，因此将对它们一起进行描述。
[0056]图7A是示出设置在像素驱动电路形成层112中的有机发光元件1R的像素驱动电路150的平面构造的示意图。同样地，图7B和图7C是示出有机发光元件1G和1B的像素驱动电路150的平面构造的示意图。图4示出沿着图7A中的线IV-1V所截取的横截面。此夕卜，图5和图6示出沿着图7B和图7C中的线V-V和V1-VI所截取的横截面。
[0057]通过将包含像素驱动电路150的像素驱动电路形成层112设置在由玻璃、硅(Si)、晶片、树脂等制成的基板111上来形成基底11。在基板111的表面上，作为第一金属层，分别设置作为驱动晶体管Trl栅极的金属层211G、作为写入晶体管Tr2栅极的金属层221G以及信号线120A的一部分(图7A至图7C)。金属层211G、221G和信号线120A被由氮化硅、氧化硅等制成的栅极绝缘层212所覆盖。
[0058]对于每一个驱动晶体管Trl，由诸如非晶硅等的半导体薄膜形成的沟道层213设置在栅极绝缘层212上与金属层211G对应的区域的一部分中。绝缘沟道保护层214设置在沟道层213上以占据作为中心区的沟道区213R，并且由η型半导体薄膜(如η型非晶硅)形成的漏电极21?和源电极215S设置在其两个区域中。漏电极21?和源电极215S通过沟道保护层214彼此分开，并且其端表面通过介入其间的沟道区213R彼此分开。作为第二金属层，设置作为漏极线的金属层216D和作为源极线的金属层216S以分别覆盖漏电极21?和源电极215S。金属层216D和金属层216S具有其中例如钛(Ti)层、铝(A1)层以及钛层顺次形成的结构。写入晶体管Tr2具有与驱动晶体管Trl相同的构造。在图7A至图7C中，示出了组成写入晶体管Tr2的要素，作为第一金属层的金属层221G以及作为第二金属层的金属层226D (漏极线)和金属层226S (源极线)被示为写入晶体管Tr2的组成要素。
[0059]作为第二金属层，除上述金属层216D、226D、216S和226S之外，还设置有扫描线130A和电源供给线140A。这里，尽管对具有逆交错结构(所谓的底栅型)的驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2进行了描述，但是可采用交错结构(所谓的顶栅型)。此外，信号线120被形成为扫描线130A和电源供给线140A的交叉点以外的区域中的第二金属层。
[0060]像素驱动电路150被由氮化硅等制成的保护层(钝化层)217完全覆盖，并且绝缘平坦化层218设置在保护层217上。平坦化层218提高了整个像素驱动电路形成层112的平坦性。此外，微细连接孔124设置在平坦化层218和保护层217的部分区域中(参见图7A至图7C)。具体地，平坦化层218具有比保护层217大的厚度，因而优选地由具有良好图案精度的材料制成，例如，以包含聚酰亚胺的无机材料等为例。连接孔124被第一电极层13填充，并电连接至用于形成驱动晶体管Trl的源极线的金属层216S。
[0061]从提高发光效率的观点来看，形成在平坦化层218上的第一电极层13还用作反射层，并且，优选地由具有尽可能高的反射率的材料制成。为此原因，第一电极层13由具有高反射率的材料(例如，铝(A1)或铝钕合金(AINd))制成。铝对在形成开口限定绝缘层24的开口 24K时进行的显影处理所使用的显影液具有低抗耐性，因而易于腐蚀。相反，AINd对显影液具有高的抗耐性并且难以腐蚀。因此，第一电极层13优选通过由AINd制成的单层结构或铝层和AINd的双层结构(铝层(下层)以及AINd层(上层))形成。具体地，铝层(下层)和AINd(上层)的双层结构是优选的，这是因为与单层AINd层相比具有低的抗耐性。第一电极层13的整体厚度在例如lOOnm?lOOOnm的范围内。此外，如果第一电极层13由双层结构形成，则其上层(与有机层14接触)可以由具有高反射率的上述材料制成，而其下层(与平坦化层218接触)可以由具有低反射率的材料(例如，钼(Mo)或其化合物(合金))制成。以此方式，具有高的光吸收率的层设置在与设置有驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2的像素驱动电路形成层112接触的表面上，从而能够将诸如外部光或从发光部10泄露的光的多余光吸收。进一步地，第一电极层13被形成为覆盖平坦化层218的表面并填充连接孔124，如上所述。
[0062]构成发光部10R、10G以及10B的第一电极层13、有机层14以及第二电极层16都不具有水平表面，而是具有包括凹凸的立体起伏表面形状。这是因为如图4至图6的横截面视图所示，位于发光部形成层12下方的像素驱动电路形成层112的表面不是水平的。也就是说，立体凹凸形状具体是由形成驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2的金属层或诸如可选择性地设置在基板111上的信号线120A、扫描线130A以及电源供给线140A的配线层引起的。根据金属层或配线层的设置位置来在像素驱动电路形成层112的表面中产生高度差异，因此第一电极层13、有机层14以及第二电极层在XY平面中也具有取决于他们的位置的高度差。
[0063]在该示例性实施方式中，对应于每个像素P中的各有机发光元件1R、1G以及1B的金属层和配线层的设置位置或其平面形状是彼此不同的。具体地，通过改变有机发光元件1R、1G以及1B中的金属层211G和216S中的沟槽或开口的位置或大小，使得其平面形状是不同的。从而在构成一个像素P的有机发光元件1R、1G以及1B彼此之间，发光部10R、10G以及10B的层表面的起伏(立体的凹凸形状)是不同的。
[0064]在该示例性实施方式中，某一像素(例如，像素P?J的发光部10优选地具有与与其相邻的其他像素(例如，Pn+1，n，Pnl，n，Pn，n+1W&Pn，nl)的发光部10不同的层表面。在这种情况下，至少在X方向上彼此相邻的像素P的发光部10以及在X方向和Y方向上彼此相邻的像素P的其他发光部10更优选地具有彼此不同的起伏层表面。此外，在显示区域110中，具有相同层表面起伏形状的多个发光部10优选地以不规则间隔排列在X方向和Y方向中的至少一个方向上。具体地，更优选地，在显示区域110中，像素P的所有发光部10都具有彼此不同的起伏层表面。
[0065]有机层14全面地形成在由开口限定绝缘层24所界定的发光区域20中，而没有间隙。如图8中所示，有机层14例如具有其中空穴注入层14A、空穴输运层14B、发光层14C以及电子输运层14D从第一电极层13侧顺次层叠的构造。发光层14C之外的其他层是可选地形成的。图8示出了有机层14的局部放大截面图。
[0066]空穴注入层14A是用于提高空穴注入效率并防止泄露的缓冲层。空穴输运层14B提高了向发光层14C输运空穴的效率。在发光层14C中，通过施加电场使电子和空穴再结合，从而产生光。电子输运层14D提高了向发光层14C输运电子的效率。由LiF、Li20等制成的电子注入层(未示出)可形成于电子输运层14D与第二电极层16之间。
[0067]此外，有机层14具有依赖于发光部10R、10G以及10B的发光颜色的不同构造。发光部10R的空穴注入层14A具有例如5nm以上至300nm以下的厚度，并由4，4’，4〃-三(3-甲基苯基苯基氨基)、三苯基氨基(m-MTDATA)或4，4’，4〃-三(2-萘基苯基氨基)(2-TNATA)制成。发光部10R的空穴输运层14B具有例如5nm以上至300nm以下的厚度，并由二 [ (N-萘基)-N-苯基]二氨基联苯(a -NPD)制成。发光部10R的发光层14C具有例如10nm以上至lOOnm以下的厚度，并由三(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)和40%体积的2，6_ 二 [4-[N_(4_甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5- 二碳氰(BSN-BCN)的混合物制成。发光部10R的电子输运层14D具有例如5nm以上至300nm以下的厚度，并由Alq3制成。
[0068]发光部10G的空穴注入层14A具有例如5nm以上至300nm以下的厚度，并由m-MTDATA或2-TNATA制成。发光部10G的空穴输运层14B具有例如5nm以上至300nm以下的厚度，并由a -NPD制成。发光部10G的发光层14C具有例如10nm以上至lOOnm以下的厚度，并由Alq#P 3%体积的香豆素6制成。发光部10G的电子输运层14D具有例如5nm以上至300nm以下的厚度，并由Alq3制成。
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