阵列基板、辐射检测器以及配线基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例涉及阵列基板、辐射检测器和配线基板。
【背景技术】
[0002]配线基板可设置有一些电路元件，这些电路元件对静电的抗性较低。例如，诸如TFT(薄膜晶体管)和M0SFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)之类的半导体元件以及诸如光电二极管之类的光电转换元件通常对静电的抗性较低。因此，制造设置有例如对静电的抗性较低的电路元件的配线基板需要耗散在制造过程期间产生的静电。例如，外短环(outer short ring)设置在设置有电路元件的区域周围，使得在制造过程期间产生的静电通过外短环释放。
阵列基板是设置有大量电路元件的配线基板的示例。
例如，设置在平板显示器中的阵列基板包括大量薄膜晶体管。
[0003]设置在辐射检测器中的阵列基板包括大量薄膜晶体管和大量光电二极管。
同样在制造这种阵列基板时使用环绕设置有薄膜晶体管和光电二极管的区域的外短环。
这里，当制造配线基板或阵列基板时需要外短环。然而，外短环不能留在完成的配线基板或阵列基板中。
因此，在制造过程期间切断外短环。
在切断外短环之后，导电部件(诸如连接至外短环的配线和电极)的端面在切断面(即基板的外围)处暴露。
通常，导电部件是由诸如铝和铬之类的低电阻金属形成的。因此，当电流流动时发生腐蚀。腐蚀的进行可导致线缺陷。尤其，水的介入促进腐蚀反应的进行。例如，由于腐蚀导致的线缺陷更可能发生在结露-冷凝环境中。
此外，导电部件的材料可因腐蚀而被电离并且附连到导电部件的暴露端面。如果电离的材料附连到导电部件的端面，那么在相邻的导电部件之间可发生泄漏。
在此情况下，可通过控制环境的温度和湿度来抑制腐蚀。然而，这招致设备尺寸扩大以及成本增加。
引用列表专利文献
[0004]专利文献1: JP2012-156204A(公开)
专利文献2:JP2009-170768A(公开)
专利文献3:JP05-27263A(公开)
【发明内容】
技术问题
[0005]本发明要解决的问题是提供一种能够抑制基板的外围处的腐蚀的阵列基板、辐射检测器和配线基板。
问题的解决方案
[0006]根据本实施例，阵列基板包括:基板;多个第一配线，设置在基板的表面上并沿第一方向延伸；多个第二配线，设置在基板的表面上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸;薄膜晶体管，设置在由多个第一配线和多个第二配线所限定的多个区域中的每一个中；保护层，至少覆盖多个第一配线和多个第二配线；以及多个连接部，设置在以下区域中的至少一个中:保护层上的区域、多个第一配线与基板之间的区域以及多个第二配线与基板之间的区域，这些连接部与多个第一配线和多个第二配线中的每一个电连接并包含比多个第一配线和多个第二配线的材料具有更高抗蚀性的导电材料。
多个第一配线和多个第二配线在基板的外围侧上的端面覆盖有保护层，并且连接部在基板的外围侧上的端面在平面视角上位于基板的外围。
附图简述
[0007]图1是示出根据此实施例的X射线检测器1的示意性透视图。
图2是X射线检测器1的框图。
图3是X射线检测器1的电路图。
图4是示出外短环11的示意性平面图。
图5A和5B是示出连接部6的示意性截面图。
图6A和6B是示出连接部6的替代连接模式的示意性截面图。
【具体实施方式】
[0008]在下文中，各个实施例将参考附图进行描述。在各附图中，相同的组件标注有相似的附图标记，并且酌情省略了它们的详细描述。
根据本发明的实施例的配线基板例如可以是板状基板，该板状基板在其上包含配线图案。诸如半导体元件的电路元件电连接至配线图案。
阵列基板是此类配线基板的示例。阵列基板例如可以是板状基板，在其上包含配线图案。诸如薄膜晶体管和光电二极管之类的电路元件电连接至配线图案。此类阵列基板例如用于平板显示器和辐射检测器中。
作为示例，参考辐射检测器和阵列基板来描述本实施例，该阵列基板是在辐射检测器中使用的配线基板。
根据本实施例的辐射检测器可应用于多种类型的辐射，诸如除X射线以外的γ射线。作为示例，参考X射线作为辐射的代表来描述本实施例。因此，以下实施例还可通过用术语“其他辐射”代替“X射线”应用到其他辐射。
[0009]下面图示的X射线检测器1是平面X射线传感器，用于检测作为辐射图像的X射线图像。平面X射线传感器宽泛地分类为直接转换类型和间接转换类型。
在直接转换类型中，响应于入射的X射线而在光电导膜内产生的光电导电荷(信号电荷)被高电场直接引导至用于电荷累积的累积电容器。
在间接转换类型中，X射线被闪烁体转换为荧光(可见光)。荧光被诸如光电二极管之类的光电转换元件转换为信号电荷。信号电荷引导至累积电容器。
作为示例，参考包括间接转换类型的X射线检测器1的情况示出了以下实施例。然而，此实施例还可应用到包括直接转换类型的X射线检测器的情况。
作为辐射检测器的X射线检测器1可例如用于一般医学用途。然而，X射线检测器1不限于特定用途，只要包括辐射检测部(X射线检测部)的用途即可。
[0010]图1是示出根据此实施例的X射线检测器1的示意性透视图。
图2是X射线检测器1的框图。
图3是X射线检测器1的电路图。
如图1所示，X射线检测器1包括阵列基板2、信号处理部3、图像传输部4和闪烁体5。
[0011]阵列基板2将荧光(可见光)转换成电信号。闪烁体5将X射线转换为荧光。
阵列基板2包括基板2a、光电转换部2b、控制线(或栅极线)2cl(对应于第一配线的示例)以及数据线(或信号线)2c2(对应于第二配线的示例)。
基板2a形状像板且由例如玻璃形成。
在基板2a的表面上设置多个光电转换部2b。
光电转换部2b具有矩形的形状且被设置在多个控制线2cl和多个数据线2c2所限定的多个区域的每一个中。以矩阵的形式排列多个光电转换部2b。
一个光电转换部2b对应于一个像素。
[0012]多个光电转换部2b的每一个包括光电转换元件2bl和作为切换元件的薄膜晶体管(TFT)2b2o
如图3所示，可设置累积电容器2b3以用于累积在光电转换元件2bl中转换的信号电荷。累积电容器2b3形状例如像矩形板。累积电容器2b3可设置在每个薄膜晶体管2b2的下方。然而，取决于光电转换元件2bl的电容，光电转换元件2bl可兼任累积电容器2b3。
[0013]光电转换元件2bl例如可以是光电二极管。
薄膜晶体管2b2在响应于入射在光电转换元件2bl而产生的电荷的累积与释放之间执行切换。薄膜晶体管2b2可包括诸如非晶硅(a-Si)和多晶硅(P-Si)之类的半导体材料。薄膜晶体管2b2包括栅电极2b2a、源电极2b2b和漏电极2b2c。薄膜晶体管2b2的栅电极2b2a电连接到对应的控制线2cl。薄膜晶体管2b2的源电极2b2b电连接到对应的数据线2c2。薄膜晶体管2b2的漏电极2b2c电连接到对应的光电转换元件2bl和累积电容器2b3。
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