二极管块1310将输入晶体管的栅极耦合到输入晶体管Ml的漏极。在示例性实施例中，二极管块1310可以与在图3中示出的二极管DPl相对应，例如，配置成当栅极到漏极电压为正时被正向偏置的二极管。在备选的示例性实施例中，二极管块1310可以与在图8中示出的二极管DP4相对应，例如，配置成当漏极到栅极电压为正时被正向偏置的二极管。注意，二极管块1310可以包括除示出的二极管DPl和二极管DP4以外的其他元件，例如，如之前在上文描述的串联耦合的电阻器或多个二级管。
[0069]应当理解，在本说明书中以及在权利要求书中，当元件被称为“连接至”或“耦合至”其他元件时，该元件可以直接连接或親合至该另一元件或者可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接连接至”或“直接耦合至”另一元件时，不存在居间元件。此外，当元件被称为“电耦合”到另一元件时，其表示在这种元件之间存在低电阻的路径，而当元件被称为仅是“親合”到另一元件时，这种元件之间可能有也可能没有低电阻的路径。
[0070]本领域技术人员能够理解，信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的任意一种来代表。例如，贯穿上文描述可能被提及的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来代表。
[0071]本领域技术人员能够进一步理解，结合本文中公开的示例性方面描述的各种解释性逻辑块、模块、电路和算法步骤可以被实施成电子硬件、计算机软件或两者的组合。为了清楚地解释硬件与软件的该可互换性，各种解释性部件、块、模块、电路和步骤在上文以其功能性的形式一般化地描述。这种功能性是被实施成硬件还是软件取决于特定应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实施所描述的功能性，但这种实施决定不应当被解释成导致脱离本发明的示例性方面的范围。
[0072]结合本文中公开的示例性方面描述的各种解释性逻辑块、模块、以及电路可利用通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、分立的门或晶体管逻辑、分立的硬件部件或者其设计成执行本文所描述的功能的任意组合来实施或执行。通用处理器可以是微处理器，但在备选方案中，该处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以被实施成计算设备的组合，例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心协同的一个或更多个微处理器或任何其他此类配置。
[0073]结合本文中公开的示例性方面描述的方法或算法的步骤可以直接在硬件中、在由处理器执行的软件模块中、或在这两者的组合中实施。软件模块可以驻留在随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦式可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM或本领域中已知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质被耦合到处理器使得该处理器能够从该存储介质读信息并且能够向该存储介质写信息。在备选方案中，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在ASIC中。ASIC可驻留在用户终端中。在备选的方案中，处理器和存储介质可作为分立部件驻留在用户终端中。
[0074]在一个或多个示例性的方面中，所描述的功能可以在硬件、软件、固件或其任何组合中实施。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，包括促成计算机程序从一个地方向另一地方转移的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。以示例的方式而非限定，这种计算机可读介质可包括RAM、R0M、EEPR0M、CD-ROM或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。而且，任何连接也被恰当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电以及微波之类的无线技术从web网站、服务器或其它远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘常常磁性地再现数据而碟利用激光光学地再现数据。上面的组合也应当被包括在计算机可读介质的范围内。
[0075]提供以上对所公开的示例性方面的描述是为了使任何本领域技术人员能够制作或使用本发明。对这些示例性方面的各种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，并且本文中定义的普适原理可被应用于其他示例性方面而不会脱离本发明的精神或范围。因此，本公开并非旨在被限制于本文中示出的示例性方面，而是应被授予与本文中公开的原理和新颖性特征一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种装置，包括: 放大器，包括输入晶体管；以及 二极管，将所述输入晶体管的栅极耦合到所述输入晶体管的漏极。2.根据权利要求1所述的装置，所述二极管被配置成当栅极到漏极电压为正时被正向偏置。3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括第一集成电路焊盘和第二集成电路焊盘，其中所述第一集成电路焊盘被耦合到所述输入晶体管的所述栅极，并且所述第二集成电路焊盘被耦合到所述输入晶体管的源极。4.根据权利要求1所述的装置，进一步包括与所述二极管串联耦合的电阻器。5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括耦合到所述输入晶体管的所述漏极的共源共栅晶体管。6.根据权利要求1所述的装置，进一步包括将所述输入晶体管的所述漏极耦合到接地端子的两个二极管。7.根据权利要求1所述的装置，所述二极管被配置成当所述漏极到栅极电压为正时被正向偏置。8.根据权利要求7所述的装置，进一步包括第二二极管，所述第二二极管被配置成当所述栅极到漏极电压为正时被正向偏置。9.根据权利要求1所述的装置，进一步包括与所述二极管串联耦合的第二二极管。10.根据权利要求2所述的装置，进一步包括将所述漏极耦合到所述栅极的第二二极管，所述第二二极管被配置成当所述漏极到栅极电压为正时被正向偏置。11.一种装置，包括: 集成电路，包括用于放大输入信号的部件；以及 用于改善所述集成电路的充电器件模型(CDM)性能的部件。12.根据权利要求11所述的装置，用于改善CDM性能的所述部件包括用于改善正CDM性能的部件。13.根据权利要求12所述的装置，用于改善正CDM性能的所述部件包括将用于放大的所述部件的栅极耦合到用于放大的所述部件的漏极的二极管。14.根据权利要求11所述的装置，用于改善CDM性能的所述部件包括用于改善负CDM性能的部件。15.根据权利要求11所述的装置，用于改善负CDM性能的所述部件包括将用于放大的所述部件的漏极耦合到接地端子的至少一个二极管。16.一种方法，包括: 使用包括具有栅极和漏极的输入晶体管的共源共栅放大器来放大输入信号；以及 使用二极管将所述输入信号耦合到所述输入晶体管的所述漏极。17.根据权利要求16所述的方法，所述二极管被配置成当栅极到漏极电压为正时被正向偏置。18.根据权利要求16所述的方法，所述二极管被配置成当漏极到栅极电压为正时被正向偏置。19.根据权利要求16所述的方法，进一步包括:将所述输入晶体管的所述漏极耦合到接地端子。20.根据权利要求16所述的方法，进一步包括:使用第二二极管将所述输入晶体管的源极耦合到所述输入信号。
【专利摘要】用于改善集成电路(IC)中的静电放电(ESD)性能的技术。在一方面，在IC的各个节点之间提供了一个或多个保护二极管。例如，可以在放大器输入晶体管的漏极和栅极之间和/或漏极和接地之间等提供保护二极管。在某些示例性实施例中，放大器可以是共源共栅放大器。描述了用于有效地处理ESD现象的另外的方面。
【IPC分类】H01L27/02, H03F1/52, H02H9/04
【公开号】CN105556666
【申请号】CN201480049879
【发明人】A·A·M·尤塞夫, P·S·S·古德姆, L-C·常, E·A·S·阿布德尔格哈尼
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2014年9月4日
【公告号】EP3044810A1, US20150070803, WO2015038402A1