长一层玻璃钝化层(3)，厚度为36 μ m ；
步骤11:进行第五次光刻，光刻欧姆接触电极孔；
步骤12:采用溅射法在ρ型Si重掺杂层(1)表面依次生长Ti/Pt/Au环形电极，作为正面电极(2)；
步骤13:采用机械减薄的方法将η型Si衬底(6)减薄至200 μ m左右；
步骤14:晶片清洗，将减薄后的晶片依次用乙醇、丙酮、去离子水、乙醇超声清洗；
步骤15:采用溅射法在η型Si衬底(6)背面依次生长Ti/Pt/Au环形电极，作为背面电极(7);
步骤16:晶片划片、焊接、封装及测试。
[0014]实施例3:电子轰击型雪崩二极管的制作方法，包括
步骤1:在电子浓度5X 10lscm 3的η型Si衬底(6)外延生长ρ型Si外延层(4)，外延层掺杂浓度为5 X 1014cm 3，外延厚度为20 μ m ;
步骤2:晶片清洗，进行煮王水处理，去离子水冲洗，离心甩干；
步骤3:进行第一步光刻，光刻出待刻蚀的图形；
步骤4:采用ICP刻蚀方法，刻蚀出器件台面，刻蚀深度25 μπι ;
步骤5:进行第二次光刻，光刻出待生长钝化膜的图形；
步骤6:采用掺氯氧化的方法在η型Si衬底(6)、p型Si外延层(4)及ρ型Si重掺杂层(1)的表面与侧面生长一层Si02氧化层(5)，氧化层厚度350nm ；
步骤7:进行第三次光刻，光刻出待扩散掺杂的图形；
步骤8:采用热扩散方法进行掺杂，掺杂浓度为1 X 1019cm 3，扩散浓度为0.8 μ m ;
步骤9:进行第四次光刻，光刻出待玻璃钝化的图形；
步骤10:采用高温烧结的方法在Si02氧化层(5)上生长一层玻璃钝化层(3)，厚度为26 μ m ；
步骤11:进行第五次光刻，光刻欧姆接触电极孔；
步骤12:采用溅射法在ρ型Si重掺杂层(1)表面依次生长Ti/Pt/Au环形电极，作为正面电极(2)；
步骤13:采用机械减薄的方法将η型Si衬底(6)减薄至200 μ m左右；
步骤14:晶片清洗，将减薄后的晶片依次用乙醇、丙酮、去离子水、乙醇超声清洗； 步骤15:采用溅射法在η型Si衬底(6)背面依次生长Ti/Pt/Au环形电极，作为背面电极(7);
步骤16:晶片划片、焊接、封装及测试。
【主权项】
1.一种电子轰击型雪崩二极管，其特征在于:在η型Si衬底(6)上依次为P型Si外延层(4)、p型Si重掺杂层(1)、正面电极(2)，Si02氧化层(5)位于p型Si外延层(4)和p型Si重掺杂层(1)的表面和侧面，玻璃钝化层(3 )位于Si02氧化层(5 )之上，背面电极(7 )位于η型Si衬底(6)的下方。2.根据权利要求1所述的一种电子轰击型雪崩二极管，其特征在于: 所述的η型Si衬底(6)电子浓度为1 X 1018cm 3至1 X 10 19cm 3，厚度为200 μ m ; 所述的P型Si外延层(4)掺杂浓度为1 X 1014cm 3至1 X 10 15cm 3，厚度为10-30 μ m ； 所述的P型Si重掺杂层(1)掺杂浓度为5X10lscm3至5X10 19cm 3，厚度为0.5?1.0 μ m ； 所述的正面电极(2)为Ti/Pt/Au电极，形状为环形电极，制作在p型Si重掺杂层(1)上; 所述的Si02氧化层(5)厚度为200~500nm ; 所述的玻璃钝化层(3)厚度为10~30 μπι。3.根据权利要求1所述的一种电子轰击型雪崩二极管，其特征在于:所述的ρ型Si重掺杂层(1)用于电子轰击的表面无钝化层覆盖。4.根据权利要求1所述的一种电子轰击型雪崩二极管，其特征在于:所述的η型Si衬底(6)、p型Si外延层(4)及ρ型Si重掺杂层(1)的表面与侧面采用Si02氧化层(5)和玻璃钝化层(3)进行钝化。5.如权利要求1的电子轰击型雪崩二极管的制作方法，其特征是包括如下步骤: 步骤1:在电子浓度lX10lscm 3或电子浓度1X10 ^m3的η型Si衬底(6)外延生长ρ型Si外延层(4)，外延层掺杂浓度为1 X 1014cm 3或1 X 10 15cm 3，外延厚度为10-30 μ m ； 步骤2:晶片清洗，进行煮王水处理，去离子水冲洗，离心甩干； 步骤3:进行第一步光刻，光刻出待刻蚀的图形； 步骤4:采用ICP刻蚀方法，刻蚀出器件台面，刻蚀深度15 μπι ; 步骤5:进行第二次光刻，光刻出待生长钝化膜的图形； 步骤6:采用掺氯氧化的方法在η型Si衬底(6)、p型Si外延层(4)及ρ型Si重掺杂层(1)的表面与侧面生长一层Si02氧化层(5)，氧化层厚度200nm~500 nm ； 步骤7:进行第三次光刻，光刻出待扩散掺杂的图形； 步骤8:采用热扩散方法进行掺杂，掺杂浓度为5X 10lscm 3，扩散浓度为0.5 μπι?1.0 μ m ； 步骤9:进行第四次光刻，光刻出待玻璃钝化的图形； 步骤10:采用高温烧结的方法在Si02氧化层(5)上生长一层玻璃钝化层(3)，厚度为.16 μ m ?36 μ m ; 步骤11:进行第五次光刻，光刻欧姆接触电极孔； 步骤12:采用溅射法在ρ型Si重掺杂层(1)表面依次生长Ti/Pt/Au环形电极，作为正面电极(2)； 步骤13:采用机械减薄的方法将η型Si衬底(6)减薄至200 μπι ； 步骤14:晶片清洗，将减薄后的晶片依次用乙醇、丙酮、去离子水、乙醇超声清洗； 步骤15:采用溅射法在η型Si衬底(6)背面依次生长Ti/Pt/Au环形电极，作为背面电极(7);步骤16:晶片划片、焊接、封装及测试。
【专利摘要】本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬底，此衬底为n型Si；p型Si外延层；p型Si重掺杂层；正面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；SiO2氧化层，此钝化层位于n型Si衬底、p型Si外延层以及p型Si重掺杂层的表面和侧面，起到钝化和降低暗电流的作用；玻璃钝化层，该层位于SiO2氧化层上，加厚SiO2氧化层并填充器件台面台阶。该种结构的雪崩二极管能够对电子实现收集并探测，同时在雪崩工作电压下，结区收集到的电子可以实现雪崩放大效应，制备工艺简便，暗电流低，可靠性高。
【IPC分类】H01L31/0352, H01L31/107, H01L31/0216, H01L31/0203, H01L31/18
【公开号】CN105374896
【申请号】CN201510843138
【发明人】徐鹏霄, 王霄, 周剑明, 唐家业, 王旺平, 戴丽英, 唐光华, 赵文锦, 钟伟俊, 汪述猛
【申请人】中国电子科技集团公司第五十五研究所
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年11月27日