一种同轴结构数据线的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电线电缆领域，特别是涉及一种同轴结构数据线。
【背景技术】
[0002]关于现在市场电子产品的USB数据线的传输方式，目前市场上的电子产品的USB数据线主要为Type-A转Type-B或者是Type-A转Type-Micro B或是Type-Α转Type-Α结构。这样的USB数据线传输方式造成市场中USB线材种类繁多，且各种数据线之间又不可兼容使用，在使用时USB数据线端口需分正反面，在无形中浪费了宝贵时间，这对于现在高速发展的社会来说是急需解决的问题。
[0003]在现有的USB数据线中都是两芯芯线对绞、接地线、绕包屏蔽层组成差分信号对来进行传输，且现有的USB数据线在电源线压降以及电源线额定电流方面无法满足USB协会最新USB3.1标准中Type-C的要求，因此面临着淘汰的危机。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种使用了相邻两条同轴线代替两芯对绞芯线的同轴结构数据线，以使得信号传输更稳定，从而满足现代社会对数据线的要求。
[0005]本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
[0006]—种同轴结构数据线，包括:Vbus芯线、第一高速信号线对、第二高速信号线对、低速信号线对、屏蔽层、接地层及包覆层；
[0007]所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对依次卷绕于所述Vbus芯线上；
[0008]所述屏蔽层包覆所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对；
[0009]所述接地层包覆所述屏蔽层；
[0010]所述包覆层包覆所述接地层；
[0011 ] 所述第一高速信号线对包括SSTXpl芯线及SSTXnl芯线；
[0012]所述第二高速信号线对包括SSRXpl芯线及SSRXnl芯线；
[0013]所述低速信号线对包括Dpl芯线及Dnl芯线。
[0014]在其中一个实施例中，所述SSTXpl芯线、SSTXnl芯线分别具有:导体层、包覆所述导体层的绝缘层、包覆所述绝缘层的铜丝缠绕层、包覆所述铜丝缠绕层的铜箔层、包覆所述铜箔层的聚脂带。
[0015]在其中一个实施例中，所述SSRXpl芯线、SSRXnl芯线分别具有:导体层、包覆所述导体层的绝缘层、包覆所述绝缘层的铜丝缠绕层、包覆所述铜丝缠绕层的铜箔层、包覆所述铜箔层的聚脂带。
[0016]在其中一个实施例中，所述Dpl芯线、Dnl芯线分别具有:导体层、包覆所述导体层的绝缘层、包覆所述绝缘层的铜丝缠绕层、包覆所述铜丝缠绕层的铜箔层、包覆所述铜箔层的聚脂带。
[0017]在其中一个实施例中，所述SSTXpl芯线、SSTXnl芯线、SSRXpl芯线、SSRXnl芯线、Dpl芯线及Dnl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。
[0018]在其中一个实施例中，所述SSTXnl芯线、SSTXpl芯线、SSRXpl芯线、SSRXnl芯线、Dpl芯线及Dnl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。
[0019]在其中一个实施例中，所述SSTXpl芯线、SSTXnl芯线、SSRXnl芯线、SSRXpl芯线、Dpl芯线及Dnl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。
[0020]在其中一个实施例中，所述SSTXpl芯线、SSTXnl芯线、SSRXpl芯线、SSRXnl芯线、Dnl芯线及Dpl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。
[0021]在其中一个实施例中，所述SSTXnl芯线、SSTXpl芯线、SSRXnl芯线、SSRXpl芯线、Dpl芯线及Dnl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。
[0022]在其中一个实施例中，所述SSTXnl芯线、SSTXpl芯线、SSRXnl芯线、SSRXpl芯线、Dnl芯线及Dpl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。
[0023]与现有技术相比，本发明使用了第一高速信号线对及第二高速信号线对组成的差分信号对来进行数据传输，代替了传统的两芯对绞芯线、接地线、绕包屏蔽层组成的差分信号对来进行数据传输的方式，使传输信号更加的稳定，各线材的尺寸更小，组合结构更加圆整，组合成的线材产品更加柔软且具有弹性，从而满足了现代社会对USB数据线产品的要求。
【附图说明】
[0024]图1为本发明一实施例中的同轴结构数据线的横截面示意图；
[0025]图2为图1所示的同轴结构数据线的各条SSTXpl芯线、SSTXnl芯线、SSRXpl芯线、SSRXnl芯线、Dpl芯线、Dnl芯线的横截面示意图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
[0027]如图1所示为本发明一实施例中的同轴结构数据线10的横截面示意图，其中，Vbus是指连接到电子产品中的电源正极，SSTXp I及SSTXnI是指连接到电子产品中USB3.1信号线对，SSRXpl及SSRXnl是指连接到电子产品中USB3.1信号线对，Dpl及Dnl是指连接到电子产品中的USB2.0信号线对。
[0028]同轴结构数据线10包括:Vbus芯线100、第一高速信号线对200、第二高速信号线对300、低速信号线对400、屏蔽层500、接地层600及包覆层700。
[0029]第一高速信号线对200、第二高速信号线对300及低速信号线对400依次卷绕于Vbus芯线100上。屏蔽层500包覆第一高速信号线对200、第二高速信号线对300及低速信号线对400 ο接地层600包覆屏蔽层500，包覆层700包覆接地层600。
[0030]第一高速信号线对200包括SSTXpl芯线210及SSTXnl芯线220，第二高速信号线对300包括SSRXpl芯线310及SSRXnl芯线320，低速信号线对400包括Dpl芯线410及Dnl芯线420。
[0031]本发明通过第一高速信号线对200、第二高速信号线对300及低速信号线对400依次卷绕于Vbus芯线100上，并使用屏蔽层500、接地层600及包覆层700依次进行包裹，组成新的USB数据线。
[0032]在本发明的同轴结构数据线10中，第一高速信号线对200的SSTXpl芯线210及SSTXnl芯线220位置可进行交换，第二高速信号线对300的SSRXpl芯线310及SSRXnl芯线320位置可进行交换，低速信号线对400的Dpl芯线410及Dnl芯线420位置可进行交换。
[0033]因此，本发明的同轴结构数据线10具有以下排列组合方式:
[0034]1、55了父？1芯线210、55了父111芯线220、551??1芯线310、551?111芯线320、0?1芯线410及Dnl芯线420依次卷绕于Vbus芯线设置；
[0035]2、SSTXnl 芯线 220、SSTXpl 芯线 210、SSRXpl 芯线 310、SSRXnl 芯线 320、Dpl 芯线 410及Dnl芯线420依次卷绕于Vbus