元对部件进行分析以标识出生成或传递高频信号的那些部件。
[0100]在框606，由控制单元标识器件的目标区域。该目标区域包括器件的包括所标识部件的区域。此外，该目标区域还可以包括其中在部件或电路之间可能存在泄漏的区域或区。另外，该目标区域可以包括高频部件位于其中的侧壁。
[0101]在框608，晶片或形成于晶片上的其它分层的耦合区被控制单元所标识并且被去除。该耦合区处于目标区域之内并且包括所标识的目标区域。此外，该耦合区具有取决于那些区内的部件的所选择深度。
[0102]在框610，一个或多个隔离模具被控制单元使用处理工具形成于耦合区之内或之上。该隔离模具使用适当的模具形成工艺所形成。一些示例包括封装、沉积等。在一个示例中，该器件在沉积或形成隔离模具之前被翻转。随后，该器件被再次翻转。
[0103]所要意识到的是，能够执行其它制造工艺，包括形成互连、金属化分层、金属线、前端处理、后端处理、载体层，等等。
[0104]虽然该方法被图示并且在下文中被描述为一系列的动作或事件，但是将要意识到的是，所图示出的这样的动作或事件的顺序并非以限制的含义进行解释。例如，与这里所图示和/或描述的那些有所不同，一些动作可以以不同顺序进行和/或与其它动作或事件同时进行。此外，并非所有所图示的动作都被要求以实施这里公开的一个或多个方法或实施例。而且，这里所描绘的一个或多个动作可以在一个或多个单独的动作和/或阶段中执行。
[0105]所意识到的是，请求保护的主题可以使用标准编程和/或工程技术而被实施为方法、装置或制造品以生产出软件、固件、硬件或者它们的组合，从而控制计算机以实施所公开的主题(例如，图1、2中所示的系统等是可以被用来实施上述方法的系统的非限制性示例)。如这里所使用的术语“制造品”意在包含能够从任何计算机可读设备、载体或媒体进行访问的计算机程序。显然，本领域技术人员将会认识到，能够针对该配置进行许多修改而并不背离所请求保护的主题的范围或精神。
[0106]公开了一种器件，其包括晶片或芯片、第一层、第一器件、隔离模具和第二器件。该第一层形成于该晶片/芯片之上并且具有非隔离特性。该第一器件形成于该第一层之上。在一个示例中，其仅形成于该第一层之上。该隔离模具被形成于该晶片/芯片之上。该隔离模具具有隔离特性。该第二器件实质上形成于该隔离模具之上。
[0107]公开了一种具有处理工具和控制单元的制造系统。该处理工具被配置为在半导体器件上执行制造工艺。该控制单元被配置为对该处理工具进行控制并且标识该器件中具有高频部件的目标区域，去除该目标区域下方的衬底并且在该目标区域内形成隔离模具。
[0108]公开了一种制造器件的方法。提供了一种具有芯片/晶片以及与之相关联的多个部件的半导体器件。标识该多个部件中处理或利用高频信号的一个或多个高频部件。包括一个或多个所标识的高频部件的目标区域被标识。去除该晶片/芯片处于该目标区域内的耦合区。在该一个或多个目标区域内形成一个或多个隔离模具。
[0109]特别地，关于以上所描述的部件或结构(组件、器件、电路、系统等)所执行的各种功能而言，除非另外有所指示，否则被用来描述这样的部件的术语(包括对“器件”的引用)意在对应于执行(例如，功能上等同的)所描述部件的所指定功能的任意部件或结构，即使其在结构上与执行本发明这里所说明的示例性实施方式中的功能所公开结构并不等同。此夕卜，虽然本发明的特定结构已经仅关于若干实施方式之一而被公开，但是如对于任何给定或特定应用而言所期望并且有利的，这样的特征可以与其它实施方式中的一个或多个其它特征进行组合。此外，就术语“包含”、“包含了”、“具有”、“含有”、“带有”或者其变化形式在详细描述和权利要求中的任一个中所使用的范围而言，这样的术语意在以类似于术语“包括”的方式而是包含性的。
【主权项】
1.一种增强信号完整性的器件，包括: 芯片; 形成于所述芯片之上的第一层，其中所述第一层具有非隔离特性； 仅形成于所述第一层之上的第一器件； 形成于所述芯片之上的隔离模具，其中所述隔离模具具有隔离特性；以及 实质上形成于所述隔离模具之上的第二器件。2.根据权利要求1所述的器件，其中所述芯片具有硅材料。3.根据权利要求1所述的器件，其中所述芯片是人造晶片。4.根据权利要求1所述的器件，其中所述芯片和所述隔离模具由相同材料组成。5.根据权利要求1所述的器件，其中所述非隔离特性包括电阻率、电容性耦合和电感性耦合，并且在高频部件中导致非线性行为，并且其中所述第二器件是高频部件。6.根据权利要求1所述的器件，其中所述隔离模具的隔离特性包括自由载流子缺乏和相对高的电阻率中的一项或多项。7.根据权利要求1所述的器件，其中所述隔离模具被配置为缓解谐波信号的生成。8.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二器件包括金属线、电容器、金属电容器、晶体管、隔离体、电阻器、端子、触点和电感器中的一个或多个。9.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二器件使用易于受谐波的生成影响的相对高频率的信号。10.根据权利要求1所述的器件，其中所述隔离模具包括封装材料，其中所述封装材料包括包含塑料、缓冲材料和封装剂的组中的一项。11.根据权利要求1所述的器件，其中所述隔离模具处于所标识的目标区域之内。12.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二器件形成于侧壁之内并且所述隔离模具形成于所述侧壁之内。13.根据权利要求1所述的器件，其中第二隔离模具形成在所述器件的背侧上。14.一种制造系统，包括: 处理工具，其被配置为在半导体器件上执行制造工艺；以及 控制单元，其被配置为控制所述处理工具并且标识所述器件中具有高频部件的目标区域，去除所述目标区域下方的衬底材料，并且在所述目标区域内形成多个隔离模具。15.根据权利要求14所述的系统，其中所述目标区域包括金属线、电容器、金属电容器、晶体管、隔离体、电阻器、端子、触点和电感器中的一个或多个。16.根据权利要求14所述的系统，其中所述隔离模具包括封装材料。17.一种用于制造器件的方法，所述方法包括: 提供具有芯片和形成于其上的多个部件的半导体器件； 标识所述多个部件中处理高频信号的一个或多个高频部件； 标识包括所述一个或多个高频部件的一个或多个目标区域； 去除所述晶片的在所述一个或多个目标区域内的至少耦合区；并且 在所述一个或多个目标区域内形成一个或多个隔离模具。18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述隔离模具包括在所去除的耦合区内形成封装材料。19.根据权利要求17所述的方法，其中标识所述一个或多个目标区域包括标识所述多个部件之间的泄漏路径。20.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述一个或多个隔离模具包括在所述芯片的侧壁内形成隔离模具。
【专利摘要】本公开的实施例涉及在隔离材料上使用RF电路的系统和方法。公开了一种器件，其包括晶片/芯片、第一层、第一器件、隔离模具和第二器件。该第一层形成于该芯片之上并且具有非隔离特性。该第一器件形成于该第一层之上。在一个示例中，其仅形成于该第一层之上。该隔离模具形成于该芯片之上。该隔离模具具有隔离特性。该第二器件实质上形成于该隔离模具之上。
【IPC分类】H01L21/67, H01L25/16, H01L21/98
【公开号】CN105552071
【申请号】CN201510689354
【发明人】C·阿伦斯, E·富尔古特, A·米勒, A·施特尔滕波尔
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年10月21日
【公告号】DE102015220438A1, US20160118353