077]图12是示意性地示出当器皿设置成具有平滑内侧面时处理溶液的轨迹的示图，以及图13是示意性地示出当器皿设置成具有在图4中所示的结构时处理溶液的轨迹的示图。参考图12和图13，在器皿设置成具有平滑内侧面的情况下，所使用的化学溶液可能因离心力与器皿的内侧面碰撞从而形成大量要朝向基板弹回的大液滴。这可能会导致基板污染。
[0078]然而，如图13所示，在使用其内侧面形成为具有纹理的器皿执行基板处理过程的情况下，由于与器皿的内侧面碰撞，用于基板处理过程的化学溶液可能被分成多个较小的小滴。此后，化学溶液可以沿着器皿的内侧面的纹理向下流。
[0079]在其他示例实施方式中，基板处理装置可以包括器皿、基板支撑单元、喷射构件以及分割构件。器皿可被配置为在其中提供处理空间。基板支撑单元可以位于器皿中以支撑基板。喷射构件可被配置为在加载在基板支撑单元上的基板上喷射处理溶液。当用于基板处理过程的处理溶液与器皿的内侧面碰撞时，分割构件可被配置为将处理溶液分割成多个小