一种同轴结构数据线的制作方法_2

文档序号:9788799阅读:来源:国知局
芯线设置;
[0036]3、SSTXpl 芯线 210、SSTXnl 芯线 220、SSRXnl 芯线 320、SSRXpl 芯线 310、Dpl 芯线 410及Dnl芯线420依次卷绕于Vbus芯线设置;
[0037]4、SSTXpl 芯线 210、SSTXnl 芯线 220、SSRXpl 芯线 310、SSRXnl 芯线 320、Dnl 芯线 420及Dpl芯线410依次卷绕于Vbus芯线设置;
[0038]5、SSTXnl 芯线 220、SSTXpl 芯线 210、SSRXnl 芯线 320、SSRXpl 芯线 310、Dpl 芯线 410及Dnl芯线420依次卷绕于Vbus芯线设置;
[0039]6、SSTXnl 芯线 220、SSTXpl 芯线 210、SSRXnl 芯线 320、SSRXpl 芯线 310、Dnl 芯线 420及Dpl芯线410依次卷绕于Vbus芯线设置。
[0040]如图2所示,其为图1所示的同轴结构数据线10的各条SSTXpl芯线210、SSTXnl芯线220、SSRXpl芯线310、SSRXnl芯线320、Dpl芯线410、Dnl芯线420的横截面示意图。
[0041 ] 第一高速信号线对200的SSTXpl芯线210及SSTXnl芯线220分别具有:导体层810、包覆导体层810的绝缘层820、包覆绝缘层820的铜丝缠绕层830、包覆铜丝缠绕层830的铜箔层840、包覆铜箔层840的聚脂带850。
[0042]同样的,第二高速信号线对300的SSRXpl芯线310及SSRXnl芯线320分别具有:导体层810、包覆导体层810的绝缘层820、包覆绝缘层820的铜丝缠绕层830、包覆铜丝缠绕层830的铜箔层840、包覆铜箔层840的聚脂带850。
[0043]同样的,低速信号线对400的Dpl芯线410及Dnl芯线420分别具有:导体层810、包覆导体层810的绝缘层820、包覆绝缘层820的铜丝缠绕层830、包覆铜丝缠绕层830的铜箔层840、包覆铜箔层840的聚脂带850。
[0044]第一高速信号线对200通过使用相邻两条SSTXpl芯线210及SSTXnl芯线220组成的差分信号对进行信号传输,且SSTXpl芯线210及SSTXnl芯线220的各层为同轴设计。同理的,第二高速信号线对300通过使用相邻两条SSRXpl芯线310及SSRXnl芯线320组成的差分信号对进行信号传输,且SSRXpl芯线310及SSRXnl芯线320的各层为同轴设计。
[0045]与现有技术相比,本发明使用了第一高速信号线对200及第二高速信号线对300组成的差分信号对来进行数据传输,代替了传统的两芯对绞芯线、接地线、绕包屏蔽层组成的差分信号对来进行数据传输的方式,使传输信号更加的稳定,各线材的尺寸更小,组合结构更加圆整,组合成的线材产品更加柔软且具有弹性,从而满足了现代社会对USB数据线产品的要求。
[0046]上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种同轴结构数据线,其特征在于,包括:Vbus芯线、第一高速信号线对、第二高速信号线对、低速信号线对、屏蔽层、接地层及包覆层; 所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对依次卷绕于所述Vbus芯线上; 所述屏蔽层包覆所述第一高速信号线对、所述第二高速信号线对及所述低速信号线对; 所述接地层包覆所述屏蔽层; 所述包覆层包覆所述接地层; 所述第一高速信号线对包括SSTXpl芯线及SSTXnl芯线; 所述第二高速信号线对包括SSRXpl芯线及SSRXnl芯线; 所述低速信号线对包括Dpl芯线及Dnl芯线。2.根据权利要求1所述的同轴结构数据线,其特征在于,所述SSTXpl芯线、SSTXnl芯线分别具有:导体层、包覆所述导体层的绝缘层、包覆所述绝缘层的铜丝缠绕层、包覆所述铜丝缠绕层的铜箔层、包覆所述铜箔层的聚脂带。3.根据权利要求1所述的同轴结构数据线,其特征在于,所述SSRXpl芯线、SSRXnl芯线分别具有:导体层、包覆所述导体层的绝缘层、包覆所述绝缘层的铜丝缠绕层、包覆所述铜丝缠绕层的铜箔层、包覆所述铜箔层的聚脂带。4.根据权利要求1所述的同轴结构数据线,其特征在于,所述Dpl芯线、Dnl芯线分别具有:导体层、包覆所述导体层的绝缘层、包覆所述绝缘层的铜丝缠绕层、包覆所述铜丝缠绕层的铜箔层、包覆所述铜箔层的聚脂带。5.根据权利要求1所述的同轴结构数据线,其特征在于,所述SSTXpl芯线、SSTXnl芯线、SSRXpl芯线、SSRXnl芯线、Dpl芯线及Dnl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。6.根据权利要求1所述的同轴结构数据线,其特征在于,所述SSTXnl芯线、SSTXpl芯线、SSRXpl芯线、SSRXnl芯线、Dpl芯线及Dnl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。7.根据权利要求1所述的同轴结构数据线,其特征在于,所述SSTXpl芯线、SSTXnl芯线、SSRXnl芯线、SSRXpl芯线、Dpl芯线及Dnl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。8.根据权利要求1所述的同轴结构数据线,其特征在于,所述SSTXpl芯线、SSTXnl芯线、SSRXpl芯线、SSRXnl芯线、Dnl芯线及Dpl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。9.根据权利要求1所述的同轴结构数据线,其特征在于,所述SSTXnl芯线、SSTXpl芯线、SSRXnl芯线、SSRXpl芯线、Dpl芯线及Dnl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。10.根据权利要求1所述的同轴结构数据线,其特征在于,所述SSTXnl芯线、SSTXpl芯线、SSRXnl芯线、SSRXpl芯线、Dnl芯线及Dpl芯线依次卷绕于所述Vbus芯线设置。
【专利摘要】本发明公开一种同轴结构数据线,包括:Vbus芯线、第一高速信号线对、第二高速信号线对、低速信号线对、屏蔽层、接地层及包覆层。第一高速信号线对、第二高速信号线对及低速信号线对依次卷绕于Vbus芯线上。屏蔽层包覆第一高速信号线对、第二高速信号线对及低速信号线对。接地层包覆屏蔽层。包覆层包覆接地层。第一高速信号线对包括SSTXp1芯线及SSTXn1芯线。第二高速信号线对包括SSRXp1芯线及SSRXn1芯线。低速信号线对包括Dp1芯线及Dn1芯线。本发明的同轴结构数据线通过相邻两条同轴线组成的差分信号对来进行数据传输,从而使传输信号更加稳定,线材尺寸更小、结构更加圆整,从而满足现代社会对USB数据线产品的要求。
【IPC分类】H01B11/18
【公开号】CN105551678
【申请号】CN201511009768
【发明人】郑俊超, 刘丽萍, 郭云
【申请人】惠州乐庭电子线缆有限公司, 乐庭电线工业(惠州)有限公司, 深圳市沃尔特种线缆有限公司, 深圳市沃尔核材股份有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月26日
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