230暴露出待处理基底200表面，使所述保护膜203呈若干分立保护层231。
[0059]由于所述表面处理工艺使所述保护膜230形成若干分立的保护层231，所形成的保护层231与器件层210之间的接触面积减少，则所述器件层210与保护层231之间的粘合力减弱；同时，后续的去膜工艺的粘性材料膜与所述保护层231的顶部表面和侧壁表面相接触，因此，所述粘性材料膜与保护层231之间的粘合力较大。因此，所述保护层231更易通过去胶工艺自器件层210表面剥离，而且难以在器件层210表面材料保护层231的材料，保证了后续去膜工艺之后，器件层210表面洁净。
[0060]请参考图9，在对所述保护膜203进行表面处理之后，对所述待处理基底200的第二表面202进行翻面工艺。
[0061]所述翻面工艺用于对待处理基底200的第二表面202进行后续的工艺制程，以完成半导体器件或芯片电路的制作。所述翻面工艺能够在所述待处理基底200的第二表面202上形成半导体结构、在所述待处理基底200内形成开口、或者对所述待处理基底200的第二表面进行减薄。
[0062]具体的，所述翻面工艺包括:翻转所述待处理基底200，将所述待处理基底200形成有保护膜203的第一表面201置于工艺腔室内的基座上，并暴露出待处理基底200的第二表面；对所述待处理基底2000的第二表面202进行光刻、刻蚀、沉积或抛光等工艺，以完成对所述第二表面202的工艺制程。在本实施例中，所述翻面工艺对所述待处理基底200的第二表面202进行刻蚀，在所述待处理基底200的第二表面200内形成若干开口。
[0063]请参考图10，在进行所述翻面工艺之后，采用去膜工艺从器件层210表面剥离所述保护膜203 (如图9所示)。
[0064]在完成对待处理基底200的第二表面202的工艺制程之后，需要去除所述保护膜203，以对所述待处理基底200进行切片工艺，使所述待处理基底200形成若干独立的芯片。
[0065]所述去膜工艺包括:采用粘性材料膜粘贴于所述保护膜203表面，所述粘性材料膜与所述保护膜之间具有第二粘合力，所述第二粘合力大于第一粘合力；通过移除所述粘性材料膜，将所述保护膜203自器件层210表面剥离。
[0066]所述去膜工艺通过去膜机实施，所述去膜机内具有用于放置待处理基底200的基座，以及位于所述基座上方的去膜装置，所述去膜装置的表面具有粘性材料膜，所述粘性材料膜能够粘结器件层210表面的保护膜203。具体的，所述粘性材料膜的表面具有粘性，使所述粘性材料膜能够与所述保护膜203相粘合，以此剥离将所述保护膜203。
[0067]在一实施例中，所述去膜装置为圆柱结构，所述圆柱结构表面具有粘性材料膜，且所述圆柱结构能够绕其中心轴线转动。将所述圆柱结构的外表面按压与所述保护膜203表面，能够使保护膜203粘附于圆柱结构表面的粘性材料膜上，通过在所述保护膜203表面转动所述圆柱结构，能够使保护膜粘附于所述圆柱结构外表面，以此剥离所述保护膜203。
[0068]在本实施例中，由于通过表面处理工艺使保护膜203表面粗糙，使得所述保护膜203的表面积增大，使得去膜装置上的粘性材料膜与所述保护膜203之间的接触面积较大，则所述粘性材料膜与所述保护膜203之间的粘合力增大，使得所述保护膜203与所述粘性材料膜之间的第二粘合力大于所述保护膜203与器件层210之间的第一粘合力，当移除所述粘性材料膜时，所述保护膜203与所述粘性材料膜之间的粘合更为紧密，因此能够完全自器件层210表面剥离所述保护膜203，并保持所述器件层210表面洁净。
[0069]具体请参考图11,图11是本实施例去除所述保护膜203 (如图9所示)之后,对基底200的第一表面210进行检测的检测结果局部放大示意图，由图11可知，在本实施例去除所述保护膜203之后，所述电互连结构213的表面和介质层212的表面不具有保护膜203材料的残留，所述器件层210表面洁净。
[0070]本实施例中，在器件层表面形成保护膜，所述保护膜用于在后续对基底的第二表面进行翻面工艺时，保护形成于基底第一表面的器件层，而所述保护膜需要在对基底第二表面进行翻面工艺之后被去除。为了避免在去除所述保护膜时，在基底的第二表面残余保护膜材料，在去除保护膜之前，对所述保护膜进行表面处理，使所述保护膜的表面粗糙，即增加了所述保护膜的表面积。在采用去膜工艺剥离所述保护膜时，由于所述保护膜的表面积增加，使得所述去膜工艺的粘性材料膜与保护膜之间的粘合力增强，则所述去膜工艺的粘性材料膜与保护膜之间的第二粘合力大于保护膜与器件层之间的第一粘合力，从而使得去膜工艺从器件层表面剥离保护膜时，避免了在器件层表面残留部分保护膜材料，使得去除保护膜更为衬底。因此，使得形成于晶圆第一表面的器件层性能更稳定、可靠性提高。[0071 ] 虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括: 提供待处理基底，所述待处理基底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述待处理基底的第一表面具有器件层； 在所述器件层表面形成保护膜，所述保护膜与所述器件层之间具有第一粘合力； 对所述保护膜进行表面处理，在所述保护膜内形成若干凹陷，使所述保护膜表面的粗糖度提闻; 在对所述保护膜进行表面处理之后，对所述待处理基底的第二表面进行翻面工艺； 在进行所述翻面工艺之后，采用去膜工艺从器件层表面剥离所述保护膜，所述去膜工艺包括: 采用粘性材料膜粘贴于所述保护膜表面，所述粘性材料膜与所述保护膜之间具有第二粘合力，所述第二粘合力大于第一粘合力； 通过移除所述粘性材料膜，将所述保护膜自器件层表面剥离。2.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述表面处理工艺包括:采用处理气体的等离子体对所述保护膜进行轰击。3.如权利要求2所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述处理气体为惰性气体、氢气或氮气中的一种或多种。4.如权利要求3所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气、氦气、氖气中的一种或多种。5.如权利要求2所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述表面处理的工艺参数包括:所述处理气体的流量为20准晕升/分钟?100标准晕升/分钟,压力为50晕托?80晕托，功率为300瓦?800瓦。6.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述表面处理工艺使所述保护膜内的凹陷暴露出待处理基底表面，使所述保护膜呈若干分立保护层。7.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，还包括:在所述表面处理工艺之前，对所述保护膜进行热处理。8.如权利要求7所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述热处理工艺的温度为100摄氏度?120摄氏度。9.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述保护膜的材料为具有粘性的聚合物材料。10.如权利要求9所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述保护膜为蓝膜。11.如权利要求9所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述保护膜的形成工艺包括贴膜工艺。12.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述粘性材料膜的表面具有粘性，使所述粘性材料膜与所述保护膜相粘合。13.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述器件层包括:位于待处理基底第一表面的器件结构；位于待处理基底第一表面的介质层，所述介质层覆盖所述器件结构；位于所述介质层内的电互连结构，所述电互连结构与所述器件结构、待处理基底电连接。14.如权利要求13所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述器件结构包括MEMS器件结构。15.如权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述翻面工艺包括:在所述待处理基底的第二表面上、或所述待处理基底内部形成半导体结构。
【专利摘要】一种晶圆的处理方法，包括：提供待处理基底，所述待处理基底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，所述待处理基底的第一表面具有器件层；在所述器件层表面形成保护膜；对所述保护膜进行表面处理，在所述保护膜内形成若干凹陷，使所述保护膜表面粗糙；在对所述保护膜进行表面处理之后，对所述待处理基底的第二表面进行翻面工艺；在进行所述翻面工艺之后，采用去膜工艺从器件层表面剥离所述保护膜。所述处理方法能够使晶圆表面洁净，有利于提高晶圆表面形成的半导体器件的性能和可靠性。
【IPC分类】H01L21/683, H01L21/02
【公开号】CN105448643
【申请号】CN201410294602
【发明人】郑超, 王伟, 徐伟
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年6月26日